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公开(公告)号：CN112103253A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010220557.1
申请日：2020-03-25
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/24 , H01L23/498
Abstract: 可以形成一种包括衬底的集成电路封装，所述衬底包括模制材料层和信号路由层，其中，模制材料层包括嵌入在模制材料内的至少一个电桥和至少一个泡沫结构。在一个实施例中，衬底可以包括模制材料层的模制材料，所示模制材料填充泡沫结构内的至少部分泡孔。在另一实施例中，可以将至少两个集成电路器件附接至所述衬底，使得电桥在这至少两个集成电路器件之间提供器件到器件互连。在另一实施例中，可以将该集成电路封装电附接至电子板。
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公开(公告)号：CN111902932A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201980020514.4
申请日：2019-05-07
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/48 , H01L23/14 , H01L23/15 , H01L23/538 , H01L23/34 , H01L21/56 , H01L23/00
Abstract: 本文公开的实施例包括电子封装以及形成这样的封装的方法。在实施例中，微电子器件封装可以包括再分布层(RDL)和RDL之上的内插器。在实施例中，玻璃芯可以形成在RDL之上并且包围内插器。在实施例中，微电子器件封装还可以包括内插器之上的多个管芯。在实施例中，多个管芯与内插器通信耦合。
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公开(公告)号：CN119786448A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411921085.7
申请日：2022-11-21
Applicant: 英特尔公司
Inventor： J·埃克顿 , J·M·甘巴 , B·C·马林 , S·V·皮耶塔姆巴拉姆 , 孙小轩 , O·G·卡尔哈德 , X·F·布龙 , Y·李 , S·纳德 , 单博涵 , 陈昊博 , 段刚
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/538 , H01L23/485
Abstract: 本文公开了微电子组件、相关装置和方法。在一些实施例中，一种微电子组件可以包括：位于第一层中的具有第一表面和相反的第二表面的第一管芯；位于第一层上的重新分布层(RDL)，其中，该RDL包括导电过孔，所述导电过孔具有朝向该RDL的第一表面的较大宽度和朝向该RDL的相反的第二表面的较小宽度；其中，该RDL的第一表面通过具有第一焊料的第一焊料互连电耦合至第一管芯的第二表面；以及位于该RDL上的第二层中的第二管芯，其中，第二管芯通过具有第二焊料的第二焊料互连电耦合至该RDL，其中，第二焊料不同于第一焊料。
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公开(公告)号：CN119725338A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411176255.3
申请日：2024-08-26
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/538 , H01L23/485 , H10B80/00
Abstract: 本文中公开了采用顶部管芯最后方法的包括贯穿硅过孔桥接的高性能微电子组件、相关的装置和方法。在一些实施例中，微电子组件可以包括：第一层，其包括位于第一绝缘材料中的第一管芯；第二层，其位于第一层上，第二层包括位于第二绝缘材料中的第二管芯和第三管芯，第二管芯具有第一厚度，第三管芯具有不同于第一厚度的第二厚度，并且第二管芯和第三管芯具有表面，其中，第二管芯和第三管芯的表面具有介于3000平方毫米(mm2)与9000mm2之间的总共表面积；以及重分布层(RDL)，其位于第一层与第二层之间，RDL包括穿过RDL的导电通路，其中，第一管芯通过穿过RDL的导电通路并且通过互连电耦合到第二管芯和第三管芯。
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公开(公告)号：CN119725234A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411176264.2
申请日：2024-08-26
Applicant: 英特尔公司
Inventor： R·布尔 , M·帕赫 , J·皮普尔斯 , 孔㛃莹 , N·S·黑恩 , A·特里帕蒂 , B·F·安古奥 , Y·科恩布鲁特 , D·罗萨莱斯-约曼斯 , J·斯泰西 , A·A·坎达戴 , Y·Y·李 , T·恩杜库姆 , S·科特尼 , 段刚 , J·琼斯 , S·V·R·皮耶塔姆巴拉姆 , D·塞纳维拉特纳 , M·安德森
Abstract: 本公开内容涉及用于玻璃芯衬底的应力减轻架构。本文公开的实施例包括具有玻璃芯的封装衬底。在实施例中，一种装置包括具有第一宽度的芯，并且芯包括玻璃层。在实施例中，穿过芯的厚度设置过孔，其中，过孔是导电的。在实施例中，在芯上方设置第一层，其中，第一层包括小于第一宽度的第二宽度。在实施例中，在芯下方设置第二层，其中，第二层包括小于第一宽度的第三宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119695023A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411165356.0
申请日：2024-08-23
Applicant: 英特尔公司
Inventor： J·埃克顿 , B·C·马林 , S·V·皮耶塔姆巴拉姆 , 单博涵 , 段刚
IPC: H01L23/498 , H01L23/538
Abstract: 本文公开了微电子组件以及相关的装置和方法。在一些实施例中，一种微电子组件可以包括：具有表面的玻璃层，该玻璃层包括导电贯穿玻璃过孔(TGV)；位于玻璃层的表面处的电介质层，该电介质层包括导电通路；以及位于玻璃层的表面与电介质层之间的互连，其中，个体的互连将个体的TGV电耦合到个体的导电通路。在一些实施例中，互连包括焊料或液态金属墨水。在一些实施例中，互连包括金属‑金属接合以及电介质‑电介质接合。
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公开(公告)号：CN117546285A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202280043230.9
申请日：2022-07-19
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/498
Abstract: 本文公开的实施例包括具有第一级互连的电子封装，该第一级互连包括第一层。在实施例中，电子封装包括封装衬底和封装衬底上的焊盘。在实施例中，焊盘包括铜。在实施例中，第一层在焊盘之上。在实施例中，第一层包括铁。在实施例中，焊料在第一层之上，并且管芯通过焊料耦合到封装衬底。
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公开(公告)号：CN117334660A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311390350.9
申请日：2019-05-07
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/48 , H01L23/14 , H01L23/15 , H01L23/538 , H01L23/34 , H01L21/56
Abstract: 本发明涉及用于异质管芯集成应用的具有EMIB和玻璃芯的混合扇出架构。本文公开的实施例包括电子封装以及形成这样的封装的方法。在实施例中，微电子器件封装可以包括再分布层(RDL)和RDL之上的内插器。在实施例中，玻璃芯可以形成在RDL之上并且包围内插器。在实施例中，微电子器件封装还可以包括内插器之上的多个管芯。在实施例中，多个管芯与内插器通信耦合。
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公开(公告)号：CN115863312A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211012309.3
申请日：2022-08-23
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/538 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明的主题是“产生具有纳米粗糙化互连的集成电路封装的方法、系统、设备和制品”。公开了用来产生纳米粗糙化的集成电路封装的方法、系统、设备和制品。示例集成电路（IC）封装包括衬底、半导体管芯和用来将半导体管芯电耦合到衬底的金属互连，金属互连包括纳米粗糙化的表面。
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公开(公告)号：CN115810621A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202210960768.8
申请日：2022-08-11
Applicant: 英特尔公司
Inventor： J·埃克顿 , 段刚 , S·V·皮耶塔姆巴拉姆 , B·C·马林 , 聂白
IPC: H01L25/07 , H01L23/485 , H01L23/482 , H01L23/48 , H01L23/31 , H01L21/60
Abstract: 提供了一种微电子组件的衬底，衬底包括穿过有机电介质的导电迹线，以及包括硅和氧的涂层。衬底被配置为通过穿过涂层的至少一个或多个导电过孔与部件电和机械耦合，导电过孔电连接到导电迹线，使得在耦合时，涂层在有机电介质和部件之间。在一些实施例中，部件包括另一涂层，另一涂层包括硅和氧，导电过孔穿过第二涂层。衬底的导电过孔和涂层被配置为分别与部件的导电过孔和涂层结合以形成混合接合。
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