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公开(公告)号：CN101552033A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910134017.5
申请日：2009-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/228 , G11C11/161 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供磁性存储装置及其驱动方法和信息写入读取方法。所述磁性存储装置包括下结构或反铁磁层以及形成在下结构或反铁磁层上的固定层、信息存储层、自由层。在操作磁性存储装置的方法中，在沿第一磁化方向设置自由层的磁化方向之后，从信息存储层读取信息或将信息存储到信息存储层。当第一磁化方向与固定层的磁化方向相对时存储信息，且当第一磁化方向与固定层的磁化方向相同时读取信息。
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公开(公告)号：CN100477229C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200510084791.1
申请日：2005-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/78 , H01L21/8247 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7926 , H01L29/42332 , H01L29/7887 , H01L29/7923
Abstract: 本发明公开一种多位非易失性存储器件、操作该器件的方法以及制造多位非易失性存储器件的方法。形成在半导体衬底上的多位非易失性存储器件的单位单元包括：垂直于半导体衬底的上表面设置的多个沟道；垂直于半导体衬底的上表面在沟道相对侧设置的多个存储节点；围绕沟道及存储节点的上部分和存储节点的侧表面的控制栅极；以及形成在沟道和存储节点之间、沟道和控制栅极之间、以及存储节点和控制栅极之间的绝缘膜。
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公开(公告)号：CN100477226C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200510103902.9
申请日：2005-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/112
CPC classification number: G11C11/5621 , B82Y10/00 , G11C11/5607 , G11C11/5628 , G11C11/5657 , G11C13/025 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L21/28291 , H01L29/0692 , H01L29/4232 , H01L29/7923
Abstract: 公开了一种多位闪速存储器件及其操作方法。该多位闪速存储器件包括：堆叠结构，该堆叠结构包括：设置在衬底上具有台面形状的第一有源层；第二有源层，在第一有源层上形成且具有与第一有源层不同的导电类型；有源层间隔离层，插置在第一有源层与第二有源层之间以便将第一有源层从第二有源层电隔离；公共源极和公共漏极，在堆叠结构的一对相对的侧表面上形成；公共第一栅极和公共第二栅极，在堆叠结构的另外一对相对的侧表面上形成；隧道介质层，插置在第一和第二栅极与第一和第二有源层之间；以及电荷捕集层，插置在隧道介质层与第一和第二栅极之间，存储隧穿隧道介质层的电荷。
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公开(公告)号：CN101325218A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810110124.X
申请日：2008-06-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/12 , H01L27/092 , H01L21/336 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L29/18 , H01L21/823807 , H01L27/11807 , H01L29/16 , H01L29/1606 , H01L29/2003 , H01L29/2203 , H01L29/7606 , H01L29/7781 , H01L29/78681 , H01L29/78684 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管、包括场效应晶体管的逻辑电路及制造方法。所述场效应晶体管可包括：双极性层，包括源区、漏区以及源区和漏区之间的沟道区，其中，源区、漏区以及沟道区以单片结构形成；栅电极，位于沟道区上；绝缘层，隔离栅电极与双极性层，其中，在与第一方向相交的第二方向上，源区和漏区的宽度大于沟道区的宽度，源区和漏区在第一方向上彼此连接。
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公开(公告)号：CN101183705A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710192709.6
申请日：2007-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1625
Abstract: 本发明公开了一种具有固溶体层的电阻式随机存取存储器(RRAM)以及该RRAM的制造方法。RRAM包括：下电极；固溶体层，在下电极上；阻抗层，在固溶体层上；上电极，在阻抗层上。该RRAM的制造方法包括：形成下电极；在下电极上形成固溶体层；在固溶体层上形成阻抗层；在阻抗层上形成上电极，其中，固溶体层由过渡金属固溶体形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1265460C
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN03104476.X
申请日：2003-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/11206 , G11C16/0475 , H01L27/112
Abstract: 本发明公开了一种存储器件及用于驱动此存储器件的方法，该器件具有一晶体管和一用作储存装置的电阻材料。存储器件包括：一形成在半导体衬底上的NPN型晶体管；一电阻材料，其通过一导电插塞与晶体管的源极区相接触，且“0”或“1”的位数据写入到该材料中；以及一导电板，其与电阻材料相接触。因而，由于存储单元的结构简单，所以能提高存储器件的集成度，能简化其制造工艺，且可通过延长刷新周期来降低电流消耗。
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公开(公告)号：CN1527115A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN200310124902.8
申请日：2003-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78603 , G02F1/133305 , G02F1/136227 , G02F2201/50 , H01L23/3192 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L27/1214 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L29/66757 , H01L51/5253 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2251/5338 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01009 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01058 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种在柔性基底上实现的薄膜半导体器件、使用该器件的电子器件、及其制造方法。该薄膜半导体器件包括一柔性基底、一形成在柔性基底上的半导体芯片、以及一密封该半导体芯片的保护盖层。该电子器件包括一柔性基底和形成在柔性基底上的半导体芯片，还包括密封半导体芯片的保护盖层。由于使用了保护盖层，提高了薄膜半导体器件抵抗基底弯曲所产生的应力的耐用性。
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公开(公告)号：CN1467847A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN03104476.X
申请日：2003-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/11206 , G11C16/0475 , H01L27/112
Abstract: 本发明公开了一种存储器件及用于驱动此存储器件的方法，该器件具有一晶体管和一用作储存装置的电阻材料。存储器件包括：一形成在半导体衬底上的NPN型晶体管；一电阻材料，其通过一导电插塞与晶体管的源极区相接触，且“0”或“1”的位数据写入到该材料中；以及一导电板，其与电阻材料相接触。因而，由于存储单元的结构简单，所以能提高存储器件的集成度，能简化其制造工艺，且可通过延长刷新周期来降低电流消耗。
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公开(公告)号：CN102044255B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201010246856.9
申请日：2010-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了一种磁阻器件、包括该磁阻器件的信息存储装置及其操作方法。信息存储装置包括磁轨道和磁畴壁移动单元。磁轨道具有多个磁畴以及在每对相邻磁畴之间的磁畴壁。磁畴壁移动单元构造为移动至少磁畴壁。信息存储装置还包括磁阻器件，该磁阻器件构造为读取记录在磁轨道上的信息。磁阻器件包括钉扎层、自由层以及布置在其间的分隔层。钉扎层具有固定的磁化方向。自由层设置在钉扎层与磁轨道之间，并具有易磁化轴，该易磁化轴不平行于钉扎层的磁化方向。
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公开(公告)号：CN101552033B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN200910134017.5
申请日：2009-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/228 , G11C11/161 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供磁性存储装置及其驱动方法和信息写入读取方法。所述磁性存储装置包括下结构或反铁磁层以及形成在下结构或反铁磁层上的固定层、信息存储层、自由层。在操作磁性存储装置的方法中，在沿第一磁化方向设置自由层的磁化方向之后，从信息存储层读取信息或将信息存储到信息存储层。当第一磁化方向与固定层的磁化方向相对时存储信息，且当第一磁化方向与固定层的磁化方向相同时读取信息。
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