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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105651785A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201511021603.0
申请日：2015-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/95
CPC classification number: G01N21/9501
Abstract: 本发明公开了一种测量半导体材料表面微结构缺陷的显微成像装置和方法。所述测试装置包括：光源、偏振调制反射差分系统、分光棱镜、扫描平台、共聚焦显微系统、信号采集系统。根据光弹性效应原理以及晶体缺陷理论可知，半导体材料表面的微结构缺陷虽然自身很小，但是会在其周围产生一个相对自身很大的应变分布场，而该应变场会产生光学反射各向异性信号，该测试方法通过测量微结构缺陷周围每一测量点处光学反射各向异性信号，从而可以直接获得微结构缺陷附近与应变场相关且随着空间位置变化的光学反射各向异性显微成像图，进而获得缺陷的种类、密度和应变分布等信息。本发明对材料微结构缺陷的表征具有操作简便快捷、无损伤、可移植性强等优点。
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公开(公告)号：CN104502281A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410821124.6
申请日：2014-12-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/21
Abstract: 本发明提供了一种光弹调制测量系统。该光弹调制测量系统中，引入一参考信号，该参考信号中包含了光弹调制器对偏振状态的调制偏差的信息，通过该参考信号抑制因光弹调制器调制状态偏差导致的数据噪声。
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公开(公告)号：CN103940537A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410143013.4
申请日：2014-04-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种材料的微区应力测试系统，其采用微区透射差分偏振谱法(μ-TDS，microscopic transmission difference spectroscopy)建立。整个测试系统包括线偏振激光源(1)、光相位调制器(2)、斩波器(3)、聚焦物镜(41)、收集物镜(42)、检偏器(6)和信号采集系统(7)，采用计算机控制逐点扫描并采集处理数据。本发明通过测量材料表面相互垂直的两个方向上的光强反射比率差ΔT／T求得测试材料的应力分布，可以克服现有测试系统带来的负面影响，对于材料不具有损伤性，小范围的表征材料应力的分布情况。且测试过程简单快捷，测试精度高。
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公开(公告)号：CN103308224A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310194074.9
申请日：2013-05-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01L1/24
Abstract: 本发明公开了一种半导体微区应力测试系统。系统包括激光光源、空间滤波器、起偏器、检偏器、物镜、载物台、光弹性调制器、探测器及锁相放大器，采用计算机控制逐点扫描并采集处理数据。通过测量材料表面相互垂直的两个方向上的光强反射比率差ΔR/R求得测试材料的应力分布。本发明可以克服其它测试系统带来的负面影响，对于材料不具有损伤性，小范围的表征材料应力的分布情况，测试过程简单快捷，测试精度高。
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公开(公告)号：CN103278507A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310174323.8
申请日：2013-05-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种测量半导体材料弹光系数的装置及方法，该装置沿光路依次包括光源、斩波器、起偏器、相位调制器、检偏器、光谱仪、光电探测器、信号采集系统和计算机控制系统，光源发出的光经过斩波器后变成强度周期性调制的光、经过起偏器后变成线偏振光，线偏振光经过相位调制器后照在样品上，确保近垂直入射，反射光经过检偏器后经过光谱仪最后被光电探测器接收，通过信号采集系统利用计算机控制系统进行控制和数据采集。本发明采用反射差分光谱，对样品施加连续可调的单轴应变；根据半导体材料平面内两个互相垂直的晶向反射系数的差异，从而得到折射率和吸收系数差异；利用晶体弹光系数矩阵和施加的单轴应变，得到弹光系数随光波波长的变化。
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