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公开(公告)号：CN1755832A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200510091181.4
申请日：2005-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C11/161
Abstract: 一种磁随机存取存储器件，可以包括半导体衬底、磁隧道结(MTJ)结构、接触栓塞和数字线。更具体，MTJ结构可以在半导体衬底上，以及数字线可以邻近磁隧道结结构。此外，接触栓塞可以在磁隧道结结构和半导体衬底之间提供电连接，接触栓塞设置在磁隧道结结构和半导体衬底之间。也论述了相关的方法。
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公开(公告)号：CN106298776A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610371338.7
申请日：2016-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L21/76229 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L27/0886 , H01L27/0922 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/66795 , H01L29/6681 , H01L29/7848 , H01L29/7854 , H01L29/7855
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：鳍式图案，其包括彼此相对的第一短边和第二短边；第一沟槽，其与第一短边接触；第二沟槽，其与第二短边接触；第一场绝缘膜，其在第一沟槽中，所述第一场绝缘膜包括从第一短边按次序排列的第一部分和第二部分，并且第一部分的高度与第二部分的高度不同；第二场绝缘膜，其在第二沟槽中；以及第一伪栅极，其位于第一场绝缘膜的第一部分上。
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公开(公告)号：CN104425493A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410058492.X
申请日：2014-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/10 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823412 , H01L21/823425 , H01L21/823431 , H01L21/823481
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其包括具有在第一方向上纵向对准的第一鳍、第二鳍和第三鳍的基板。第一沟槽在第一鳍和第二鳍之间延伸，第二沟槽在第二鳍和第三鳍之间延伸。场绝缘材料的第一部分设置在第一沟槽中，场绝缘材料的第二部分设置在第二沟槽中。场绝缘材料的第二部分的上表面在第二沟槽中在第二鳍和第三鳍的最上表面下面的水平处凹进。第一虚设栅极设置在场绝缘材料的第一部分的上表面上，第二虚设栅极至少部分地延伸到第二沟槽中至场绝缘材料的第二部分的上表面。
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公开(公告)号：CN1591673B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200410056683.9
申请日：2004-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: B82Y25/00 , G11C11/15 , H01F10/3204 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3295 , H01L43/08
Abstract: 本发明公开了一种磁隧道结及包括它的存储器件。该磁隧道结器件包括磁可编程自由磁性层。该自由磁性层包含至少两层铁磁层和夹在该至少两层铁磁层之间的至少一中间层的叠层。
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公开(公告)号：CN110858590B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201910206911.2
申请日：2019-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 提供了一种集成电路(IC)器件，该集成电路(IC)器件包括逻辑单元，该逻辑单元具有由单元边界限定的区域。逻辑单元包括第一器件区域、器件隔离区域和第二器件区域。第一器件区域和第二器件区域布置为在第一方向上彼此间隔开，第一方向垂直于第二方向。器件隔离区域在第一器件区域和第二器件区域之间。第一器件区域在第二方向上的第一最大长度小于单元边界在第二方向上的宽度，并且第二器件区域在第二方向上的第二最大长度基本上等于单元边界在第二方向上的宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105702636B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201510744865.3
申请日：2015-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了湿气阻挡结构和/或保护环、包括其的半导体器件以及制造其的方法。湿气阻挡结构包括设置在基板的密封区域上的有源鳍，该基板包括芯片区域以及围绕芯片区域的周边的密封区域，该有源鳍连续地围绕芯片区域并且在平面图中具有蜿蜒线形状。栅结构覆盖有源鳍并且围绕芯片区域的周边。导电结构设置在栅结构上，该导电结构围绕芯片区域的周边。
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公开(公告)号：CN105914206B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201610098348.8
申请日：2016-02-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823481 , H01L21/8232 , H01L21/823412 , H01L21/823431 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L21/823878 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L27/10879 , H01L29/0649 , H01L29/0843 , H01L29/1033 , H01L29/41791 , H01L29/785
Abstract: 本公开提供了集成电路器件及其制造方法。集成电路器件包括：具有不同导电类型的沟道区的第一和第二鳍型有源区；第一器件隔离层，覆盖第一鳍型有源区的两个侧壁；第二器件隔离层，覆盖第二鳍型有源区的两个侧壁。第一器件隔离层和第二器件隔离层具有不同的堆叠结构。为了制造该集成电路器件，覆盖第一鳍型有源区的两个侧壁的第一器件隔离层和覆盖第二鳍型有源区的两个侧壁的第二器件隔离层在形成第一鳍型有源区和第二鳍型有源区之后形成。第一器件隔离层和第二器件隔离层形成为具有不同的堆叠结构。
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公开(公告)号：CN106024715A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610177408.5
申请日：2016-03-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L27/11 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/8244
Abstract: 本发明提供了一种集成电路器件，其包括形成在衬底中的鳍式有源区、鳍式有源区的至少一个侧壁上的台阶绝缘层和鳍式有源区的所述至少一个侧壁上的第一高水平隔离层。鳍式有源区从衬底突出并且沿着平行于衬底的主表面的第一方向延伸，所述鳍式有源区包括具有第一导电类型的沟道区，并且包括台阶部分。台阶绝缘层接触鳍式有源区的台阶部分。台阶绝缘层位于第一高水平隔离层与鳍式有源区的所述至少一个侧壁之间。第一高水平隔离层沿着与第一方向不同的第二方向延伸。
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公开(公告)号：CN1734662A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510081709.X
申请日：2005-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , B82Y10/00 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供两端具有弯曲的凸出体的磁性隧道结结构、采用该结构的磁性RAM单元及其形成中使用的光掩模。该磁性隧道结结构包括堆叠在集成电路衬底上的被钉扎层图形、隧穿绝缘层图形和自由层图形。至少自由层图形包含主体以及俯视时分别从主体两端凸出的第一和第二弯曲凸出体。
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公开(公告)号：CN107248503B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201710212763.6
申请日：2014-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其包括具有在第一方向上纵向对准的第一鳍、第二鳍和第三鳍的基板。第一沟槽在第一鳍和第二鳍之间延伸，第二沟槽在第二鳍和第三鳍之间延伸。场绝缘材料的第一部分设置在第一沟槽中，场绝缘材料的第二部分设置在第二沟槽中。场绝缘材料的第二部分的上表面在第二沟槽中在第二鳍和第三鳍的最上表面下面的水平处凹进。第一虚设栅极设置在场绝缘材料的第一部分的上表面上，第二虚设栅极至少部分地延伸到第二沟槽中至场绝缘材料的第二部分的上表面。
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