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公开(公告)号：CN108183106B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN201711293693.8
申请日：2017-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括衬底、外围结构、下绝缘层和堆叠。衬底包括外围电路区域和单元阵列区域。外围结构在外围电路区域上。下绝缘层覆盖外围电路区域和单元阵列区域，并且具有从平坦部分凸出的凸出部分。堆叠在下绝缘层和单元阵列区域上，并且包括交替地且重复地堆叠的上导电图案和绝缘图案。
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公开(公告)号：CN116896889A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310304788.4
申请日：2023-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体装置和数据存储系统。半导体装置包括：源极结构；第一堆叠结构和第二堆叠结构，其包括堆叠在源极结构上以彼此间隔开的第一栅电极；伪结构，其在第一堆叠结构和第二堆叠结构之间在源极结构上，并且包括堆叠为彼此间隔开的第二栅电极；第一分离区，其穿过第一堆叠结构和第二堆叠结构，并且彼此间隔开；第二分离区，其在第一堆叠结构和第二堆叠结构中的每一个与伪结构之间延伸；沟道结构，其穿过第一堆叠结构和第二堆叠结构，并且分别包括沟道层，通过沟道层连接到源极结构；以及第一源极接触结构，其穿过伪结构，并且分别包括第一接触层，第一接触层通过第一接触层的下表面连接到源极结构。
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公开(公告)号：CN116801628A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310240137.3
申请日：2023-03-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括第一半导体结构以及第一半导体结构上的第二半导体结构，该第一半导体结构包括第一衬底。第二半导体结构包括堆叠在第二衬底上的栅电极、与栅电极交替堆叠的层间绝缘层、穿过第二区域中的栅电极的贯通绝缘区、覆盖栅电极和层间绝缘层的封盖绝缘层、封盖绝缘层上的上绝缘层、穿过第一区域中的封盖绝缘层和栅电极的沟道结构、穿过上绝缘层的上接触插塞、上绝缘层上的位线、穿过封盖绝缘层的第一接触插塞、以及包括穿过第二区域中的每个贯通绝缘区的第二接触插塞的导电图案。导电图案包括与第二接触插塞一体的连接部。
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公开(公告)号：CN107871743B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201710864922.0
申请日：2017-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种制造三维半导体器件的方法。该方法包括：提供具有外围电路区和单元阵列区的基板；在基板的外围电路区上形成外围结构；以及在单元阵列区上形成电极结构。电极结构包括下电极、在下电极上的下绝缘平坦化层、以及竖直地且交替地堆叠在下绝缘平坦化层上的上电极和上绝缘层，下绝缘平坦化层可以延伸以覆盖外围电路区上的外围结构。上绝缘平坦化层被形成为覆盖电极结构和外围电路区上的下绝缘平坦化层。
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公开(公告)号：CN112117323A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010565331.5
申请日：2020-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L27/02 , H01L21/8234
Abstract: 提供了一种半导体器件及半导体器件的制造方法。所述半导体器件包括：基底，具有单元区域和外围区域；单元栅极结构，设置在单元区域上；第一杂质区域和第二杂质区域，在单元区域中分别布置在单元栅极结构的第一侧和第二侧上；位线结构，设置在单元栅极结构上并且连接到第一杂质区域；外围栅极结构，设置在外围区域上；外围盖层，设置在外围区域上，覆盖外围栅极结构，并且具有与位线结构的上端在基本上同一水平处的上表面；以及单元接触结构，设置在第二杂质区域上，并且具有导电阻挡件和位于导电阻挡件上的接触材料层，其中，导电阻挡件覆盖位线结构的上端。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103996640B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201410056849.0
申请日：2014-02-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 提供了化学品供给器，用于进行湿处理的装置和方法。所述化学品供给器包括：化学品储存器，所述化学品储存器容纳处于室温的化学品混合物，所述化学品储存器的内部空间与环境隔离；供给线，通过所述供给线将所述化学品混合物从所述化学品储存器供给至处理室；在线加热器，所述在线加热器位于所述供给线上并且将在所述供给线中的所述化学品混合物加热至处理温度；和动力源，所述动力源驱动所述化学品混合物，以使所述化学品混合物向所述处理室移动。
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公开(公告)号：CN108183106A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711293693.8
申请日：2017-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11578
CPC classification number: H01L27/11286 , H01L21/02107 , H01L21/76801 , H01L21/76819 , H01L23/528 , H01L23/535 , H01L23/538 , H01L27/112 , H01L27/11551 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11578 , H01L27/11582
Abstract: 一种半导体器件包括衬底、外围结构、下绝缘层和堆叠。衬底包括外围电路区域和单元阵列区域。外围结构在外围电路区域上。下绝缘层覆盖外围电路区域和单元阵列区域，并且具有从平坦部分凸出的凸出部分。堆叠在下绝缘层和单元阵列区域上，并且包括交替地且重复地堆叠的上导电图案和绝缘图案。
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公开(公告)号：CN102543876B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110375613.X
申请日：2011-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/32139 , H01L21/28088 , H01L21/823842 , H01L29/4966 , H01L29/66545 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种具有金属栅电极的半导体器件的制造方法。所述方法包括制备具有第一区域和第二区域的半导体衬底的工序，以及在半导体衬底上形成绝缘层的工序。绝缘层形成为包含具有分别配置在第一和第二区域内的第一槽和第二槽的层间绝缘层、和至少覆盖第一和第二槽的底面的栅绝缘层。在具有绝缘层的衬底的整个表面上形成层叠金属层，在层叠金属层上形成具有非感光性的平坦化层。平坦化层形成为填充第一和第二槽。使用干法刻蚀工艺来选择性地去除第一区域内的平坦化层，以暴露第一区域内的层叠金属层并形成覆盖第二区域内的层叠金属层的平坦化层图案。
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公开(公告)号：CN104752508A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410768392.6
申请日：2014-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了包括具有多倾角的沟槽壁的半导体器件。半导体器件包括限定沟槽的栅极间隔物，栅极间隔物包括顺序地位于基板上的第一部分和第二部分。第一部分的内表面具有相对于基板的锐角倾角，第二部分的内表面具有相对于基板的直角倾角或钝角倾角。栅极电极填充沟槽的至少一部分。
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公开(公告)号：CN103996640A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410056849.0
申请日：2014-02-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/67075 , H01L21/67017 , H01L21/6708
Abstract: 提供了化学品供给器，用于进行湿处理的装置和方法。所述化学品供给器包括：化学品储存器，所述化学品储存器容纳处于室温的化学品混合物，所述化学品储存器的内部空间与环境隔离；供给线，通过所述供给线将所述化学品混合物从所述化学品储存器供给至处理室；在线加热器，所述在线加热器位于所述供给线上并且将在所述供给线中的所述化学品混合物加热至处理温度；和动力源，所述动力源驱动所述化学品混合物，以使所述化学品混合物向所述处理室移动。
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