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公开(公告)号：CN101246836B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810074117.9
申请日：2008-02-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , C23F4/00 , C23C16/458 , C23C14/50 , C30B25/12
CPC classification number: H01L21/68757 , C23C16/4581 , H01J37/20 , H01L21/67366 , H01L21/6875
Abstract: 本发明公开了一种防止基板的吸附不良以便提高基板处理设备的开工率的基板载置台。该基板载置台布置在基板处理设备中并具有在其上载置基板的基板载置表面。基板载置表面的算术平均粗糙度(Ra)不小于第一预定值，并且基板载置表面的初期磨损高度(Rpk)不大于第二预定值。
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公开(公告)号：CN102376530B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201110239893.1
申请日：2011-08-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: 本发明提供基板处理装置和温度调节方法。基板处理装置包括设置空间较少、能够简化装置结构的温度调节部件。其包括：对基板实施等离子体处理的腔室(11)、在腔室内用于载置基板的基座(12)、以隔着处理空间(S)与基座相对的方式设置的喷淋头(14)、对处理空间施加高频电而使等离子体产生的高频电源(15)、在作为温度调节面的基座的表面(12a)的背面(12b)上形成水的润湿面的喷水装置(16)、将水的润湿面从周围的气氛隔离的蒸发室(17)、对蒸发室内的压力进行调整的压力调整装置(18、19)，其中，利用压力调整装置对蒸发室内的压力进行调整而使形成润湿面的水蒸发，利用水的蒸发潜热对基座的表面的温度进行控制。
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公开(公告)号：CN102376530A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110239893.1
申请日：2011-08-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: 本发明提供基板处理装置和温度调节方法。基板处理装置包括设置空间较少、能够简化装置结构的温度调节部件。其包括：对基板实施等离子体处理的腔室(11)、在腔室内用于载置基板的基座(12)、以隔着处理空间(S)与基座相对的方式设置的喷淋头(14)、对处理空间施加高频电而使等离子体产生的高频电源(15)、在作为温度调节面的基座的表面(12a)的背面(12b)上形成水的润湿面的喷水装置(16)、将水的润湿面从周围的气氛隔离的蒸发室(17)、对蒸发室内的压力进行调整的压力调整装置(18、19)，其中，利用压力调整装置对蒸发室内的压力进行调整而使形成润湿面的水蒸发，利用水的蒸发潜热对基座的表面的温度进行控制。
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公开(公告)号：CN101041231A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710089147.2
申请日：2007-03-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: B24B21/04 , B24B7/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种通过使静电卡盘的表面平滑从而能够提高其与基板的传热效率的表面处理方法。基板处理装置(10)具有收容晶片(W)的腔室(11)，该腔室(11)内配置有作为载置晶片(W)的载置台的基座(12)，该基座(12)的上部配置有静电卡盘(42a)。在静电卡盘(42a)中，首先，在其表面上形成喷镀膜(1)，接着，通过与固定有磨粒的圆盘状的砂轮(2)接触，对表面进行磨削，然后，通过与表面上喷涂有将磨粒和润滑剂混合而形成的悬浊液的研磨平板(3)接触，将表面磨削至平坦，通过对具有涂敷固着有磨粒(9)的带(5)和由弹性体构成的辊(6)的带研磨装置(4)施加压力，与带研磨装置(4)的带(5)接触，将表面磨削至平滑。
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公开(公告)号：CN104821268B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410747792.9
申请日：2011-12-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32165 , H01J37/32724 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/6831
Abstract: 本发明提供基板处理装置及基板处理方法。该基板处理装置通过相对于基板的温度独立地控制聚焦环的温度来控制基板的面内处理特性。该基板处理装置包括：载置台(110)，其包括基座板载置面(115)和用于载置聚焦环的聚焦环载置面(116)；静电吸盘(120)，其将晶圆背面静电吸附在基板载置面上，并将聚焦环背面静电吸附在聚焦环载置面上；导热气体供给机构(200)；导热气体供给机构独立地设有用于向基板背面供给第1导热气体的第1导热气体供给部(210)和用于向聚焦环背面供给第2导热气体的第2导热气体供给部(220)。(114)，该基座(114)具有用于载置晶圆(W)的基
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公开(公告)号：CN104821268A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201410747792.9
申请日：2011-12-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32165 , H01J37/32724 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/6831
Abstract: 本发明提供基板处理装置及基板处理方法。该基板处理装置通过相对于基板的温度独立地控制聚焦环的温度来控制基板的面内处理特性。该基板处理装置包括：载置台(110)，其包括基座(114)，该基座(114)具有用于载置晶圆(W)的基板载置面(115)和用于载置聚焦环的聚焦环载置面(116)；静电吸盘(120)，其将晶圆背面静电吸附在基板载置面上，并将聚焦环背面静电吸附在聚焦环载置面上；导热气体供给机构(200)；导热气体供给机构独立地设有用于向基板背面供给第1导热气体的第1导热气体供给部(210)和用于向聚焦环背面供给第2导热气体的第2导热气体供给部(220)。
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公开(公告)号：CN102569130B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201110445614.7
申请日：2011-12-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32165 , H01J37/32724 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/6831
Abstract: 本发明提供基板处理装置及基板处理方法。该基板处理装置通过相对于基板的温度独立地控制聚焦环的温度来控制基板的面内处理特性。该基板处理装置包括：载置台(110)，其包括基座(114)，该基座(114)具有用于载置晶圆(W)的基板载置面(115)和用于载置聚焦环的聚焦环载置面(116)；静电吸盘(120)，其将晶圆背面静电吸附在基板载置面上，并将聚焦环背面静电吸附在聚焦环载置面上；导热气体供给机构(200)；导热气体供给机构独立地设有用于向基板背面供给第1导热气体的第1导热气体供给部(210)和用于向聚焦环背面供给第2导热气体的第2导热气体供给部(220)。
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公开(公告)号：CN101276775B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200810086917.2
申请日：2008-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , C23C16/458 , C23C14/50 , C23F4/00 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/67103 , H01L21/6875
Abstract: 一种载置台的表面处理方法，使安装表面能够与将形成的基片相符合，节省了时间和精力。将基片安装在载置台的安装表面上，该载置台位于基片处理设备的容纳室里，在该容纳室中对基片进行等离子体处理。所安装的基片受热膨胀。
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公开(公告)号：CN102468106B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201110353550.8
申请日：2011-11-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32642 , H01J37/32697 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01L21/6831
Abstract: 本发明提供一种通过抑制被处理基板的周缘部的温度上升，能够提高等离子体处理的面内均匀性，能够进行均匀的等离子体处理的等离子体处理装置。该等离子体处理装置具有：处理腔室，能够将该处理腔室的内部气密地闭塞；处理气体供给机构，用于向处理腔室内供给处理气体；排气机构，用于从处理腔室内排气；等离子体生成机构，用于生成处理气体的等离子体；载置台，设于处理腔室内，且构成为将被处理基板和以围绕该被处理基板的周围的方式配置的聚焦环载置在同一平面上；调温机构，用于调节载置台的温度；静电吸盘，配置于载置台的上表面且具有延伸至聚焦环的下部的吸附用电极。
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公开(公告)号：CN102569130A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110445614.7
申请日：2011-12-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32165 , H01J37/32724 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/6831
Abstract: 本发明提供基板处理装置及基板处理方法。该基板处理装置通过相对于基板的温度独立地控制聚焦环的温度来控制基板的面内处理特性。该基板处理装置包括：载置台(110)，其包括基座(114)，该基座(114)具有用于载置晶圆(W)的基板载置面(115)和用于载置聚焦环的聚焦环载置面(116)；静电吸盘(120)，其将晶圆背面静电吸附在基板载置面上，并将聚焦环背面静电吸附在聚焦环载置面上；导热气体供给机构(200)；导热气体供给机构独立地设有用于向基板背面供给第1导热气体的第1导热气体供给部(210)和用于向聚焦环背面供给第2导热气体的第2导热气体供给部(220)。
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