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公开(公告)号：CN101030622B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200610132100.5
申请日：2006-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/1021 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/73
Abstract: 本发明公开了一种非易失存储器件和非易失存储器件阵列，其中所述非易失存储器件包括：下电极；在所述下电极上形成的第一型半导体氧化物层；在所述第一型半导体氧化物层上形成的第二型半导体氧化物层；和在所述第二型半导体氧化物层上形成的上电极。
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公开(公告)号：CN101106171A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200610164041.X
申请日：2006-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/02 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供了一种包括可变电阻材料的非易失存储器，其包括：下电极；中间层，由选自HfO、ZnO、InZnO和ITO中的一种材料形成；可变电阻材料层，形成在中间层上；以及上电极，形成在可变电阻材料层上。可以容易地提供具有根据尺寸的多级双极性开关性质的存储器。
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公开(公告)号：CN101106171B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200610164041.X
申请日：2006-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/02 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供了一种包括可变电阻材料的非易失存储器，其包括：下电极；中间层，由选自HfO、ZnO、InZnO和ITO中的一种材料形成；可变电阻材料层，形成在中间层上；以及上电极，形成在可变电阻材料层上。可以容易地提供具有根据尺寸的多级双极性开关性质的存储器。
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公开(公告)号：CN1925184B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200610125682.4
申请日：2006-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/1633
Abstract: 本发明公开了一种非易失存储器件及其制造方法。包括由电阻转换材料形成的氧化物层的非易失存储器件包括：下电极；在所述下电极上由过渡金属形成的纳米线层；所述氧化物层，包括过渡金属氧化物且形成于所述纳米线层上；以及形成于所述氧化物层上的上电极。根据本发明，通过在氧化物层上使电流路径一致可以稳定复位电流。
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公开(公告)号：CN1913169A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610114928.8
申请日：2006-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1641
Abstract: 本发明提供了一种非易失性半导体存储装置及其制造方法。该非易失性存储装置包括开关装置和连接到该开关装置的存储节点。该存储节点包括下电极、数据存储层和上电极。该数据存储层包括在第一电压下形成电流路径的第一区和环绕该第一区的第二区，其中在高于第一电压的第二电压下在该第二区内形成电流路径。该第一区置成接触该上电极和该下电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1964050B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200610075345.9
申请日：2006-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/115 , H01L21/8239 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种在存储节点中具有改进的结构从而具有稳定的开关特性的非易失性存储器件及其制造方法。该非易失性存储器件包括开关器件和与该开关器件耦接的存储节点。该存储节点包括第一电极、第二电极、数据存储层、以及至少一个接触层。该数据存储层设置在该第一电极与该第二电极之间且包括过渡金属氧化物或者铝氧化物。所述至少一个接触层设置在该数据存储层之上或之下，且包括导电金属氧化物从而改善该数据存储层与该第一电极之间以及该数据存储层与该第二电极之间的界面特性。
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公开(公告)号：CN101325218A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810110124.X
申请日：2008-06-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/12 , H01L27/092 , H01L21/336 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L29/18 , H01L21/823807 , H01L27/11807 , H01L29/16 , H01L29/1606 , H01L29/2003 , H01L29/2203 , H01L29/7606 , H01L29/7781 , H01L29/78681 , H01L29/78684 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管、包括场效应晶体管的逻辑电路及制造方法。所述场效应晶体管可包括：双极性层，包括源区、漏区以及源区和漏区之间的沟道区，其中，源区、漏区以及沟道区以单片结构形成；栅电极，位于沟道区上；绝缘层，隔离栅电极与双极性层，其中，在与第一方向相交的第二方向上，源区和漏区的宽度大于沟道区的宽度，源区和漏区在第一方向上彼此连接。
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公开(公告)号：CN101030622A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200610132100.5
申请日：2006-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/1021 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/73
Abstract: 本发明公开了一种非易失存储器件和非易失存储器件阵列，其中所述非易失存储器件包括：下电极；在所述下电极上形成的第一型半导体氧化物层；在所述第一型半导体氧化物层上形成的第二型半导体氧化物层；和在所述第二型半导体氧化物层上形成的上电极。
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公开(公告)号：CN101325218B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200810110124.X
申请日：2008-06-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/12 , H01L27/092 , H01L21/336 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L29/18 , H01L21/823807 , H01L27/11807 , H01L29/16 , H01L29/1606 , H01L29/2003 , H01L29/2203 , H01L29/7606 , H01L29/7781 , H01L29/78681 , H01L29/78684 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管、包括场效应晶体管的逻辑电路及制造方法。所述场效应晶体管可包括：双极性层，包括源区、漏区以及源区和漏区之间的沟道区，其中，源区、漏区以及沟道区以单片结构形成；栅电极，位于沟道区上；绝缘层，隔离栅电极与双极性层，其中，在与第一方向相交的第二方向上，源区和漏区的宽度大于沟道区的宽度，源区和漏区在第一方向上彼此连接。
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公开(公告)号：CN1964050A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610075345.9
申请日：2006-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/115 , H01L21/8239 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种在存储节点中具有改进的结构从而具有稳定的开关特性的非易失性存储器件及其制造方法。该非易失性存储器件包括开关器件和与该开关器件耦接的存储节点。该存储节点包括第一电极、第二电极、数据存储层、以及至少一个接触层。该数据存储层设置在该第一电极与该第二电极之间且包括过渡金属氧化物或者铝氧化物。所述至少一个接触层设置在该数据存储层之上或之下，且包括导电金属氧化物从而改善该数据存储层与该第一电极之间以及该数据存储层与该第二电极之间的界面特性。
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