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公开(公告)号：CN106989827A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710252822.2
申请日：2017-04-18
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: G01J5/0275 , G01J5/10
Abstract: 本发明涉及一种由多个焦平面探测器组成的曲率可控的曲面探测器，包括多个呈曲面排列的焦平面探测器，通过调整每个半导体基座的高度，可以形成不同曲率半径的曲面探测器，且可以实现模块化制造，能够适应各种参数的光学系统；通过调整半导体基座及探测器本体的个数，使得该曲面探测器的阵列大小可调，能够适应大小不同的视场的需求；可以节省大量传统平面焦平面为保证图像质量所需的光学棱镜及光学处理元件，从而降低制造成本。
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公开(公告)号：CN106847950A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710252825.6
申请日：2017-04-18
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/101 , H01L31/18 , G01J5/10
CPC classification number: H01L31/101 , G01J5/10 , H01L31/022408 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种离子注入制备氧化钛电极的红外探测器，在支撑层和连接金属上设有氧化钛薄膜，氧化钛薄膜包括在桥面区域的半导体氧化钛薄膜和在桥腿区域的导体氧化钛薄膜，使用氧化钛作为热敏层薄膜，且对部分氧化钛薄膜进行离子注入，使该部分氧化钛薄膜成为导体氧化钛薄膜，代替现有技术中的金属电极，工艺简单，产能较高。还涉及上述探测器的制备方法，包括在支撑层上依次制备氧化钛薄膜、第一保护层和光阻的步骤和去除氧化钛薄膜上面未被光阻覆盖的第一保护层薄膜，并对露出的氧化钛薄膜进行离子注入，离子注入后的氧化钛薄膜为导体氧化钛薄膜的步骤，还包括去除光阻，沉积第二保护层，进行结构释放的步骤。
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公开(公告)号：CN106784165A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710062648.5
申请日：2017-01-24
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: H01L31/18 , B81B3/0018 , B81C1/00142 , G01J5/20 , G01J5/24 , H01L31/09
Abstract: 本发明涉及一种新型双层非制冷红外焦平面探测器像素结构及其制备方法，在包含读出电路半导体基座上制作金属反射层，在金属反射层上沉积绝缘介质层；在绝缘介质层上依次沉积第一牺牲层、第一支撑层、热敏层和第一保护层，光刻第一支撑层和第一保护层直至接触第一牺牲层，第一保护层上沉积第二牺牲层，并对第一牺牲层和第二牺牲层进行图形化处理，图形化处理后的第一牺牲层和第二牺牲层上形成锚点孔，所述锚点孔为直孔，沉积第二支撑层；在第二支撑层蚀刻通孔；在第二支撑层和第一保护层蚀刻接触孔；接触孔内和第二支撑层上沉积金属电极层和金属坞，在金属电极图形上沉积第二保护层，利用光刻图形化第二保护层和第二支撑层，最后，进行结构释放。
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公开(公告)号：CN106340561A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610866952.0
申请日：2016-09-29
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种新型非制冷红外焦平面探测器像元及其制作方法，属于非制冷红外焦平面探测器领域技术领域。其自半导体衬底往上，依次包括三层结构，第一层的桥腿结构包括金属反射层、绝缘介质层、第一支撑层、第一支撑层保护层、第一金属电极层和第一氮化硅介质层；第二层的热转换结构包括第二支撑层、第二支撑层保护层、第二金属电极层、第二氮化硅介质层、热敏层和热敏层保护层；第三层的吸收层结构包括第三支撑层、吸收层和吸收层保护层。本发明还公开了上述新型非制冷红外焦平面探测器像元的制作方法。本发明的非制冷红外焦平面探测器像元，能显著提高红外辐射的吸收率，提升探测器的响应率，为制造更大阵列和更小像元的探测器打下基础。
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公开(公告)号：CN115016048A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210674293.6
申请日：2022-06-15
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种减反射微结构，涉及光学技术领域，用于光学器件窗口上，包括基底；设于基底上表面和/或下表面的微结构层，微结构层包括至少两层层叠设置的微结构阵列层，每层微结构阵列层包括多个微结构，不同微结构阵列层中的微结构的材料不同。本申请中减反射微结构的微结构层包括微结构阵列层，微结构阵列层包括多个微结构，微结构阵列层可以等效成具有渐变折射率梯度分布的薄膜，实现减反射效果，同时微结构阵列层的层数在两层以上，且不同微结构阵列层的材料不同，减少折射率的突变，因此可以减少发生菲涅尔反射，增强减反射微结构的减反射能力，实现更好的增透效果。本申请还提供一种具有上述优点的减反射微结构制作方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111896122B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202010801760.8
申请日：2020-08-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01J5/20
Abstract: 本申请公开了偏振非制冷红外探测器，包括多个像元，每个像元包括由下向上设置的基底层、具有支撑与电连接孔的第一悬空层、具有支撑连接孔的第二悬空层；第一悬空层包括具有第一通孔的第一支撑层、第一电极层、热敏层、热敏保护层，第一通孔位于支撑与电连接孔的底部，以便第一电极层与基底层电连接；第二悬空层包括第二支撑层、线栅层，位于支撑连接孔处的第二支撑层与热敏保护层相连，且支撑连接孔位于支撑与电连接孔的外侧。本申请探测器中支撑连接孔位于支撑与电连接孔的外侧，无需对第一悬空层平坦化处理，且在制作第二悬空层过程中，在图形化牺牲层时刻蚀厚度也不会增加，简化制备工艺，提升性能。本申请还提供一种具有上述优点的制作方法。
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公开(公告)号：CN107117579B
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201710331925.8
申请日：2017-05-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种双层偏振非制冷红外探测器结构，包括半导体基座和探测器本体，所述探测器本体包括绝缘介质层、金属反射层、第一支撑层、金属电极层、第一保护层、第二支撑层、电极金属层、热敏层和第二保护层，所述第一支撑层和绝缘介质层之间形成第一谐振腔，所述第一保护层和第二支撑层之间形成第二谐振腔，所述电极金属层上设有热敏层，双层结构提高了像元的红外吸收效率，在第二保护层上设有偏振结构，可以实现偏振敏感型红外探测器的单片集成，而且极大的降低了光学设计的难度；还涉及上述探测器结构的制备方法，包括制备双层非制冷红外探测器的步骤，还包括在双层非制冷红外探测器上制备偏振结构的步骤。
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公开(公告)号：CN111896122A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010801760.8
申请日：2020-08-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01J5/20
Abstract: 本申请公开了偏振非制冷红外探测器，包括多个像元，每个像元包括由下向上设置的基底层、具有支撑与电连接孔的第一悬空层、具有支撑连接孔的第二悬空层；第一悬空层包括具有第一通孔的第一支撑层、第一电极层、热敏层、热敏保护层，第一通孔位于支撑与电连接孔的底部，以便第一电极层与基底层电连接；第二悬空层包括第二支撑层、线栅层，位于支撑连接孔处的第二支撑层与热敏保护层相连，且支撑连接孔位于支撑与电连接孔的外侧。本申请探测器中支撑连接孔位于支撑与电连接孔的外侧，无需对第一悬空层平坦化处理，且在制作第二悬空层过程中，在图形化牺牲层时刻蚀厚度也不会增加，简化制备工艺，提升性能。本申请还提供一种具有上述优点的制作方法。
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公开(公告)号：CN108996470A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810902280.3
申请日：2018-08-09
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种MEMS晶圆切割方法，包括对晶圆进行晶圆级结构释放；在进行结构释放后的晶圆背面贴附透明薄膜，并将晶圆固定于切割框架；利用隐形激光从晶圆背面透过薄膜对晶圆进行切割。上述方法通过先对晶圆进行晶圆级结构释放可以有效增加结构释放的效率；对晶圆背面贴附透明薄膜可以在将晶圆固定于切割框架的同时，保证激光可以透过透明薄膜而仅作用于晶圆背面；通过隐形激光从晶圆的背面进行切割可以有效减少在切割过程中硅渣的产生。上述方法在切割过程中避免使用到打孔贴膜、等离子体切割等复杂的工序和昂贵的设备，从而有效降低了晶圆加工的成本。
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公开(公告)号：CN106219480B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201610532815.3
申请日：2016-07-07
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种非制冷红外3D MEMS系统结构及其制作方法，涉及非制冷红外3D MEMS结构领域。目的在于采用新的MEMS结构后，解决了传统结构受像元尺寸的缩小无法解决器件平坦化的问题，以及解决了多层工艺导致金属互联困难的问题，并解决了器件像元缩小后，尽可能维持氧化钒的面积并减少了桥腿的热导，确保器件性能不降低的问题，并采用蜂窝状结构，增加了红外吸收因子。介质层中部设有凹槽，反射层位于介质层中部凹槽的上表面，反射层的上方依次为第一层牺牲层和第二层牺牲层，且所述第一层牺牲层位于介质层中部凹槽中。把第一层牺牲层结构埋在电路的介质中进行制作，有利于后面小尺寸线宽和小像元的制作。
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