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公开(公告)号：CN101192648A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710196017.9
申请日：2007-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/165 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明的示例实施例涉及一种电阻随机存取存储器(RRAM)以及制造该RRAM的方法。根据示例实施例的RRAM可以包括：下电极，可以形成在下结构(例如，基底)上；电阻层，可以形成在下电极上，其中，电阻层可以包含过渡金属掺杂物；上电极，可以形成在电阻层上。因此，过渡金属掺杂物可以在电阻层中形成用作电流通路的丝。
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公开(公告)号：CN101192648B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN200710196017.9
申请日：2007-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/165 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明的示例实施例涉及一种电阻随机存取存储器(RRAM)以及制造该RRAM的方法。根据示例实施例的RRAM可以包括：下电极，可以形成在下结构(例如，基底)上；电阻层，可以形成在下电极上，其中，电阻层可以包含过渡金属掺杂物；上电极，可以形成在电阻层上。因此，过渡金属掺杂物可以在电阻层中形成用作电流通路的丝。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101183705A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710192709.6
申请日：2007-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1625
Abstract: 本发明公开了一种具有固溶体层的电阻式随机存取存储器(RRAM)以及该RRAM的制造方法。RRAM包括：下电极；固溶体层，在下电极上；阻抗层，在固溶体层上；上电极，在阻抗层上。该RRAM的制造方法包括：形成下电极；在下电极上形成固溶体层；在固溶体层上形成阻抗层；在阻抗层上形成上电极，其中，固溶体层由过渡金属固溶体形成。
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公开(公告)号：CN101060129A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200610171716.3
申请日：2006-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24 , H01L21/822 , G11C16/02 , G11C16/10
CPC classification number: H01L27/24 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C16/0475 , G11C2013/0073 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/71 , G11C2213/76
Abstract: 一种非易失性存储器件及其操作和制造方法提供了高集成度和高速度，同时允许低工作电流。所述非易失性存储器件包括半导体衬底。在所述半导体衬底的表面上形成电阻层，所述电阻层每者均存储可变电阻状态。在位于所述电阻层之下的所述半导体衬底上形成掩埋电极，并将其分别连接至所述电阻层。在所述半导体衬底的表面上形成沟道区，其使相邻的所述电阻层相互连接，但不连接下部电极。在所述半导体衬底的所述沟道区上形成栅极绝缘层。在所述栅极绝缘层上形成栅电极，其在所述电阻层之上延伸。
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公开(公告)号：CN101183705B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200710192709.6
申请日：2007-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1625
Abstract: 本发明公开了一种具有固溶体层的电阻式随机存取存储器(RRAM)以及该RRAM的制造方法。RRAM包括：下电极；固溶体层，在下电极上；阻抗层，在固溶体层上；上电极，在阻抗层上。该RRAM的制造方法包括：形成下电极；在下电极上形成固溶体层；在固溶体层上形成阻抗层；在阻抗层上形成上电极，其中，固溶体层由过渡金属固溶体形成。
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公开(公告)号：CN101055917A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710001604.8
申请日：2007-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/32
Abstract: 多位存储单元，存储对应于高阻抗状态和低于高阻抗状态的多个其他阻抗状态的信息。通过将相应电流施加到存储元件，多位存储单元内的存储元件的阻抗从高阻抗状态切换到其他多个阻抗状态之一。
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公开(公告)号：CN101055917B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN200710001604.8
申请日：2007-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/32
Abstract: 多位存储单元，存储对应于高阻抗状态和低于高阻抗状态的多个其他阻抗状态的信息。通过将相应电流施加到存储元件，多位存储单元内的存储元件的阻抗从高阻抗状态切换到其他多个阻抗状态之一。
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