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公开(公告)号：CN116419657A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202211510412.0
申请日：2022-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供磁隧道结器件和包括其的存储设备，所述磁隧道结器件具有相对高的隧穿磁阻(TMR)率。所述磁隧道结器件包括：具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面的钉扎层；与所述钉扎层的第一表面接触地设置的晶种层；设置成面对所述钉扎层的第二表面的自由层；以及设置在所述钉扎层和所述自由层之间的隧道势垒层，其中所述晶种层包括面对所述钉扎层的第一表面的第一晶种层以及在所述第一晶种层和所述钉扎层之间的第二晶种层，所述第一晶种层包括CoFeX且不包括硼(B)，并且X包括选自铌(Nb)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)、锆(Zr)、和铪(Hf)的至少一种元素。所述晶种层可不包括硼，且所述第二晶种层包括非晶钽(Ta)。
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公开(公告)号：CN115968248A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211141697.5
申请日：2022-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了磁性隧道结器件以及包括其的随机计算系统。一种磁性隧道结器件包括被钉扎磁性层、自由磁性层以及在被钉扎磁性层和自由磁性层之间的隧道势垒层。自由磁性层包括第一自由层、与隧道势垒层间隔开而使第一自由层在其间的第二自由层、以及在第一自由层和第二自由层之间的间隔物层。第一自由层和第二自由层通过间隔物层而彼此反铁磁耦合，第一自由层和第二自由层中的每个具有基本上垂直于在自由磁性层和隧道势垒层之间的界面的磁化方向。自由磁性层的热稳定性在0至15的范围内。
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公开(公告)号：CN102569642A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110404641.X
申请日：2011-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/228 , G11C11/161 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供了存储节点、包括该存储节点的磁存储器件及其制造方法。磁存储器件的存储节点包括：下磁性层；隧道阻挡层，形成在下磁性层上；以及自由磁性层，形成在隧道阻挡层上且其中磁化方向通过自旋电流转换。自由磁性层包括平面内磁各向异性材料层或垂直磁各向异性材料层，并且具有围绕形成在自由磁性层下面的至少一个材料层的盖子结构。
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公开(公告)号：CN112599661A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011058111.X
申请日：2020-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁存储器件可以包括垂直磁性结构、面内磁性结构、在垂直磁性结构与面内磁性结构之间的自由磁性图案以及在垂直磁性结构与自由磁性图案之间的隧道势垒图案。垂直磁性结构可以包括具有被钉扎到特定方向的垂直磁化方向的至少一个被钉扎图案，并且自由磁性图案可以具有可切换的垂直磁化方向。面内磁性结构可以包括第一磁性图案和第二磁性图案，并且第一磁性图案和第二磁性图案中的每个可以具有不同的各自的面内磁化方向。
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公开(公告)号：CN101552033B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN200910134017.5
申请日：2009-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/228 , G11C11/161 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供磁性存储装置及其驱动方法和信息写入读取方法。所述磁性存储装置包括下结构或反铁磁层以及形成在下结构或反铁磁层上的固定层、信息存储层、自由层。在操作磁性存储装置的方法中，在沿第一磁化方向设置自由层的磁化方向之后，从信息存储层读取信息或将信息存储到信息存储层。当第一磁化方向与固定层的磁化方向相对时存储信息，且当第一磁化方向与固定层的磁化方向相同时读取信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101625890B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN200910158688.5
申请日：2009-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/1659 , G11C11/1675
Abstract: 本发明提供了一种操作包括磁阻结构和开关结构的磁随机存取存储器装置的方法。根据所述方法，当提供电流以将数据写入到磁阻结构时，可以通过控制开关结构的栅极电压来减小根据电流方向的电流变化。
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公开(公告)号：CN101178929A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710147871.6
申请日：2007-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/15 , G11C19/0808 , G11C19/0841
Abstract: 提供了一种利用磁畴壁移动的数据存储装置及操作该数据存储装置的方法。该数据存储装置包括：第一磁层，用于写数据，并具有在彼此相反的方向磁化的两个磁畴；第二磁层，用于存储数据，并形成于第一磁层的至少一侧。该数据存储装置可还包括：数据记录装置，连接至第一磁层的两端以及第二磁层的与第一磁层不相邻的一端；读磁头，形成为与第二磁层的与第一磁层不相邻的所述一端相距预定距离；电流检测器，连接至读磁头和数据记录装置。
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公开(公告)号：CN119836218A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411252440.6
申请日：2024-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供磁隧道结器件和包括所述磁隧道结器件的存储设备。所述磁隧道结器件包括种子层、在所述种子层上的被钉扎层、面向所述被钉扎层的自由层、以及在所述被钉扎层和自由层之间的隧道势垒层，其中所述种子层包括第一种子层以及在所述第一种子层和所述被钉扎层之间的第二种子层，并且所述第一种子层和所述第二种子层中的一个包括铼(Re)，并且所述第一种子层和所述第二种子层中的另一个包括钌(Ru)。
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公开(公告)号：CN112599661B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202011058111.X
申请日：2020-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁存储器件可以包括垂直磁性结构、面内磁性结构、在垂直磁性结构与面内磁性结构之间的自由磁性图案以及在垂直磁性结构与自由磁性图案之间的隧道势垒图案。垂直磁性结构可以包括具有被钉扎到特定方向的垂直磁化方向的至少一个被钉扎图案，并且自由磁性图案可以具有可切换的垂直磁化方向。面内磁性结构可以包括第一磁性图案和第二磁性图案，并且第一磁性图案和第二磁性图案中的每个可以具有不同的各自的面内磁化方向。
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公开(公告)号：CN111525025A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010004334.1
申请日：2020-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 在一个实施例中，提供了一种磁存储器件。所述磁存储器件包括：自由层结构，所述自由层结构具有可变的磁化方向。所述自由层结构包括：第一自由层，所述第一自由层是第一赫斯勒合金；耦合层，所述耦合层位于所述第一自由层上，所述耦合层包括金属氧化物层；和第二自由层，所述第二自由层位于所述金属氧化物层上，所述第二自由层是第二赫斯勒合金，所述第二赫斯勒合金不同于所述第一赫斯勒合金。所述磁存储器件还可以包括：被钉扎层结构，所述被钉扎层结构具有固定的磁化方向；以及隧道势垒层，所述隧道势垒层位于所述被钉扎层结构与所述自由层结构之间。
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