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公开(公告)号：CN111095500B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201980004527.2
申请日：2019-06-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46
Abstract: 提供一种载置台，该载置台具有：板状构件，其具有载置被处理体的载置面和与所述载置面相对的背面，形成有贯通所述载置面和所述背面的通孔；和埋入构件，其配置到所述通孔的内部，在所述埋入构件的表面设置有凹部和凸部中的至少任一者。
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公开(公告)号：CN108155094A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711270773.1
申请日：2017-12-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/6833 , H01L21/67069 , H01L21/6831 , H01L21/68742 , H01L21/68757
Abstract: 本发明提供一种抑制由贯通孔引起的异常放电的发生的等离子体处理装置。等离子体处理装置具有静电卡盘(6)和升降销(61)。静电卡盘(6)具有载置晶圆(W)的载置面(21)和与载置面(21)相对的背面(22)，在该静电卡盘(6)形成有贯通载置面(21)和背面(22)的销用贯通孔(200)。升降销(61)的至少一部分由绝缘性构件形成，该升降销(61)的前端收纳于销用贯通孔(200)，该升降销(61)通过相对于载置面(21)沿上下方向移动来沿上下方向搬送晶圆(W)。升降销(61)在与销用贯通孔(200)对应的前端部分具有导电膜(61c)。
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公开(公告)号：CN110197787B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN201910122590.8
申请日：2019-02-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/673
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和载置台的制造方法。所提供的等离子体处理装置具备：载置台，其具有板状构件和基台，所述板状构件具有用于载置被处理体的载置面以及与所述载置面相对的背面，并且在所述板状构件中形成有贯通所述载置面和所述背面的第一通孔，所述基台具有用于支承所述板状构件的支承面，并且在所述基台形成有与所述第一通孔连通的第二通孔；以及埋入构件，其配置在所述第一通孔和所述第二通孔的内部，其中，所述埋入构件具有配置于所述第一通孔的第一埋入构件和配置于所述第二通孔的第二埋入构件，所述第一埋入构件和所述第二埋入构件不相互固定，所述第一埋入构件在下侧具有宽度比上端部的宽度宽的部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108155094B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN201711270773.1
申请日：2017-12-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种抑制由贯通孔引起的异常放电的发生的等离子体处理装置。等离子体处理装置具有静电卡盘(6)和升降销(61)。静电卡盘(6)具有载置晶圆(W)的载置面(21)和与载置面(21)相对的背面(22)，在该静电卡盘(6)形成有贯通载置面(21)和背面(22)的销用贯通孔(200)。升降销(61)的至少一部分由绝缘性构件形成，该升降销(61)的前端收纳于销用贯通孔(200)，该升降销(61)通过相对于载置面(21)沿上下方向移动来沿上下方向搬送晶圆(W)。升降销(61)在与销用贯通孔(200)对应的前端部分具有导电膜(61c)。
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公开(公告)号：CN113496925A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110372663.6
申请日：2021-04-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种边缘环,其能够降低导热气体的泄露。该边缘环配置于基板的周缘,其以如下方式形成:以将上述边缘环的中心轴线上的一点设定为中心点的、上述边缘环的内径以上外径以下的直径的假想圆为基准,自上述假想圆上的多个点至上述边缘环的下表面的垂直方向的高度的最大值与最小值的差值的绝对值为预定的的上限值以下。
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公开(公告)号：CN114512391A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210089374.X
申请日：2017-12-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，能够抑制由贯通孔引起的异常放电的发生。等离子体处理装置具有：静电卡盘，其具有载置被处理体的载置面和与所述载置面相对的背面，在该静电卡盘形成有贯通所述载置面和所述背面的第一通孔；以及基台，其具有支承所述静电卡盘的支承面，在该基台形成有与所述第一通孔连通的第二通孔，在该第一通孔和第二通孔内具有嵌入构件，其中，所述嵌入构件的与所述静电卡盘的所述第一通孔和所述基台的所述第二通孔的连通部分对应的部分至少由弹性构件形成。
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公开(公告)号：CN111095500A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201980004527.2
申请日：2019-06-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46
Abstract: 提供一种载置台，该载置台具有：板状构件，其具有载置被处理体的载置面和与所述载置面相对的背面，形成有贯通所述载置面和所述背面的通孔；和埋入构件，其配置到所述通孔的内部，在所述埋入构件的表面设置有凹部和凸部中的至少任一者。
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公开(公告)号：CN110197787A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910122590.8
申请日：2019-02-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/673
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和载置台的制造方法。所提供的等离子体处理装置具备：载置台，其具有板状构件和基台，所述板状构件具有用于载置被处理体的载置面以及与所述载置面相对的背面，并且在所述板状构件中形成有贯通所述载置面和所述背面的第一通孔，所述基台具有用于支承所述板状构件的支承面，并且在所述基台形成有与所述第一通孔连通的第二通孔；以及埋入构件，其配置在所述第一通孔和所述第二通孔的内部，其中，所述埋入构件具有配置于所述第一通孔的第一埋入构件和配置于所述第二通孔的第二埋入构件，所述第一埋入构件和所述第二埋入构件不相互固定，所述第一埋入构件在下侧具有宽度比上端部的宽度宽的部分。
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