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公开(公告)号：CN110299321B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN201910071670.5
申请日：2019-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H10D30/01 , H10D30/60
Abstract: 提供了一种具有改进的产品可靠性的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的栅电极；位于所述栅电极的侧壁上的第一间隔物；位于所述第一间隔物的侧壁上的导电接触，所述导电接触突出超过所述栅电极的顶表面；由所述栅电极的顶表面、所述第一间隔物的顶表面和所述导电接触的侧壁限定的沟槽；沿着所述沟槽的至少部分侧壁和所述沟槽的底表面延伸的蚀刻停止层；以及位于所述蚀刻停止层上并且填充所述沟槽的覆盖图案，其中，所述覆盖图案包括氧化硅或介电常数低于氧化硅的介电常数的低k材料。
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公开(公告)号：CN106057872B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201610239698.1
申请日：2016-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种包括具有相对窄的宽度和相对小的间距的栅线的半导体器件以及一种制造该半导体器件的方法，所述半导体器件包括：衬底，其具有鳍式有源区；栅极绝缘层，其覆盖鳍式有源区的上表面和侧部；以及栅线，其延伸并且与鳍式有源区交叉同时覆盖鳍式有源区的上表面和两侧，栅线位于栅极绝缘层上，其中在垂直于栅线的延伸方向的剖面中，栅线的上表面的中心部分具有凹进形状。
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公开(公告)号：CN105990445A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610147006.0
申请日：2016-03-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：栅极间隔件，其在衬底上限定沟槽，并且包括上部和下部；栅极绝缘膜，其沿着沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与栅极间隔件的上部接触；下导电膜，其在栅极绝缘膜上沿着沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与栅极间隔件的上部重叠；以及上导电膜，其位于下导电膜上且位于栅极绝缘膜的最上面的部分上。
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公开(公告)号：CN108538810B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201710888495.X
申请日：2017-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L27/088
Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：绝缘膜，位于基底上；下布线层，贯穿绝缘膜的至少一部分，下布线层包括第一金属；下导电阻挡膜，围绕下布线层的底表面和侧壁，下导电阻挡膜包括与第一金属不同的第二金属；第一金属硅化物盖层，覆盖下布线层的顶表面，第一金属硅化物盖层包括第一金属；第二金属硅化物盖层，接触第一金属硅化物盖层并且设置在下导电阻挡膜上，第二金属硅化物盖层包括第二金属。
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公开(公告)号：CN105990445B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201610147006.0
申请日：2016-03-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：栅极间隔件，其在衬底上限定沟槽，并且包括上部和下部；栅极绝缘膜，其沿着沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与栅极间隔件的上部接触；下导电膜，其在栅极绝缘膜上沿着沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与栅极间隔件的上部重叠；以及上导电膜，其位于下导电膜上且位于栅极绝缘膜的最上面的部分上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108538810A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201710888495.X
申请日：2017-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L27/088
CPC classification number: H01L23/53204 , H01L21/28518 , H01L21/76847 , H01L21/76849 , H01L21/76855 , H01L21/76879 , H01L21/76889 , H01L23/5226 , H01L29/785
Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：绝缘膜，位于基底上；下布线层，贯穿绝缘膜的至少一部分，下布线层包括第一金属；下导电阻挡膜，围绕下布线层的底表面和侧壁，下导电阻挡膜包括与第一金属不同的第二金属；第一金属硅化物盖层，覆盖下布线层的顶表面，第一金属硅化物盖层包括第一金属；第二金属硅化物盖层，接触第一金属硅化物盖层并且设置在下导电阻挡膜上，第二金属硅化物盖层包括第二金属。
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公开(公告)号：CN106206595A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610365474.5
申请日：2016-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/0924 , H01L21/02532 , H01L21/02636 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/76805 , H01L21/76831 , H01L21/76897 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823828 , H01L23/485 , H01L27/0886 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/41783 , H01L29/41791 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/7848 , H01L27/11524
Abstract: 本公开提供了半导体器件及其制造方法。第一导电类型的鳍式场效应晶体管器件可以包括具有第一蚀刻速率的第一材料的第一嵌入的源极/漏极。第一嵌入的源极/漏极可以每个包括具有凹陷部分和相对于凹陷部分的外凸起部分的上表面。第二导电类型的鳍式场效应晶体管器件可以包括具有第二蚀刻速率的第二材料的第二嵌入的源极/漏极，该第二蚀刻速率大于第一蚀刻速率。第二嵌入的源极/漏极可以每个包括处于与第一导电类型的鳍式场效应晶体管器件的外凸起部分不同的水平的上表面。
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公开(公告)号：CN110299321A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910071670.5
申请日：2019-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种具有改进的产品可靠性的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的栅电极；位于所述栅电极的侧壁上的第一间隔物；位于所述第一间隔物的侧壁上的导电接触，所述导电接触突出超过所述栅电极的顶表面；由所述栅电极的顶表面、所述第一间隔物的顶表面和所述导电接触的侧壁限定的沟槽；沿着所述沟槽的至少部分侧壁和所述沟槽的底表面延伸的蚀刻停止层；以及位于所述蚀刻停止层上并且填充所述沟槽的覆盖图案，其中，所述覆盖图案包括氧化硅或介电常数低于氧化硅的介电常数的低k材料。
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公开(公告)号：CN103996640B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201410056849.0
申请日：2014-02-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 提供了化学品供给器，用于进行湿处理的装置和方法。所述化学品供给器包括：化学品储存器，所述化学品储存器容纳处于室温的化学品混合物，所述化学品储存器的内部空间与环境隔离；供给线，通过所述供给线将所述化学品混合物从所述化学品储存器供给至处理室；在线加热器，所述在线加热器位于所述供给线上并且将在所述供给线中的所述化学品混合物加热至处理温度；和动力源，所述动力源驱动所述化学品混合物，以使所述化学品混合物向所述处理室移动。
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公开(公告)号：CN106057872A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610239698.1
申请日：2016-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种包括具有相对窄的宽度和相对小的间距的栅线的半导体器件以及一种制造该半导体器件的方法，所述半导体器件包括：衬底，其具有鳍式有源区；栅极绝缘层，其覆盖鳍式有源区的上表面和侧部；以及栅线，其延伸并且与鳍式有源区交叉同时覆盖鳍式有源区的上表面和两侧，栅线位于栅极绝缘层上，其中在垂直于栅线的延伸方向的剖面中，栅线的上表面的中心部分具有凹进形状。
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