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公开(公告)号：CN106847950B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201710252825.6
申请日：2017-04-18
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/101 , H01L31/18 , G01J5/10
Abstract: 本发明涉及一种离子注入制备氧化钛电极的红外探测器，在支撑层和连接金属上设有氧化钛薄膜，氧化钛薄膜包括在位于中部的半导体氧化钛薄膜和位于所述半导体氧化钛薄膜两侧的导体氧化钛薄膜，使用氧化钛作为热敏层薄膜，且对部分氧化钛薄膜进行离子注入，使该部分氧化钛薄膜成为导体氧化钛薄膜，代替现有技术中的金属电极，工艺简单，产能较高。还涉及上述探测器的制备方法，包括在支撑层上依次制备氧化钛薄膜、第一保护层和光阻的步骤和去除氧化钛薄膜上面未被光阻覆盖的第一保护层薄膜，并对露出的氧化钛薄膜进行离子注入，离子注入后的氧化钛薄膜为导体氧化钛薄膜的步骤，还包括去除光阻，沉积第二保护层，进行结构释放的步骤。
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公开(公告)号：CN106987814A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710248921.3
申请日：2017-04-17
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: C23C14/34 , C23C14/0036 , C23C14/083 , C23C14/5806 , C23C14/5813
Abstract: 本发明涉及一种微测辐射热计的氧化钛热敏薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤1：对待沉积氧化钛薄膜的晶圆进行清洁处理；步骤2：提供一真空腔体，该真空腔体内具有钛靶材和待沉积氧化钛的晶圆，所述晶圆的衬底温度控制在10～200℃；步骤3：调整真空腔体的温度，使其温度控制在10～100℃，同时通入氩气和氧气，其中氧气占总气体的比例不低于0.5％，且低于10％，总气体流量保持在50～150sccm；步骤4：预溅射钛靶材5～10min，去除钛靶材表面的氧化层；步骤5：进行反应溅射，使用离子束轰击钛靶材，使钛溅射到晶圆表面，钛和真空腔体中的氧气或氧离子反应，生成氧化钛薄膜；步骤6：退火处理。
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公开(公告)号：CN107068780B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201710253069.9
申请日：2017-04-18
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/032 , H01L31/101 , H01L31/18 , G01J5/10
Abstract: 本发明涉及一种氧化方法制备氧化钛热敏层的红外探测器，其支撑层的中部设有氧化钛薄膜，氧化钛薄膜为半导体，其连接金属及支撑层的两侧设有与氧化钛薄膜处于同一层的钛薄膜，所述钛薄膜上设有第一保护层，氧化钛薄膜和第一保护层上设有第二保护层，还涉及上述探测器的制备方法，包括在支撑层上依次沉积钛薄膜和第一保护层的步骤，去除中部上的第一保护层薄膜，对中部上露出的钛薄膜进行氧化，形成氧化钛薄膜，作为热敏层薄膜的步骤，在支撑层上直接沉积钛薄膜，并对中部区域的钛薄膜进行氧化处理，使之转变为氧化钛薄膜，作为热敏层薄膜，不需要单独沉积金属电极层的工艺，能大幅简化工艺步骤，提高产能。
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公开(公告)号：CN107063473B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201710253080.5
申请日：2017-04-18
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明涉及一种离子注入制备电极的曲面焦平面探测器，所述探测器为曲面，其曲率半径不小于3mm，其厚度不超过50μm，且其电极层和热敏层均为氧化钛薄膜，平坦度较高，且能够适用大视场或超大视场，超大面阵列高分辨率成像；还涉及上述探测器的制备方法，在支撑层上制备氧化钛薄膜，用光阻覆盖桥面区域的氧化钛薄膜，对桥腿处的氧化钛薄膜进行离子注入，桥面区域的氧化钛薄膜为半导体氧化钛薄膜，相当于热敏层；桥腿区域的氧化钛薄膜为导体氧化钛薄膜；还包括对探测器减薄至50μm以内，并对其进行弯曲定型的步骤；可以始终保持光线焦点在焦平面探测器上，从而保证最大程度的成像效果，适合应用于大视场或超大视场，超大面阵列高分辨率成像。
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公开(公告)号：CN108507685A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810204953.8
申请日：2018-03-13
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯探测器及其制备方法，该探测器由下至上包括基底、金属反射层、微桥结构和超材料结构；微桥结构由下至上包括第一支撑层、热敏薄膜层、电极层和钝化层，热敏薄膜层通过电极层与金属反射层电连接；超材料结构包括第二支撑层、金属层、种子层和石墨烯薄膜层，第二支撑层设置于钝化层表面，第二支撑层上形成有金属层，金属层上形成有种子层，种子层表面生长形成石墨烯薄膜层。本发明的石墨烯探测器，采用CVD直接生长石墨烯作为探测器的超材料层，显著提高了探测器的光学吸收率和响应率，优化了器件性能，且制备工艺简单，避免了转移过程中对石墨烯薄膜的损伤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107063473A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710253080.5
申请日：2017-04-18
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01J5/20
CPC classification number: G01J5/20
Abstract: 本发明涉及一种离子注入制备电极的曲面焦平面探测器，所述探测器为曲面，其曲率半径不小于3mm，其厚度不超过50μm，且其电极层和热敏层均为氧化钛薄膜，平坦度较高，且能够适用大视场或超大视场，超大面阵列高分辨率成像；还涉及上述探测器的制备方法，在支撑层上制备氧化钛薄膜，用光阻覆盖桥面区域的氧化钛薄膜，对桥腿处的氧化钛薄膜进行离子注入，桥面区域的氧化钛薄膜为半导体氧化钛薄膜，相当于热敏层；桥腿区域的氧化钛薄膜为导体氧化钛薄膜；还包括对探测器减薄至50μm以内，并对其进行弯曲定型的步骤；可以始终保持光线焦点在焦平面探测器上，从而保证最大程度的成像效果，适合应用于大视场或超大视场，超大面阵列高分辨率成像。
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公开(公告)号：CN107063472A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710252827.5
申请日：2017-04-18
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: G01J5/20 , B81C1/00015 , G01J2005/0077
Abstract: 本发明涉及氧化方法制备热敏层的曲面焦平面探测器，所述探测器为曲面，其曲率半径不小于3mm，其厚度不超过50μm，且其电极层和热敏层处于同一层上，半导体氧化钛薄膜为热敏层，钛薄膜为电极层，平坦度较高，且能够适用大视场或超大视场，超大面阵列高分辨率成像；还涉及上述探测器的制备方法，在支撑层上制备钛薄膜，并对桥腿处的钛薄膜进行氧化，桥面区域的形成半导体氧化钛薄膜，相当于热敏层；桥腿区域的钛薄膜相当于电极层；还包括对探测器减薄至50μm以内，并对其进行弯曲定型的步骤；可以始终保持光线焦点在焦平面探测器上，从而保证最大程度的成像效果，适合应用于大视场或超大视场，超大面阵列高分辨率成像。
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公开(公告)号：CN108507685B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201810204953.8
申请日：2018-03-13
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯探测器及其制备方法，该探测器由下至上包括基底、金属反射层、微桥结构和超材料结构；微桥结构由下至上包括第一支撑层、热敏薄膜层、电极层和钝化层，热敏薄膜层通过电极层与金属反射层电连接；超材料结构包括第二支撑层、金属层、种子层和石墨烯薄膜层，第二支撑层设置于钝化层表面，第二支撑层上形成有金属层，金属层上形成有种子层，种子层表面生长形成石墨烯薄膜层。本发明的石墨烯探测器，采用CVD直接生长石墨烯作为探测器的超材料层，显著提高了探测器的光学吸收率和响应率，优化了器件性能，且制备工艺简单，避免了转移过程中对石墨烯薄膜的损伤。
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公开(公告)号：CN107063474B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201710253138.6
申请日：2017-04-18
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种曲面焦平面探测器，所述探测器所述焦平面探测器为曲面，其曲率半径不小于3mm，其厚度不超过50μm，可以始终保持光线焦点在焦平面探测器上，从而保证最大程度的成像效果，适合应用于大视场或超大视场，超大面阵列高分辨率成像；还涉及上述曲面焦平面探测器的制备方法，先完成电极金属层的图形化处理，在电极金属层上制作与热敏薄膜的接触孔，可以向像元边缘拓展接触孔的尺寸，采用离子束反应溅射的方法制备热敏层薄膜，且对探测器进行减薄处理，减薄后弯曲定型，探测器的结构释放可以放在弯曲定型之前，也可以放在弯曲定型之后，形成的曲面焦平面探测器更适用于大视场或超大视场。
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公开(公告)号：CN107063472B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201710252827.5
申请日：2017-04-18
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及氧化方法制备热敏层的曲面焦平面探测器，所述探测器为曲面，其曲率半径不小于3mm，其厚度不超过50μm，且其电极层和热敏层处于同一层上，半导体氧化钛薄膜为热敏层，钛薄膜为电极层，平坦度较高，且能够适用大视场或超大视场，超大面阵列高分辨率成像；还涉及上述探测器的制备方法，在支撑层上制备钛薄膜，并对桥腿处的钛薄膜进行氧化，桥面区域的形成半导体氧化钛薄膜，相当于热敏层；桥腿区域的钛薄膜相当于电极层；还包括对探测器减薄至50μm以内，并对其进行弯曲定型的步骤；可以始终保持光线焦点在焦平面探测器上，从而保证最大程度的成像效果，适合应用于大视场或超大视场，超大面阵列高分辨率成像。
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