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公开(公告)号：CN118763113A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411013451.9
申请日：2024-07-26
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
Abstract: 本申请提供一种氧化镓超结鳍型场效应晶体管，将第一P型氧化物和氧化镓漂移层引入到氧化镓超结鳍型场效应晶体管中形成超结结构，在超结区域的顶部和底部分别设置缓冲层，通过第一氧化镓缓冲层将P柱与衬底进行隔离，使得器件不会在超结区域底部提前击穿，在氧化镓漂移层顶部也设置有缓冲层，降低鳍型场效应晶体管在栅氧介质层上的电场强度，防止器件在此处提前击穿。本申请设置的双缓冲层结构降低超结区域与其他区域交界处的电场强度，使得超结漂移区内部的电场先达到临界击穿场强，有效地避免了器件的破坏性击穿，以使氧化镓超结鳍型场效应晶体管具有低导通电阻和高击穿电压的优势。
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公开(公告)号：CN117790568A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311738372.X
申请日：2023-12-15
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆溢哲渝科技有限公司 , 重庆大学
Abstract: 本申请涉及功率半导体电力电子器件技术领域，提供一种具有组合沟道的鳍型场效应晶体管，包括：漏极金属层；衬底层设置于漏极金属层上方；鳍型漂移层设置于衬底层背离漏极金属层一侧，且鳍型漂移层的凸出部远离衬底层；第一导电层的第一部分设置于鳍型漂移层上，第一导电层的第二部分覆盖凸出部的两个侧壁；屏蔽层设置于第一导电层的第一部分远离侧壁一端中；栅氧介质层的第一部分设置于屏蔽层和第一导电层的第一部分上，栅氧介质层的第二部分覆盖第一导电层的第二部分并与侧壁接触；栅金属层覆盖栅氧介质层；钝化层覆盖栅金属层；第二导电层设置于凸出部顶端；源极金属层设置于第二导电层上且通过钝化层与第一导电层、栅氧介质层、栅金属层分隔。
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公开(公告)号：CN117352558A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311407858.5
申请日：2023-10-26
Applicant: 重庆大学 , 重庆溢哲渝科技有限公司 , 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L29/80 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/24 , H01L29/267
Abstract: 本申请提供一种鳍型异质结型场效应晶体管，包括：第一导电类型衬底层；漏电极金属层；第一导电类型漂移层设置于第一导电类型衬底层背离漏电极金属层的一侧，第一导电类型漂移层远离第一导电类型衬底层的一侧平面设置有凸出部以形成鳍型结构；厚氧化物屏蔽层设置于第一导电类型漂移层远离第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型导电层设置于厚氧化物屏蔽层背离第一导电类型漂移层的一侧；栅金属层，其设置于第二导电类型导电层背离第一导电类型漂移层的一侧；钝化层设置于栅金属层背离第二导电类型导电层的一侧；第一导电类型介质层设置于凸出部远离第一导电类型衬底层的一侧；源极金属层设置于第一导电类型介质层背离凸出部的一侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118610259A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410754616.1
申请日：2024-06-12
Applicant: 重庆大学 , 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种超低导通电阻鳍型异质结场效应晶体管，包括：第一导电类型衬底；漏极金属层；第一导电类型漂移层；第一导电类型第一导电层；所述第一导电类型第一导电层背离所述第一导电类型漂移层的一侧包括至少一个凸出部；第二导电类型第一半导体层；第二导电类型第二半导体层；栅极金属层；第一导电类型第二导电层；钝化层；以及源极金属层。本申请利用异质结界面电子积累效应，在已采用超结结构基础上，使器件导通电阻进一步降低，功率优值明显提高。
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公开(公告)号：CN117790569A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311738402.7
申请日：2023-12-15
Applicant: 重庆大学 , 重庆溢哲渝科技有限公司 , 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本申请涉及功率半导体电力电子器件技术领域，提供了一种具有栅氧介质层的鳍型异质结场效应晶体管，包括：漏极金属层；衬底层设置于漏极金属层上方；鳍型漂移层设置于衬底层背离漏极金属层的一侧，且鳍型漂移层的凸出部远离衬底层；第一导电层的第一部分设置于鳍型漂移层上，第一导电层的第二部分覆盖凸出部的两个侧壁；屏蔽层设置于第一导电层的第一部分上，并与第一导电层的第二部分接触；栅氧介质层的第一部分设置于屏蔽层上，栅氧介质层的第二部分覆盖第一导电层的第二部分；栅金属层设置于栅氧介质层上；钝化层覆盖栅金属层，且部分与凸出部的两个侧壁接触；第二导电层设置于凸出部的顶部；源极金属层设置于第二导电层上。
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公开(公告)号：CN118315432B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202410603644.3
申请日：2024-05-15
Applicant: 重庆大学
IPC: H10D30/66 , H01L23/552
Abstract: 本发明公开一种包含异质结二极管的肖特基源极功率金属氧化物半导体场效应晶体管，包括漏极金属层(1)、重掺杂第一导电类型衬底层(2)、轻掺杂第一导电类型漂移区(3)、第一导电类型传导区域(4)、逆行掺杂第二导电类型体区域(5)、重掺杂第二导电类型接触区域(6)、源极金属层(7)、氧化层(8)、重掺杂第一导电类型栅极多晶硅层(9)、栅极金属层(10)、第二导电类型锗硅区域(11)、锗硅区域源极金属层(12)。本发明改善了器件的抗单粒子栅穿性能，相较于现有的传统肖特基源极垂直金属氧化物半导体场效应晶体管(SBMOS)，本发明的氧化层峰值电场更小，具有更好的抗单粒子栅穿性能。
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公开(公告)号：CN118315432A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410603644.3
申请日：2024-05-15
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L29/78 , H01L23/552
Abstract: 本发明公开一种包含异质结二极管的肖特基源极功率金属氧化物半导体场效应晶体管，包括漏极金属层(1)、重掺杂第一导电类型衬底层(2)、轻掺杂第一导电类型漂移区(3)、第一导电类型传导区域(4)、逆行掺杂第二导电类型体区域(5)、重掺杂第二导电类型接触区域(6)、源极金属层(7)、氧化层(8)、重掺杂第一导电类型栅极多晶硅层(9)、栅极金属层(10)、第二导电类型锗硅区域(11)、锗硅区域源极金属层(12)。本发明改善了器件的抗单粒子栅穿性能，相较于现有的传统肖特基源极垂直金属氧化物半导体场效应晶体管(SBMOS)，本发明的氧化层峰值电场更小，具有更好的抗单粒子栅穿性能。
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公开(公告)号：CN119317121A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411164185.X
申请日：2024-08-23
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开一种分裂栅沟槽肖特基接触超势垒整流器的制造方法及其器件结构，方法主要步骤为：在所述多晶硅覆盖层表面覆盖掩膜层；在所述掩膜层中形成通槽；蚀刻掩膜层通槽下方的多晶硅覆盖层及栅介质薄层；进行第二导电类型杂质深注入，使得第二导电类型杂质通过形成的通槽部分注入到轻掺杂第一导电类型漂移区内部，而在覆盖掩膜层部分被阻挡；器件结构包括下电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型漂移层、沟槽栅介质层、多晶硅填充层、栅介质薄层、多晶硅覆盖层、第二导电类型体区和上电极层。本发明在保持肖特基接触超势垒整流器良好正向特性的情况下，使得器件的势垒电容降低，具有更好的反向恢复性能。
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