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公开(公告)号：CN110467151A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910832255.7
申请日：2019-09-04
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本申请公开了一种MEMS晶圆封装设备，包括MEMS晶圆处理腔、窗口处理腔、对准腔、键合腔及机械臂；所述MEMS晶圆处理腔、所述窗口处理腔、所述对准腔、所述键合腔为真空腔体；所述真空腔体之间通过真空管道相连接；所述机械臂设置于所述MEMS晶圆处理腔与所述窗口处理腔之间，用于将经过所述MEMS晶圆处理腔处理后的MEMS晶圆与经过所述窗口处理腔处理后的窗口晶圆运送至所述对准腔进行对准，得到MEMS待键合晶圆；所述机械臂设置于所述MEMS晶圆处理腔与所述窗口处理腔之间的真空腔体中。本申请避免了上述步骤中对MEMS功能区的污染、损伤及静电击穿，此外，由于所述设备内部处于真空，提高了封装质量。本申请同时还提供了一种具有上述有益效果的MEMS晶圆封装方法。
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公开(公告)号：CN108147363B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201711408352.0
申请日：2017-12-22
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本申请公开了一种MEMS晶圆芯片的分离方法，包括对MEMS晶圆进行划片，利用不同的切割道划分出多个芯片区域；在所述切割道所在的位置贴上保护膜，保持所述芯片区域暴露在外面；对所述MEMS晶圆进行裂片；去除所述保护膜，并对所述MEMS晶圆进行扩膜，分离出芯片。上述MEMS晶圆芯片的分离方法，能够降低分离成本，且避免崩边和硅渣硅粉造成的不利影响，提高产品良率和生产效率。
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公开(公告)号：CN107827079B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201711145570.X
申请日：2017-11-17
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MEMS芯片的制作方法，在切割晶圆之前，在晶圆的上表面键合了一个盖板，此时在盖板表面贴一层膜就可以封闭晶圆上表面形成的MEMS芯片的工作区域。由于在切割时需要冲水，此时将工作区域封闭就可以避免在冲水时水对工作区域中微结构的破坏。在晶圆表面键合的盖板可以遮蔽工作区域中的遮挡区域，在后续封装过程中就可以不再添加用于遮蔽上述遮挡区域的挡片。同时在切割之前就完成晶圆释放，可以大大增加释放效率。
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公开(公告)号：CN109932064A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910232823.X
申请日：2019-03-26
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明提供了一种具有DLC保护膜的红外焦平面阵列探测器的制备方法，包括以下步骤：A)将红外焦平面阵列探测器的窗口依次采用丙酮和工作液进行清洗；B)将清洗后的红外焦平面阵列探测器的窗口在真空条件下，通入氩气，进行射频等离子清洗；C)再通入碳源气体，采用射频等离子增强化学气相沉积方法在红外焦平面阵列探测器的窗口的表面沉积DLC保护膜，得到具有DLC保护膜的红外焦平面阵列探测器；所述步骤C)的射频功率为100～2500W，所述步骤C)的真空度为3×10-3～3×10-5Pa。本发明还提供了一种具有DLC保护膜的红外焦平面阵列探测器。
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公开(公告)号：CN109873004A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910155913.3
申请日：2019-03-01
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种红外成像探测元件，所述红外成像探测元件包括红外成像探测器与探测器载体；所述红外成像探测器设置在所述探测器载体内部；所述红外成像探测器为通过晶圆级封装得到的红外成像探测器；所述红外成像探测器的I/O端口与所述探测器载体的导电区域通过引线一一对应连接；所述引线为直引线；所述导电区域的一部分位于所述探测器载体的底部。本发明通过直引线将晶圆级封装(WLP)技术得到的红外成像探测器与所述探测器载体相连接，避免了引线在连接过程中的弯折，降低了连接难度，提高了生产效率，延长了使用寿命，同时降低了空间占用，更抗冲击。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的红外成像探测元件的制作方法及一种红外探测仪。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109065439A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810902315.3
申请日：2018-08-09
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: H01L21/02041 , B81B7/02 , H01L21/02057
Abstract: 本发明公开了一种MEMS晶圆表面颗粒去除设备，包括用于固定表面贴合有晶圆的薄膜的扩晶环和气体喷射装置；所述气体喷射装置的气体喷嘴朝向所述扩晶环中设置所述晶圆的区域，以使所述气体喷射装置向所述晶圆喷气。在工作状态时，气体喷射装置可以朝安装在扩晶环中的晶圆吹气，通过气流可以有效将MEMS晶圆表面的表面颗粒吹离晶圆表面，从而有效去除晶圆表面的表面颗粒；同时由于仅仅是向晶圆表面喷射气体，几乎不会对晶圆表面的MEMS结构产生破坏，从而可以提高MEMS芯片的产率。本发明还提供了一种去除MEMS晶圆表面颗粒的方法，同样具有上述有益效果。
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公开(公告)号：CN108996470A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810902280.3
申请日：2018-08-09
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种MEMS晶圆切割方法，包括对晶圆进行晶圆级结构释放；在进行结构释放后的晶圆背面贴附透明薄膜，并将晶圆固定于切割框架；利用隐形激光从晶圆背面透过薄膜对晶圆进行切割。上述方法通过先对晶圆进行晶圆级结构释放可以有效增加结构释放的效率；对晶圆背面贴附透明薄膜可以在将晶圆固定于切割框架的同时，保证激光可以透过透明薄膜而仅作用于晶圆背面；通过隐形激光从晶圆的背面进行切割可以有效减少在切割过程中硅渣的产生。上述方法在切割过程中避免使用到打孔贴膜、等离子体切割等复杂的工序和昂贵的设备，从而有效降低了晶圆加工的成本。
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公开(公告)号：CN108147363A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711408352.0
申请日：2017-12-22
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本申请公开了一种MEMS晶圆芯片的分离方法，包括对MEMS晶圆进行划片，利用不同的切割道划分出多个芯片区域；在所述切割道所在的位置贴上保护膜，保持所述芯片区域暴露在外面；对所述MEMS晶圆进行裂片；去除所述保护膜，并对所述MEMS晶圆进行扩膜，分离出芯片。上述MEMS晶圆芯片的分离方法，能够降低分离成本，且避免崩边和硅渣硅粉造成的不利影响，提高产品良率和生产效率。
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公开(公告)号：CN106629582A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201710037831.X
申请日：2017-01-19
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: B81C99/001 , B81C1/00873 , B81C1/00896
Abstract: 本发明涉及一种MEMS晶圆切割清洗及释放方法，包括以下步骤：贴UV膜，将晶圆正面朝下放置在贴膜机中间悬空的真空吸盘正中央；切割，采用台阶切割，两步切割连续完成，前切刀片切割的厚度为晶圆总厚度的20％～60％，后切刀片将晶圆划透；清洗和甩干，将固定在锈钢框架上的晶圆整体放在可旋转的陶瓷密孔吸盘上，陶瓷密孔吸盘固定不锈钢框架的四周，陶瓷密孔吸盘上方设有喷液系统，喷液系统包含若干个可左右摆动喷洒溶液的喷头，喷头喷洒液体清洗晶圆，陶瓷密孔吸盘高速旋转，将废液甩出；照射；对晶圆进行扩膜；利用芯片拾取设备将芯片从UV膜取下放入托盘中；把托盘放在去胶机设备中，进行结构释放。不需要两次对位，保证了两次切割位置的精准性。
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公开(公告)号：CN119390004A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411558248.X
申请日：2024-11-04
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种非制冷红外探测器及非制冷红外探测器制备方法，属于MEMS器件技术领域。本申请采用台阶覆盖能力比钛层的台阶覆盖能力强的导电层作为锚柱，当使用硬掩模形成接触孔时，在具有底切结构的接触孔中能够更好地覆盖在接触孔表面，不会在牺牲层和硬掩模连接位置处断开，可以保证良好的电连接，从而可以提高锚柱稳固性和可靠性；同时，该导电层既作为导电层又作为支撑层，取代了由支撑层、钛层和保护层层叠形成的传统锚柱，解决了传统锚柱采用钛层作为导电层在接触孔内台阶覆盖能力差，而需要介质进行保护与支撑的问题，且简化了工艺流程。
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