公开(公告)号：CN1834623A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200510055896.4

申请日：2005-03-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈涌海 ,  赵玲慧 ,  曾一平 ,  李成基

IPC: G01N21/21 ,  G01N13/00

Abstract: 一种半导体材料内部残余应力的测试装置，包括：一信号采集系统，该信号采集系统用于对采集的信号进行处理，得到样品的应力分布情况；一光学检偏棱镜，该光学检偏棱镜与信号采集系统连接；一光学起偏棱镜，该光学起偏棱镜置于光学检偏棱镜之前；一光弹性调制器，该光弹性调制器置于光学检偏棱镜和光学起偏棱镜之间；一激光光源，该激光光源提供光学系统的信号源。

公开(公告)号：CN100468044C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200510055896.4

申请日：2005-03-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈涌海 ,  赵玲慧 ,  曾一平 ,  李成基

IPC: G01N21/21 ,  G01N13/00

Abstract: 一种半导体材料内部残余应力的测试装置，包括：一信号采集系统，该信号采集系统用于对采集的信号进行处理，得到样品的应力分布情况；一光学检偏棱镜，该光学检偏棱镜与信号采集系统连接；一光学起偏棱镜，该光学起偏棱镜置于光学检偏棱镜之前；一光弹性调制器，该光弹性调制器置于光学检偏棱镜和光学起偏棱镜之间；一激光光源，该激光光源提供光学系统的信号源。

公开(公告)号：CN103151440A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310095993.0

申请日：2013-03-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 赵玲慧 ,  马平 ,  甄爱功 ,  王军喜 ,  曾一平 ,  李晋闽

IPC: H01L33/44

Abstract: 一种折射率渐变的光子晶体发光二极管结构，其包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底的上面；一缓冲层，该缓冲层制作在成核层的上面；一n型接触层，该n型接触层制作在缓冲层的上面，该n型接触层的一侧形成有一台面；一活性发光层，该活性发光层制作在n型接触层台面另一侧的上面；一p型电子阻挡层，该p型电子阻挡层制作在活性发光层的上面；一p型接触层，该p型接触层制作在p型电子阻挡层的上面；一折射率渐变阵列式光子晶体，该折射率渐变阵列式光子晶体制作在p型接触层上；一负电极，该负电极制作在n型接触层一侧的台面的上面；一正电极，该正电极制作在折射率渐变阵列式光子晶体的上面。