公开(公告)号：CN118281068A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410359897.0

申请日：2024-03-27

Applicant: 重庆大学 ,  重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 陈文锁 ,  沈志刚 ,  徐向涛 ,  张成方 ,  王航 ,  张力

IPC: H01L29/78

Abstract: 本申请提供一种载流子存储增强型横向绝缘栅双极型晶体管，该横向绝缘栅双极型晶体管在横向绝缘栅双极型晶体管正向导通时，通过增加轻掺杂第一导电类型载流子存储区的空穴，使得轻掺杂第一导电类型漂移区的载流子存储效应增强；当横向绝缘栅双极型晶体管关断时，轻掺杂第一导电类型漂移区中的空穴经过轻掺杂第一导电类型载流子存储区抽取至重掺杂第二导电类型发射区。本申请不仅优化了横向绝缘栅双极型晶体管导通压降和关断损耗之间的关系，还增加了横向绝缘栅双极型晶体管的击穿电压。

公开(公告)号：CN118263303A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410359892.8

申请日：2024-03-27

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 ,  重庆大学

Inventor： 徐向涛 ,  沈志刚 ,  陈文锁 ,  张成方 ,  王航 ,  张力

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423

Abstract: 本申请提供一种双栅场截止型绝缘栅双极型晶体管，该双极型晶体管通过栅极金属层、副栅极金属层、发射极沟槽重掺杂第一导电类型多晶硅层、发射极沟槽绝缘介质层形成正极发射极导电类型沟槽结构、负极发射极导电类型沟槽结构；双极型晶体管正向导通和关断时，通过正极发射极导电类型沟槽结构和负极发射极导电类型沟槽结构处理轻掺杂第二导电类型耗尽区的空穴。本申请提供的双极型晶体管在正向导通时提高轻掺杂导电类型耗尽区的空穴势垒，增强漂移区的空穴，增加对应的载流子存储效应，降低导通压降，在关断时，通过恢复轻掺杂导电耗尽区的空穴，提高了空穴的抽取速度，降低关断产生的损耗。