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公开(公告)号：CN109406979A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811129534.9
申请日：2018-09-27
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种预估器件可靠性的方法及装置，该方法包括获取待测试器件的测试温度集合，其中测试温度集合包括多个测试温度，根据多个测试温度，对待测试器件增加电压，预估待测试器件的可靠性。该技术方案预先设定待测试器件的测试温度集合，并根据测试温度集合中的多个测试温度，对待测试器件增加电压，预估待测试器件在多个测试温度下的可靠性，提前检测出功率器件中的不良品，以提高可靠性测试的效率。
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公开(公告)号：CN107275396A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710667268.4
申请日：2017-08-07
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种沟槽栅IGBT及其制作方法，在沟槽栅IGBT的第一沟槽栅上设置一接触区，在制作隔离层时仅仅对隔离层对应该第一接触区的部分进行刻蚀挖空，而无需对隔离层对应第一沟槽栅其他区域的部分进行刻蚀挖空处理，保证第一沟槽栅的顶面边缘与沟槽栅衬底结构的表面接触部分质量较高，改善沟槽栅IGBT容易出现漏电的问题，提高其可靠性。此外，本发明提供的沟槽栅IGBT无需增加相邻沟槽栅之间的间距，因而沟槽栅IGBT的沟槽栅的密度可以优化为较大的密度，保证沟槽栅IGBT的饱和电流密度较高。
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公开(公告)号：CN113394114B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202010164755.0
申请日：2020-03-11
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/495 , H10D80/30
Abstract: 本申请涉及智能功率模块技术领域，公开了一种芯片的封装方法、一种芯片及电子器件，封装方法包括：提供已切割的晶圆以制备功率半导体芯片，功率半导体芯片包括栅极、第一发射极和第二发射极；在栅极和第一发射极表面贴附高温胶膜；将功率半导体芯片安装于电子封装基板上；将电子封装基板与导线框架进行组装，实现各部件之间的电连接；在导线框架上安装驱动控制芯片，并实现电连接；去除高温胶膜；实现驱动控制芯片的驱动电极与栅极的连接、以及第一发射极与导线框架的连接；进行塑封、后固化、去胶、电镀以及切筋。本申请公开的封装方法，够防止导线框架与芯片结合过程中产生的污染栅极问题，增强了栅极焊线的可靠性。
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公开(公告)号：CN110828388B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN201810910248.X
申请日：2018-08-10
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L21/48 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造封装方法，包括芯片、引线框架和封装体，引线框架包括芯片座和引脚，还包括导流引线，导流引线分别与芯片和引脚连接、导流引线中段向芯片外凸出，封装体注塑成型包覆于芯片、引线框架外且引脚部分伸出封装体，该封装体上设置有浇注口，浇注口设置于靠近导流引线的一侧。本发明将浇注口设置在靠近导流引线的一侧，使得封装体注塑时能够顺着导流引线的方向流动，有效消除了导流引线下方的气孔及熔接线；将导流引线的中段向芯片外凸出，使导流引线与芯片、导流引线与引线框架之间的间隙扩大，方便封装体顺利填充进去；有效防止芯片脱层、封装体胶体开裂、水汽入侵、离子污染等问题，提高了半导体器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN113140456B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202010060417.2
申请日：2020-01-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/321 , H01L29/739
Abstract: 涉及半导体技术领域，本申请提供一种功率半导体芯片及其制备方法，所述一种功率半导体芯片制备方法，包括：在半导体基材正面形成第一金属层，在所述第一金属层上形成金属连接层，回刻平坦化处理所述金属连接层，在所述金属连接层上形成第二金属层，对得到的所述半导体正面金属做金属合金成型处理，本申请还包括所述功率半导体芯片制备方法制备的半导体芯片。相较于现有技术，本申请的技术方案可改善现有技术中半导体器件或芯片正面金属层凹凸不平导致与引线连接时的正面金属层脱落现象，同时改进传统和结构中半导体器件或芯片正面金属层凹凸不平导致性差异，进而提高半导体整体性能的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107706237B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201711046452.3
申请日：2017-10-31
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 史波
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管器件及其制作方法、电力电子设备，以改善绝缘栅双极型晶体管器件的综合性能，提高其的适用性。绝缘栅双极型晶体管器件包括栅极结构，所述栅极结构包括多个平面栅单元和多个沟槽栅单元，其中：所述多个平面栅单元位于同一层面，所述多个沟槽栅单元位于所述多个平面栅单元的一侧，且与所述多个平面栅单元所在的层面相交，每个所述平面栅单元与至少两个相邻的所述沟槽栅单元连接。
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公开(公告)号：CN112289754B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201910668258.1
申请日：2019-07-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L21/48 , H01L21/56
Abstract: 本发明涉及电子技术领域，具体而言，涉及一种功率模块及封装方法，包括引线框架、封装基板及承载板，所述引线框架固定于所述承载板上，所述封装基板与所述引线框架的引脚之间通过相互配合的凹凸结构连接，且所述封装基板与引线框架在凹凸配合处焊接固定，所述凹凸结构包括相互配合的柱销和通孔，所述引线框架设置所述柱销，所述封装基板设置与所述柱销配合的通孔，所述引脚对应所述封装基板通孔弯折形成所述柱销，其能够解决封装基板与引线框架之间在高温和振动环境下引脚脱焊现象。
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公开(公告)号：CN113053847B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201911363520.8
申请日：2019-12-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L25/16
Abstract: 本公开涉及一种芯片封装结构及其制备方法。芯片封装结构包括：三维引线框架(100)，具有中空内腔(A)，所述中空内腔(A)包括多个安装平面(110)，所述多个安装平面(110)中的至少两个的外法线的方向不同；多个芯片(200)，分别安装在所述多个安装平面(110)中的至少部分安装平面(110)上；和塑封料(300)，至少部分地包封在所述三维引线框架(100)的外部；其中，所述三维引线框架(100)具有多个管脚(130)，与所述多个芯片(200)的焊盘(210)通过打线(400)进行电气连接。本公开实施例能够减小体积，增加空间利用率。
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公开(公告)号：CN113035773B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201911373510.2
申请日：2019-12-25
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/67 , H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 本发明实施例涉及一种芯片封装方法、刻蚀设备及芯片，所述方法包括：对芯片表面第一金属层进行刻蚀，以使所述第一金属层表面的粗糙度达到预设的粗糙度阈值，所述粗糙度阈值对应的范围包括：88um～108um；在完成刻蚀后的所述第一金属层表面上设置第二金属层，在对第一金属层进行刻蚀的过程中，控制第一金属层表面的粗糙度达到粗糙度阈值，该粗糙度达到粗糙度阈值时可以使第一金属层与第二金属层(第二金属层为AL层，且金属AL的流动性不强)的结合力达到最优，避免在芯片封装过程中因两金属层之间结合力欠佳造成的芯片报废，提升芯片的成品率。
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公开(公告)号：CN112992835B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN201911301083.7
申请日：2019-12-17
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制备方法。其中，半导体装置包括半导体组件，半导体组件包括：芯片，包括相对设置的第一侧面和第二侧面，第一侧面设有至少一个电极区和非电极区，至少一个电极区的每个电极区内设有电极；至少一个电极区包括第一电极区；胶膜层，设于非电极区；第一电连接件，包括第一接合部，第一接合部与胶膜层粘接，第一电连接件、第一电极区，以及第一电极区周围的胶膜层共同形成空腔，第一电连接件与空腔相对应的位置设有通孔；以及导电结合件，设于空腔以及通孔内，且将第一电连接件与芯片接合。本发明可缓解导电结合材料的四溢以及空洞或气泡的产生，使芯片与第一电连接件之间的接合更紧密，提高可靠性。
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