公开(公告)号：CN119216710A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411379976.4

申请日：2024-09-30

Applicant: 重庆理工大学 ,  重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 甘贵生 ,  张嘉竣 ,  马勇冲 ,  朱俊雄 ,  窦俊峰 ,  谢道春 ,  李方樑 ,  杨栋华 ,  徐向涛 ,  夏大权

IPC: B23K3/08

Abstract: 一种镀镍层合金软钎焊预涂覆用助焊剂，按重量百分数计组分包括：松香10％～50％，有机酸1.0％‑10％，有机胺2.0％‑4.0％，无机金属盐0.5％‑2％，活性增强剂0.5％‑2.0％，表面活性剂0.5％‑2.0％，缓蚀剂0.5％‑2.0％，添加剂0.1％～2.0％，余下为溶剂；其涂覆方法的步骤包括：将按照原组分材料配置助焊剂水浴恒温，将焊片平铺在聚四氟乙烯塑料板上90℃～100℃预热半分钟，滴加适当恒温预涂覆用助焊剂溶液于焊片上，涂刷均匀后加热烘干，烘干后冷却至室温即得到预涂覆助焊剂成型焊片。本发明解决了现有助焊剂用于预涂覆焊片存在不易涂覆，以及助焊剂涂层相互触压出现黏连、涂覆助焊剂焊片裁切掉粉等问题。本发明的助焊剂焊接时间短、润湿性好、焊后残留易清洗、同时能完成可对镍及镍合金、铝及铝合金等多种金属材料的焊接。

公开(公告)号：CN119050145A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202411166938.0

申请日：2024-08-23

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 ,  重庆大学

Inventor： 徐向涛 ,  俞齐声 ,  陈文锁 ,  张成方 ,  王航 ,  张力

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管，包括包括漏极金属层、锗硅异质结结构、传导区域、体区域、重掺杂接触区域、氧化层(8)、重掺杂栅极多晶硅层、源极金属层；本发明改善了器件的反向回复特性，相较于现有的功率金属氧化物半导体场效应晶体管，本发明的反向恢复时间更小、反向恢复时间更短、反向恢复电荷更低。当晶体管承受反向电压的时候，即金属氧化物半导体场效应晶体管工作在逆向导通状态下时，从源极注入的空穴将流向漏极；然而器件源极侧的异质结结构将会导致能带上的差异变化，使得空穴更容易从漂移区内部进入到锗硅区域中，实现减少漂移区内部空穴浓度的效果，实现改善反向恢复性能。

公开(公告)号：CN118969843A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411031978.4

申请日：2024-07-30

Applicant: 重庆大学 ,  重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 陈文锁 ,  俞齐声 ,  徐向涛 ,  张成方 ,  王航 ,  张力

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请提供一种屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，该半导体场效应晶体管通过辅助栅阳极氧化层、第一导电类型屏蔽栅极多晶硅区域、第一导电类型辅助栅阳极多晶硅区域共同构成辅助栅结构，辅助栅作为反向导通二极管，当器件反向导通的时候，辅助栅由于更低的导通电压而优先导通，且为单极导通二极管，减少了器件内部空穴浓度，因此很大程度上改善了传统的屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管的反向恢复性能。此外，由于源极金属层与第二导电类型体区域形成肖特基接触，减小了原本传统结构中寄生三极管结构的影响，从而改善了器件的工作可靠性。

公开(公告)号：CN118610259A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410754616.1

申请日：2024-06-12

Applicant: 重庆大学 ,  重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 陈文锁 ,  黄嘉伟文 ,  徐向涛 ,  张成方 ,  王航 ,  张力

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

Abstract: 本申请提供一种超低导通电阻鳍型异质结场效应晶体管，包括：第一导电类型衬底；漏极金属层；第一导电类型漂移层；第一导电类型第一导电层；所述第一导电类型第一导电层背离所述第一导电类型漂移层的一侧包括至少一个凸出部；第二导电类型第一半导体层；第二导电类型第二半导体层；栅极金属层；第一导电类型第二导电层；钝化层；以及源极金属层。本申请利用异质结界面电子积累效应，在已采用超结结构基础上，使器件导通电阻进一步降低，功率优值明显提高。

公开(公告)号：CN118281068A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410359897.0

申请日：2024-03-27

Applicant: 重庆大学 ,  重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 陈文锁 ,  沈志刚 ,  徐向涛 ,  张成方 ,  王航 ,  张力

IPC: H01L29/78

Abstract: 本申请提供一种载流子存储增强型横向绝缘栅双极型晶体管，该横向绝缘栅双极型晶体管在横向绝缘栅双极型晶体管正向导通时，通过增加轻掺杂第一导电类型载流子存储区的空穴，使得轻掺杂第一导电类型漂移区的载流子存储效应增强；当横向绝缘栅双极型晶体管关断时，轻掺杂第一导电类型漂移区中的空穴经过轻掺杂第一导电类型载流子存储区抽取至重掺杂第二导电类型发射区。本申请不仅优化了横向绝缘栅双极型晶体管导通压降和关断损耗之间的关系，还增加了横向绝缘栅双极型晶体管的击穿电压。

公开(公告)号：CN118099122A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410299878.3

申请日：2024-03-15

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 陈云乔 ,  张航 ,  敖华阳 ,  成亮

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L25/18 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/48

Abstract: 本申请涉及功率器件技术领域，提供了一种应用于双管正激电源的合封功率器件及其制备方法，功率器件包括：铜框架；两个晶体管，两个晶体管设置于铜框架内；两个二极管，两个二极管与两个晶体管合封于铜框架内。本发明中，在铜框架上将原本独立封装的两个晶体管和两个二极管合封到一个封装中，减小了总的芯片体积，同时缩短了走线，降低了线路的寄生参数，提高了单位体积内原边电路的功率密度。

公开(公告)号：CN118016705A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410329602.5

申请日：2024-03-21

Applicant: 重庆大学 ,  重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 陈文锁 ,  俞齐声 ,  徐向涛 ,  张成方 ,  王航 ,  张力

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请提供一种逆导型绝缘栅双极晶体管，该绝缘栅双极晶体管通过重掺杂第一导电类型逆导区域、重掺杂第二导电类型集电极区域和轻掺杂第二导电类型底部区域形成集电极侧注入结构，当绝缘栅双极晶体管逆向导通时，从发射极注入的空穴不仅直接流到重掺杂第二导电类型集电极区域，且在高电阻的轻掺杂第二导电类型底部区域上大量横向流动，在轻掺杂第二导电类型底部区域产生横向压降，使得重掺杂第一导电类型逆导区域注入的电子随横向流动的空穴而增强，从而实现集电极侧注入的增强效果，降低逆导型绝缘栅双极晶体管的反向导通电压。

公开(公告)号：CN117995907A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410329604.4

申请日：2024-03-21

Applicant: 重庆大学 ,  重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 陈文锁 ,  俞齐声 ,  徐向涛 ,  张成方 ,  王航 ,  张力

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明涉及功率半导体技术领域，特别是涉及一种增强抗单粒子栅穿性能的功率半导体器件，包括漏极金属层以及堆叠在所述漏极金属层上的重掺杂第一导电类型衬底层和轻掺杂第一导电类型漂移区，所述轻掺杂第一导电类型漂移区上设置有第一导电类型传导区域，所述第一导电类型传导区域上设置有逆行第二导电类型阳极区域和第二导电类型栅极体区域，所述第一导电类型传导区域位于所述逆行第二导电类型阳极区域和第二导电类型栅极体区域之间。本发明通过引入厚氧化层结构和第二导电类型阳极区域改善抗单粒子栅穿性能。相比于现有技术，本发明具有低的氧化层峰值电场，改善了抗单粒子栅穿性能。

公开(公告)号：CN117790569A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311738402.7

申请日：2023-12-15

Applicant: 重庆大学 ,  重庆溢哲渝科技有限公司 ,  重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 陈文锁 ,  黄嘉伟文 ,  许豪杰 ,  徐向涛 ,  张澳航 ,  张成方 ,  王航 ,  张力

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请涉及功率半导体电力电子器件技术领域，提供了一种具有栅氧介质层的鳍型异质结场效应晶体管，包括：漏极金属层；衬底层设置于漏极金属层上方；鳍型漂移层设置于衬底层背离漏极金属层的一侧，且鳍型漂移层的凸出部远离衬底层；第一导电层的第一部分设置于鳍型漂移层上，第一导电层的第二部分覆盖凸出部的两个侧壁；屏蔽层设置于第一导电层的第一部分上，并与第一导电层的第二部分接触；栅氧介质层的第一部分设置于屏蔽层上，栅氧介质层的第二部分覆盖第一导电层的第二部分；栅金属层设置于栅氧介质层上；钝化层覆盖栅金属层，且部分与凸出部的两个侧壁接触；第二导电层设置于凸出部的顶部；源极金属层设置于第二导电层上。

公开(公告)号：CN117773346A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202410040897.4

申请日：2024-01-08

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 ,  博世华域转向系统有限公司

Inventor： 夏大权 ,  周平 ,  聂俊彦 ,  文晓东 ,  唐正 ,  唐鑫 ,  周玉凤 ,  杨鹏 ,  徐向涛

IPC: B23K26/36 ,  B23K26/142 ,  B23K26/16 ,  B23K26/70 ,  B23K37/04

Abstract: 本发明属于封装生产技术领域，具体公开了一种双面散热封装散热片外漏装置及方法，其中，一种双面散热封装散热片外漏装置包括机架，机架的上料端设有上料机构，下料端设有下料机构；传送机构，传送机构设置在机架上，传送机构包括线轨，线轨上设有多个工位，机架上设有用于封装减薄的激光减薄机构；固定机构，固定机构设置在机架上且背离线轨，固定机构包括泵机和设置在泵机输出端的定位块，定位块上设有多个与泵机输出端连通的定位孔；控制单元，控制单元设置在机架上，用于控制传送机构和激光减薄机构。本发明采用非接触式的减薄方法，降低了机械应力对芯片的影响，同时降低了设备的使用成本和维护成本，且使用时效更长，有利于企业降本增效。