-
公开(公告)号：CN114001832B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202111276820.X
申请日：2021-10-29
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种非制冷红外偏振探测像元结构，通过将光栅层的通光区域设置成对应偏振方向的正多边形，可以保证该通光区域中对应不同偏振方向的光栅除偏振方向不同之外均具有相同的形貌，从而保证对于多个预设偏振方向的入射光该光栅层均具有相同的透过效率。通过将像元层设置成与透光区域相对应的正多边形，同时在像元层表面设置吸收单元，可以排除像元层中电极造成的偏振选择吸收特性的影响，使得红外探测像元的光吸收偏振不敏感，从而保证像元层对不同偏振方向的光线响应一致，避免响应非均匀性的问题。本发明还提供了一种芯片以及探测器，同样具有上述有益效果。
-
公开(公告)号：CN115044865A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210653510.3
申请日：2022-06-09
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种用于镀制膜层的掩膜组件及其制作方法，涉及图形化镀膜设备领域，用于待镀部件镀制中。该组件包括掩膜片、具有第一通孔的掩膜片载板、具有第二通孔的定位基板，掩膜片载板与定位基板固定连接，掩膜片与掩膜片载板固定连接，第一通孔与第二通孔对应；第二通孔用于放置待镀部件，掩膜片的图形化处理区域对应第一通孔，定位基板和掩膜片位于掩膜片载板的同一侧。本申请具有第二通孔的定位基板和掩膜片分别与具有第一通孔的掩膜片载板固定连接，镀制时直接将待镀部件放置在第二通孔处，无需取放掩膜片，简化工艺流程，提升镀制效率，且可以避免在取放掩膜片时对掩膜片以及对待镀部件造成的损伤，降低镀制成本，提升待镀部件的良率。
-
公开(公告)号：CN114279565A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111645245.6
申请日：2021-12-29
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司 , 睿创微纳(无锡)技术有限公司
Abstract: 本申请公开了一种非制冷红外光谱芯片及其制备方法和红外光谱仪，包括多个不同的第一光谱像元，每个第一光谱像元包括由下至上叠加的第一悬空像元结构和第二悬空像元结构；第二悬空像元结构包括微结构层，微结构层包括多个使第一光谱像元的光谱响应为宽带响应的特征微结构。本申请中的红外光谱芯片包括多个第一光谱像元，第一光谱像元包括第一悬空像元结构和第二悬空像元结构，且第二悬空像元结构包括多个特征微结构，使得第一光谱像元的光谱响应为宽带响应；由于本申请中直接在红外光谱芯片上设置特征微结构，降低入射光在红外探测器上的串扰，提升光谱测量精度，同时还可以提升红外探测器的良率，即提升红外光谱仪的良率。
-
公开(公告)号：CN111896120B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202010801748.7
申请日：2020-08-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01J5/10
Abstract: 本申请公开了一种双色偏振非制冷红外探测器及其制作方法，包括由下向上设置的基底层、第一悬空层、第二悬空层，第二悬空层包括第二支撑层和线栅层；线栅层包括多个超像元区域，每个超像元区域包括呈矩阵排列的第一子超像元区域、第二子超像元区域、第三子超像元区域、第四子超像元区域，第一子超像元区域、第二子超像元区域、第三子超像元区域、第四子超像元区域中均包括四个线栅像元区域，每个线栅像元区域中线栅朝向角度均不同，且第一子超像元区域和第四子超像元区域对应的绝缘介质层的厚度大于第二子超像元区域和第三子超像元区域对应的绝缘介质层的厚度。本申请的红外探测器在实现偏振双色成像的条件下，保证工作视场不受影响。
-
公开(公告)号：CN113948542A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111217019.8
申请日：2021-10-19
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请公开了一种非制冷红外探测器的像素级封装结构及其制作方法，包括集成电路基板和设于集成电路基板上表面的像素器件；像素器件包括像素单元和设于像素单元一侧的吸气单元，吸气单元包括设于集成电路基板上表面的吸气剂层，支撑层，设于支撑层上表面的密封层；吸气单元中的空腔与像素单元的空腔连通；或者，像素器件包括设于集成电路基板上表面的吸气剂层和反射层，设于反射层上方且与反射层相对应的红外传感器单元。像素器件包括像素单元和设于像素单元一侧的吸气单元，吸气剂层并不设于像素单元中；或者像素器件中吸气剂层不与红外传感器单元对应，避免吸气剂层对红外传感器单元的影响，提升非制冷红外探测器性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111947789B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202010801746.8
申请日：2020-08-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01J5/20
Abstract: 本申请公开了双色偏振红外探测器及其制作方法，包括多个探测器单元，探测器单元包括四个超像元结构，超像元结构包括四个像素单元；像素单元包括基底层、第一悬空层、第二悬空层，第一悬空层包括支撑结构层和超表面吸收层，超表面吸收层位于支撑结构层的两个支撑与电连接孔之间，且超表面吸收层包括背板层、介质层、金属阵列层，金属阵列层包括多个不同尺寸的金属块，第二悬空层包括第一支撑层和线栅层；同一超像元结构中的四个线栅层具有各不相同的线栅朝向角度，位于同一对角线上的两个超像元结构中的金属阵列层相同，且两条对角线上的金属阵列层中的金属块尺寸不等，以实现对红外波段的双色偏振成像，无需制作高度不同的谐振腔，制作工艺简单。
-
公开(公告)号：CN110186574B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201910251900.6
申请日：2017-09-30
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种基于超表面的非制冷红外成像传感器，包括双层非制冷红外探测器，双层非制冷红外探测器包括半导体衬底和探测器本体，探测器本体包括第一层悬空结构和第二层悬空结构，第一层悬空结构包括金属反射层、绝缘介质层、金属电极层、电极保护层、第一支撑层、热敏保护层和热敏层，第二层悬空结构包括超材料支撑层和超材料支撑保护层，在超材料支撑保护层上设有超材料结构，所述超材料结构采用NiCr或/和Al，其厚度在12～30nm之间，制备工艺简单，能与CMOS工艺兼容，且能够实现多色探测、宽波段探测、窄谱探测等功能。
-
公开(公告)号：CN110260981B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201910250543.1
申请日：2017-09-30
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种基于超表面的非制冷红外成像传感器，包括双层非制冷红外探测器，双层非制冷红外探测器包括半导体衬底和探测器本体，探测器本体包括第一层悬空结构和第二层悬空结构，第一层悬空结构包括金属反射层、绝缘介质层、金属电极层、电极保护层、第一支撑层、热敏保护层和热敏层，第二层悬空结构包括超材料支撑层和超材料支撑保护层，在超材料支撑保护层上设有超材料结构，所述超材料结构采用NiCr或/和Al，其厚度在12～30nm之间；制备工艺简单，能与CMOS工艺兼容，且能够实现多色探测、宽波段探测、窄谱探测等功能。
-
公开(公告)号：CN110467151A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910832255.7
申请日：2019-09-04
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本申请公开了一种MEMS晶圆封装设备，包括MEMS晶圆处理腔、窗口处理腔、对准腔、键合腔及机械臂；所述MEMS晶圆处理腔、所述窗口处理腔、所述对准腔、所述键合腔为真空腔体；所述真空腔体之间通过真空管道相连接；所述机械臂设置于所述MEMS晶圆处理腔与所述窗口处理腔之间，用于将经过所述MEMS晶圆处理腔处理后的MEMS晶圆与经过所述窗口处理腔处理后的窗口晶圆运送至所述对准腔进行对准，得到MEMS待键合晶圆；所述机械臂设置于所述MEMS晶圆处理腔与所述窗口处理腔之间的真空腔体中。本申请避免了上述步骤中对MEMS功能区的污染、损伤及静电击穿，此外，由于所述设备内部处于真空，提高了封装质量。本申请同时还提供了一种具有上述有益效果的MEMS晶圆封装方法。
-
公开(公告)号：CN107827079B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201711145570.X
申请日：2017-11-17
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MEMS芯片的制作方法，在切割晶圆之前，在晶圆的上表面键合了一个盖板，此时在盖板表面贴一层膜就可以封闭晶圆上表面形成的MEMS芯片的工作区域。由于在切割时需要冲水，此时将工作区域封闭就可以避免在冲水时水对工作区域中微结构的破坏。在晶圆表面键合的盖板可以遮蔽工作区域中的遮挡区域，在后续封装过程中就可以不再添加用于遮蔽上述遮挡区域的挡片。同时在切割之前就完成晶圆释放，可以大大增加释放效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
98
records
(took 0.036 seconds)
