-
公开(公告)号：CN107017199A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201611100627.X
申请日：2016-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/7682 , H01L21/76835
Abstract: 本公开提供制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在基板上的第一电介质层中形成凹槽，第一电介质层包括在凹槽之间的第一部分；在每个凹槽中形成第一阻挡层和互连层；使互连层和第一阻挡层凹陷；在凹陷的互连层上形成覆盖图案；通过第一蚀刻工艺蚀刻第一部分的至少一部分；通过第二蚀刻工艺继续蚀刻覆盖图案和第一部分的至少一部分以形成沟槽；在沟槽中以及在凹陷的互连层上共形地形成第二阻挡层；以及在第二阻挡层上形成第二电介质层而不填充沟槽，使得气隙形成在沟槽中。
-
公开(公告)号：CN104752508B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201410768392.6
申请日：2014-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了包括具有多倾角的沟槽壁的半导体器件。半导体器件包括限定沟槽的栅极间隔物，栅极间隔物包括顺序地位于基板上的第一部分和第二部分。第一部分的内表面具有相对于基板的锐角倾角，第二部分的内表面具有相对于基板的直角倾角或钝角倾角。栅极电极填充沟槽的至少一部分。
-
公开(公告)号：CN109037094A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810022556.9
申请日：2018-01-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/67034 , H01L21/02101 , H01L21/67126 , H01L21/6719 , H01L21/68735 , H01L21/67017
Abstract: 一种基板处理装置包括：容器，其提供用于处理基板的处理空间；基板支撑部，其支撑装载在处理空间中的基板；以及屏障，其在容器的侧壁与基板支撑部之间并围绕由基板支撑部支撑的基板的边缘。
-
公开(公告)号：CN107017199B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201611100627.X
申请日：2016-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768
Abstract: 本公开提供制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在基板上的第一电介质层中形成凹槽，第一电介质层包括在凹槽之间的第一部分；在每个凹槽中形成第一阻挡层和互连层；使互连层和第一阻挡层凹陷；在凹陷的互连层上形成覆盖图案；通过第一蚀刻工艺蚀刻第一部分的至少一部分；通过第二蚀刻工艺继续蚀刻覆盖图案和第一部分的至少一部分以形成沟槽；在沟槽中以及在凹陷的互连层上共形地形成第二阻挡层；以及在第二阻挡层上形成第二电介质层而不填充沟槽，使得气隙形成在沟槽中。
-
公开(公告)号：CN109545707A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811088273.0
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 公开了超临界处理腔室和用于处理基板的设备。该处理腔室包括：主体框架，其具有突起和凹室，突起从主体框架的第一表面竖直向上突出，凹室由主体框架的突起和第一表面限定；罩框架；缓冲腔室，缓冲腔室布置在主体框架和罩框架之间；以及连接器。缓冲腔室包括：内部容器，其可拆卸地联接到主体框架，从而在凹室中提供腔室空间；以及内部罩，内部罩可拆卸地联接到罩框架。内部罩与内部容器的第一表面接触，从而封闭腔室空间使其与周围环境隔绝。连接器联接主体框架和罩框架，使缓冲腔室布置在主体框架和罩框架之间，使得封闭的腔室空间转变成在其中执行超临界处理的处理空间。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN102543876B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110375613.X
申请日：2011-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/32139 , H01L21/28088 , H01L21/823842 , H01L29/4966 , H01L29/66545 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种具有金属栅电极的半导体器件的制造方法。所述方法包括制备具有第一区域和第二区域的半导体衬底的工序，以及在半导体衬底上形成绝缘层的工序。绝缘层形成为包含具有分别配置在第一和第二区域内的第一槽和第二槽的层间绝缘层、和至少覆盖第一和第二槽的底面的栅绝缘层。在具有绝缘层的衬底的整个表面上形成层叠金属层，在层叠金属层上形成具有非感光性的平坦化层。平坦化层形成为填充第一和第二槽。使用干法刻蚀工艺来选择性地去除第一区域内的平坦化层，以暴露第一区域内的层叠金属层并形成覆盖第二区域内的层叠金属层的平坦化层图案。
-
公开(公告)号：CN104752508A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410768392.6
申请日：2014-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了包括具有多倾角的沟槽壁的半导体器件。半导体器件包括限定沟槽的栅极间隔物，栅极间隔物包括顺序地位于基板上的第一部分和第二部分。第一部分的内表面具有相对于基板的锐角倾角，第二部分的内表面具有相对于基板的直角倾角或钝角倾角。栅极电极填充沟槽的至少一部分。
-
公开(公告)号：CN102543876A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110375613.X
申请日：2011-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/32139 , H01L21/28088 , H01L21/823842 , H01L29/4966 , H01L29/66545 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种具有金属栅电极的半导体器件的制造方法。所述方法包括制备具有第一区域和第二区域的半导体衬底的工序，以及在半导体衬底上形成绝缘层的工序。绝缘层形成为包含具有分别配置在第一和第二区域内的第一槽和第二槽的层间绝缘层、和至少覆盖第一和第二槽的底面的栅绝缘层。在具有绝缘层的衬底的整个表面上形成层叠金属层，在层叠金属层上形成具有非感光性的平坦化层。平坦化层形成为填充第一和第二槽。使用干法刻蚀工艺来选择性地去除第一区域内的平坦化层，以暴露第一区域内的层叠金属层并形成覆盖第二区域内的层叠金属层的平坦化层图案。
-
公开(公告)号：CN112071770A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010268743.2
申请日：2020-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 提供了基于光辐射的晶圆清洗设备以及包括该晶圆清洗设备的晶圆清洗系统，该晶圆清洗设备能够有效地清洗晶圆上的残留物而不损坏晶圆。该晶圆清洗设备构造为通过光辐射来清洗晶圆上的残留物，并且包括：光辐射单元，其构造为在光辐射期间将光辐射到晶圆上；晶圆处理单元，其构造为为容纳晶圆并控制晶圆的位置，使得在光辐射期间将光辐射到晶圆上；以及冷却单元，其构造为在已经完成光辐射之后冷却晶圆。光辐射单元、晶圆处理单元和冷却单元顺序地布置在竖直结构中，光辐射单元位于晶圆处理单元上方，并且晶圆处理单元位于冷却单元上方。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.023 seconds)
