公开(公告)号：CN101183705A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200710192709.6

申请日：2007-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李明宰 ,  朴泳洙 ,  郑兰株 ,  徐顺爱 ,  金东徹 ,  安承彦

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明公开了一种具有固溶体层的电阻式随机存取存储器(RRAM)以及该RRAM的制造方法。RRAM包括：下电极；固溶体层，在下电极上；阻抗层，在固溶体层上；上电极，在阻抗层上。该RRAM的制造方法包括：形成下电极；在下电极上形成固溶体层；在固溶体层上形成阻抗层；在阻抗层上形成上电极，其中，固溶体层由过渡金属固溶体形成。

公开(公告)号：CN101183705B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200710192709.6

申请日：2007-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李明宰 ,  朴泳洙 ,  郑兰株 ,  徐顺爱 ,  金东徹 ,  安承彦

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明公开了一种具有固溶体层的电阻式随机存取存储器(RRAM)以及该RRAM的制造方法。RRAM包括：下电极；固溶体层，在下电极上；阻抗层，在固溶体层上；上电极，在阻抗层上。该RRAM的制造方法包括：形成下电极；在下电极上形成固溶体层；在固溶体层上形成阻抗层；在阻抗层上形成上电极，其中，固溶体层由过渡金属固溶体形成。