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公开(公告)号：CN111986972A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010384849.9
申请日：2020-05-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。例示的实施方式的等离子体处理装置包括腔室、壁部件、隔热部件和接地部件。壁部件部分地配置在腔室的内部空间中，且露出于腔室的外侧的空间。隔热部件设置在壁部件上。接地部件由硅形成。接地部件设置在内部空间中。接地部件搭载在隔热部件上。壁部件在与接地部件非接触的状态下隔着隔热部件支承接地部件。接地部件与隔热部件的球状面接触，且搭载在该球状面上。根据本发明，能够抑制腔室的内部空间中所设置的硅制的接地部件的损伤。
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公开(公告)号：CN111146066A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911070993.9
申请日：2019-11-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种对边环与静电卡盘的相向的侧壁的间隙进行管理的载置台、边环的定位方法和基板处理装置。载置台具有：边环，其配置于基板的周围，在该边环的下部具有第一凹部；静电卡盘，其具有载置所述基板的第一载置面和载置所述边环的第二载置面，在所述静电卡盘中与所述第二载置面相向地埋入有电极；环状构件，其配置于所述静电卡盘的周围，具有第二凹部；以及具有伸缩性的构件，其配置在由所述第一凹部、所述静电卡盘以及所述第二凹部围成的空间中。
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公开(公告)号：CN111095500A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201980004527.2
申请日：2019-06-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46
Abstract: 提供一种载置台，该载置台具有：板状构件，其具有载置被处理体的载置面和与所述载置面相对的背面，形成有贯通所述载置面和所述背面的通孔；和埋入构件，其配置到所述通孔的内部，在所述埋入构件的表面设置有凹部和凸部中的至少任一者。
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公开(公告)号：CN110197787A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910122590.8
申请日：2019-02-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/673
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和载置台的制造方法。所提供的等离子体处理装置具备：载置台，其具有板状构件和基台，所述板状构件具有用于载置被处理体的载置面以及与所述载置面相对的背面，并且在所述板状构件中形成有贯通所述载置面和所述背面的第一通孔，所述基台具有用于支承所述板状构件的支承面，并且在所述基台形成有与所述第一通孔连通的第二通孔；以及埋入构件，其配置在所述第一通孔和所述第二通孔的内部，其中，所述埋入构件具有配置于所述第一通孔的第一埋入构件和配置于所述第二通孔的第二埋入构件，所述第一埋入构件和所述第二埋入构件不相互固定，所述第一埋入构件在下侧具有宽度比上端部的宽度宽的部分。
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公开(公告)号：CN108987233A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810558220.4
申请日：2018-06-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、静电吸附方法和静电吸附程序，能够抑制聚焦环的吸附力的降低。在静电吸盘(25)的外周部(25b)载置聚焦环(30)，在内部以与聚焦环(30)相对地设置有电极板(29)。直流电源(28)在等离子体处理的期间中，对电极板(29)周期性地施加不同极性的电压，或者阶段性地施加绝对值大的电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102822948B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201180015563.2
申请日：2011-03-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 佐佐木康晴
IPC: H01L21/3065 , H05B3/10 , H05B3/20
CPC classification number: H01L21/67103 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32724
Abstract: 本发明提供一种区域温度控制结构体。该区域温度控制结构体为具有被控制为不同的温度的两个以上的区域的结构体，其抑制沿着各区域的排列方向的导热来保持温度差，并且对于来自与各区域的排列方向交叉的方向的输入热确保顺畅地传导热来抑制产生热点。该区域温度控制结构体具有表面温度被控制为各自不同的温度的两个以上的区域和配置在上述两个区域彼此之间的各向异性导热材料层。该各向异性导热材料层沿着两个以上的区域的排列方向的热导率小于与两个以上的区域的排列方向交叉的方向上的热导率。
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公开(公告)号：CN102741996B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201080056197.0
申请日：2010-12-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 住友大阪水泥股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/6831 , H01J37/32642 , H01J2237/332 , H01J2237/338 , H01L21/67069 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/67248
Abstract: 本发明提供一种静电卡盘装置，其由以下部件构成：静电卡盘部；环状的聚焦环部，设置成包围该静电卡盘部；和冷却基部，冷却该静电卡盘部和聚焦环部。聚焦环部包括环状的聚焦环、环状的导热片、环状的陶瓷环、非磁性体的加热器以及向该加热器供电的电极部。
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公开(公告)号：CN101783310B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201010003196.1
申请日：2010-01-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/67132 , Y10T29/49746 , Y10T428/219 , Y10T428/24777 , Y10T428/24843 , Y10T428/249982 , Y10T428/249985
Abstract: 本发明提供一种静电卡盘装置的修补方法、该修补方法所使用的修补装置和适用于它们的静电卡盘装置，该静电卡盘的修补方法在静电卡盘装置的粘合剂层的侧面被侵蚀时，能够均匀地修补该侵蚀部分。一种静电卡盘装置的修补方法，其为在金属底座上至少具有粘合剂层和吸附层的静电卡盘装置的修补方法，其特征在于，在被侵蚀的粘合剂层的侧面，卷绕线状的粘合剂后，进行热压处理。本发明还提供一种修补装置(10)，其在该修补方法中使用，具有使静电卡盘装置(20)旋转的旋转台(11)、向粘合剂层(22)供给粘合剂(14)的转轴(12)、和在转轴(12)与粘合剂层(22)之间用于确定粘合剂(14)的位置的定位单元(13)。
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公开(公告)号：CN101041231B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200710089147.2
申请日：2007-03-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: B24B21/04 , B24B7/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种通过使静电卡盘的表面平滑从而能够提高其与基板的传热效率的表面处理方法。基板处理装置(10)具有收容晶片(W)的腔室(11)，该腔室(11)内配置有作为载置晶片(W)的载置台的基座(12)，该基座(12)的上部配置有静电卡盘(42a)。在静电卡盘(42a)中，首先，在其表面上形成喷镀膜(1)，接着，通过与固定有磨粒的圆盘状的砂轮(2)接触，对表面进行磨削，然后，通过与表面上喷涂有将磨粒和润滑剂混合而形成的悬浊液的研磨平板(3)接触，将表面磨削至平坦，通过对具有涂敷固着有磨粒(9)的带(5)和由弹性体构成的辊(6)的带研磨装置(4)施加压力，与带研磨装置(4)的带(5)接触，将表面磨削至平滑。
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公开(公告)号：CN101504928B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200910005160.4
申请日：2009-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 佐佐木康晴
IPC: H01L21/687 , H01L21/00 , G05D23/00 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/6831
Abstract: 本发明涉及基板载置台、基板处理装置和被处理基板的温度控制方法。在具有静电卡盘的基板载置台中，由于向静电卡盘电极供电的供电线的周围由绝缘材料包围，因而产生传热不良的部分。由此，提供一种补偿该部分的传热，使基板整体温度均匀的手段。在供电线周围的基板载置台表面形成有环状凸部，将基板与载置台之间的间隙的空间划分为内侧区域和外侧区域，在各区域配置冷却气体的供给管和排出管，独立地控制各区域冷却气体的压力。
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