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公开(公告)号：CN106800271B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201710053126.9
申请日：2017-01-24
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种非制冷红外焦平面探测器像素结构制备方法，在包含读出电路半导体基座上制作金属层；在完成图形化金属层上沉积绝缘介质层；在绝缘介质层上依次沉积第一牺牲层、第一支撑层、热敏层和第一保护层，光刻第一支撑层和第一保护层直至接触第一牺牲层，第一保护层上沉积第二牺牲层，并在完成图形化处理的第一牺牲层和第二牺牲层上沉积第二支撑层；在沉积完的第二支撑层的半导体基座上通过光刻和蚀刻的方法刻通孔；光刻或蚀刻第二支撑层和第一保护层以得到接触孔，接触孔光刻和蚀刻终止于热敏层；接触孔内和第二支撑层上沉积金属电极层，在金属电极图形上沉积第二保护层，利用光刻图形化第二保护层和第二支撑层，最后，进行结构释放。
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公开(公告)号：CN106219480A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610532815.3
申请日：2016-07-07
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0006 , B81B7/0009 , B81C1/00095 , B81C1/00476
Abstract: 本发明涉及一种非制冷红外3D MEMS系统结构及其制作方法，涉及非制冷红外3D MEMS结构领域。目的在于采用新的MEMS结构后，解决了传统结构受像元尺寸的缩小无法解决器件平坦化的问题，以及解决了多层工艺导致金属互联困难的问题，并解决了器件像元缩小后，尽可能维持氧化钒的面积并减少了桥腿的热导，确保器件性能不降低的问题，并采用蜂窝状结构，增加了红外吸收因子。介质层中部设有凹槽，反射层位于介质层中部凹槽的上表面，反射层的上方依次为第一层牺牲层和第二层牺牲层，且所述第一层牺牲层位于介质层中部凹槽中。把第一层牺牲层结构埋在电路的介质中进行制作，有利于后面小尺寸线宽和小像元的制作。
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公开(公告)号：CN106219480B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201610532815.3
申请日：2016-07-07
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种非制冷红外3D MEMS系统结构及其制作方法，涉及非制冷红外3D MEMS结构领域。目的在于采用新的MEMS结构后，解决了传统结构受像元尺寸的缩小无法解决器件平坦化的问题，以及解决了多层工艺导致金属互联困难的问题，并解决了器件像元缩小后，尽可能维持氧化钒的面积并减少了桥腿的热导，确保器件性能不降低的问题，并采用蜂窝状结构，增加了红外吸收因子。介质层中部设有凹槽，反射层位于介质层中部凹槽的上表面，反射层的上方依次为第一层牺牲层和第二层牺牲层，且所述第一层牺牲层位于介质层中部凹槽中。把第一层牺牲层结构埋在电路的介质中进行制作，有利于后面小尺寸线宽和小像元的制作。
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公开(公告)号：CN106800271A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201710053126.9
申请日：2017-01-24
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0207 , B81C1/00142 , B81C1/005
Abstract: 本发明涉及一种新型非制冷红外焦平面探测器像素结构制备方法，在包含读出电路半导体基座上制作金属层；在完成图形化金属层上沉积绝缘介质层；在绝缘介质层上依次沉积第一牺牲层、第一支撑层、热敏层和第一保护层，光刻第一支撑层和第一保护层直至接触第一牺牲层，第一保护层上沉积第二牺牲层，并在完成图形化处理的第一牺牲层和第二牺牲层上沉积第二支撑层；在沉积完的第二支撑层的半导体基座上通过光刻和蚀刻的方法刻通孔；光刻或蚀刻第二支撑层和第一保护层以得到接触孔，接触孔光刻和蚀刻终止于热敏层；接触孔内和第二支撑层上沉积金属电极层，在金属电极图形上沉积第二保护层，利用光刻图形化第二保护层和第二支撑层，最后，进行结构释放。
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