公开(公告)号：CN101552033B

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN200910134017.5

申请日：2009-04-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黃仁俊 ,  徐顺爱 ,  金起园 ,  金洸奭

IPC: G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01L27/22 ,  H01F10/00 ,  H01F10/32 ,  H01F10/10

CPC classification number: H01L27/228 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供磁性存储装置及其驱动方法和信息写入读取方法。所述磁性存储装置包括下结构或反铁磁层以及形成在下结构或反铁磁层上的固定层、信息存储层、自由层。在操作磁性存储装置的方法中，在沿第一磁化方向设置自由层的磁化方向之后，从信息存储层读取信息或将信息存储到信息存储层。当第一磁化方向与固定层的磁化方向相对时存储信息，且当第一磁化方向与固定层的磁化方向相同时读取信息。

公开(公告)号：CN101552033A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910134017.5

申请日：2009-04-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黃仁俊 ,  徐顺爱 ,  金起园 ,  金洸奭

IPC: G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01L27/22 ,  H01F10/00 ,  H01F10/32 ,  H01F10/10

CPC classification number: H01L27/228 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供磁性存储装置及其驱动方法和信息写入读取方法。所述磁性存储装置包括下结构或反铁磁层以及形成在下结构或反铁磁层上的固定层、信息存储层、自由层。在操作磁性存储装置的方法中，在沿第一磁化方向设置自由层的磁化方向之后，从信息存储层读取信息或将信息存储到信息存储层。当第一磁化方向与固定层的磁化方向相对时存储信息，且当第一磁化方向与固定层的磁化方向相同时读取信息。