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公开(公告)号:CN104241257B
公开(公告)日:2018-04-03
申请号:CN201410247229.5
申请日:2014-06-06
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L25/065
Abstract: 本发明涉及半导体器件,防止具有共同布置在特定区域中的直通硅通孔的半导体芯片的基板破裂。当与第一半导体芯片的长边平行的方向被定义为行方向并且与第一半导体芯片的长边垂直的方向被定义为列方向时,第一硅通孔中的每一个被布置在网格点的任一个上,该网格点被布置成m行和n列(m>n)。此外,如在沿着第一半导体芯片的短边所述的横截面上所观察到的那样,通过耦接被布置在m行和n列中的最外面的网格点而定义的直通硅通孔区域的中心在第一方向上偏离于第一半导体芯片的短边的中心。
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公开(公告)号:CN102468275B
公开(公告)日:2015-01-28
申请号:CN201110360175.X
申请日:2011-11-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L23/31 , H01L23/00 , H01L23/488
CPC classification number: H01L23/58 , H01L23/13 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/552 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/97 , H01L27/224 , H01L2223/54426 , H01L2224/0401 , H01L2224/16225 , H01L2224/291 , H01L2224/29101 , H01L2224/2916 , H01L2224/2919 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/12041 , H01L2924/1435 , H01L2924/15159 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种半导体器件和制造半导体器件的方法。半导体芯片包括磁存储器件并且在第一面上包括电极焊盘。在其中至少暴露电极焊盘的状态下用磁屏蔽层涂覆半导体芯片。半导体芯片通过凸块安装在互连基板上。半导体芯片和互连基板中的至少一个包括凸部,并且凸块被布置在凸部上方。
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公开(公告)号:CN102646628B
公开(公告)日:2014-08-06
申请号:CN201210097778.X
申请日:2007-10-09
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L2223/54486 , H01L2224/04105 , H01L2224/20 , H01L2224/24227 , H01L2224/73267 , H01L2224/76155 , H01L2224/82102 , H01L2224/92 , H01L2224/92244 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0104 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15174 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2224/83 , H01L2224/82
Abstract: 一种用于制造半导体装置的方法,包括:在金属基材的一个表面上形成金属图案;形成覆盖金属图案的树脂层;通过从金属基材的另一表面侧在金属基材中形成开口,使得金属图案被保留来得到金属框架;在半导体芯片的电路形成表面面朝上的情况下,将半导体芯片安装在开口内;形成覆盖金属框架和半导体芯片的绝缘层;形成连接到半导体芯片的上表面的导电部分的通孔导体;形成电连接到通孔导体的互连层;以及去除树脂层,使得金属图案被暴露。
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公开(公告)号:CN102468275A
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN201110360175.X
申请日:2011-11-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L23/31 , H01L23/00 , H01L23/488
CPC classification number: H01L23/58 , H01L23/13 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/552 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/97 , H01L27/224 , H01L2223/54426 , H01L2224/0401 , H01L2224/16225 , H01L2224/291 , H01L2224/29101 , H01L2224/2916 , H01L2224/2919 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/12041 , H01L2924/1435 , H01L2924/15159 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种半导体器件和制造半导体器件的方法。半导体芯片包括磁存储器件并且在第一面上包括电极焊盘。在其中至少暴露电极焊盘的状态下用磁屏蔽层涂覆半导体芯片。半导体芯片通过凸块安装在互连基板上。半导体芯片和互连基板中的至少一个包括凸部,并且凸块被布置在凸部上方。
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公开(公告)号:CN102301279B
公开(公告)日:2013-07-17
申请号:CN201080005946.7
申请日:2010-01-29
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: G03F7/004 , C08F220/54 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0392 , C08F220/30 , C08F220/58 , G03F7/0045
Abstract: 一种感光性绝缘树脂组合物,其特征在于,包含聚合物、感光剂和下述通式(1)所示的酰胺衍生物,下式(1)中,R1为2价的烷基,R2为碳原子数1~10的烃基,R3为氢原子或碳原子数1~4的烷基。
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公开(公告)号:CN101673724A
公开(公告)日:2010-03-17
申请号:CN200810161065.9
申请日:2006-02-07
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/12 , H05K1/02 , H05K1/11
CPC classification number: H05K3/205 , H01L21/6835 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L25/0657 , H01L2221/68345 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06572 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/3511 , H05K1/113 , H05K3/107 , H05K3/4682 , H05K2201/09472 , H05K2201/096 , H05K2203/0384 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 一种互连衬底具有:基底绝缘膜,在其下表面中具有凹陷部;位于凹陷部中的第一互连;形成在基底绝缘膜中的通路孔;以及第二互连,其经由通路孔内的导体连接到第一互连并且形成在基底绝缘膜的上表面上,其中互连衬底包括:由第一互连形成的第一互连图形,其至少包括沿垂直于第一方向的第二方向延伸的线性图形;以及翘曲控制图形,其位于基底绝缘膜的下表面中的凹陷部中,并且以抑制互连衬底在第一方向的两侧向底侧翘曲的方式形成。
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公开(公告)号:CN101533823A
公开(公告)日:2009-09-16
申请号:CN200910127422.4
申请日:2006-10-12
Applicant: 日本电气株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/6835 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2221/68345 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06572 , H01L2225/06586 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H05K3/20 , H05K3/28 , H05K3/4007 , H05K2201/0367 , H05K2201/09881 , H05K2201/0989 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种配线板,包括:上面布置了第一电极的第一表面和上面布置了第二电极的第二表面;至少单一绝缘层和至少单一配线层;以及一个或多个安装的半导体元件,其中布置在第二表面上的第二电极嵌入绝缘层中,第二电极暴露于第二表面侧的面的相反侧表面连接到配线层,并且第二电极的侧面的全部或部分不与绝缘层接触。
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公开(公告)号:CN101512758A
公开(公告)日:2009-08-19
申请号:CN200780032766.6
申请日:2007-09-04
Applicant: 日本电气株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
Abstract: 一种布线板复合体,其由支撑衬底和分别在该支撑衬底的上表面和下表面上形成的布线板构成。所述支撑衬底由支撑体和分别布置在该支撑体的上表面和下表面的每个上的金属体构成。所述布线板至少设置有绝缘层、通过绝缘层绝缘的上和下布线、以及用于连接上和下布线的通路。安装在金属体上的布线板构成设置有金属体的布线板。因此,在金属体上形成布线板的处理中高效地使用用于支撑金属体的支撑体,并提供在制造处理中和在成品结构中具有较少的翘曲和膨胀且能够提高布线板产量的布线板复合体。还提供一种半导体器件和一种用于制造此类布线板复合体和半导体器件的方法。
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公开(公告)号:CN101127347A
公开(公告)日:2008-02-20
申请号:CN200710101059.X
申请日:2007-04-26
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L2221/68345 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/1147 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2225/06572 , H01L2225/06586 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01021 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2924/014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 第一电子电路组件以及第二电子电路组件分别通过第一焊料以及第二焊料电连接到导电部件。导电部件形成在树脂膜中。导电部件被配置为包括第二扩散阻挡金属膜。第二扩散阻挡金属膜防止第二焊料的扩散。在导电部件以及第一焊料之间配置第一扩散阻挡金属膜。第一扩散阻挡金属膜防止第一焊料的扩散。在树脂膜的第一表面上以及在导电部件上,形成粘合金属膜使其与树脂膜以及导电部件相接触。与第一焊料以及第一扩散阻挡金属膜的任何一个相比,粘合金属膜具有与树脂膜的更强的粘合性。
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公开(公告)号:CN1949499A
公开(公告)日:2007-04-18
申请号:CN200610132162.6
申请日:2006-10-12
Applicant: 日本电气株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L25/00 , H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49816 , H01L21/6835 , H01L23/5383 , H01L23/5386 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L2221/68345 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2224/16235 , H01L2224/81801 , H01L2224/97 , H01L2225/06517 , H01L2225/06572 , H01L2225/06586 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01082 , H01L2924/09701 , H01L2924/10329 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15173 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
Abstract: 一种半导体器件包括:平板状的配线板;第一LSI,设置在配线板的一个表面上;密封树脂,用于覆盖第一半导体器件的一个表面和侧面;以及第二LSI,设置在配线板的另一表面上。配线板具有:导体配线,作为配线层;绝缘树脂,作为用于支持配线层的支持层;以及导体通孔,贯通配线层和支持层。在设置于从上垂直俯视时、半导体元件的外围边缘横穿焊接区的内部的所在位置处的焊接区,与焊接区所在的相同平面上形成的配线层之间的连接点,朝向配线板的一侧不均匀地分布因此,可以针对非常微细的配线进行连接,可以非常密集地连接多个半导体元件。
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