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公开(公告)号：CN106352989B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201610685286.0
申请日：2016-08-18
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01J5/24
Abstract: 本发明涉及一种非制冷红外焦平面探测器微桥的制作方法和结构，该制作方法包括：在以读出电路为基底的晶圆上制备反射层；在反射层上依次制备绝缘介质层、第一牺牲层和第一支撑层；蚀刻第一支撑层，在反射层上方制备第一通孔；在第一支撑层上依次制备第一电极、第一介质层、第一钝化层、第二牺牲层、第二支撑层、热敏层、保护层；蚀刻第二支撑层，在第一电极上方制备第二通孔；蚀刻保护层，在热敏层上方制备接触孔；在热敏层及第二支撑层上依次制备第二电极、第二介质层、第二钝化层、第三牺牲层、第三支撑层、第三钝化层；释放各层牺牲层，得到探测器结构。本发明通过三层微桥结构提高了像素结构的有效填充因子及红外吸收效率。
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公开(公告)号：CN110092344A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910405920.4
申请日：2019-05-16
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MEMS释放架，包括释放托盘及释放盖板；所述释放托盘包括安置区域，所述安置区域用于放置待释放MEMS组件；所述释放盖板的表面均匀分布有多个通孔；所述释放盖板通过支撑件设置在所述释放托盘上方，与所述释放托盘形成腔体，且所述腔体具有等离子体扩散通道。本申请在现有技术中的释放托盘上增设带孔的释放盖板，避免了等离子体直接冲击所述待释放MEMS组件，保护了晶圆的完整性；同时，所述释放盖板上均匀分布通孔，使所述等离子体尽可能均匀地与所述待释放MEMS组件接触，最终提高了成品的良率，此外，本申请改动小，成本低，易于大规模使用。本申请还提供了一种具有上述有益效果的释放机台及MEMS组件释放的方法。
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公开(公告)号：CN109824008A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910126342.0
申请日：2019-02-20
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种非制冷红外焦平面探测器，包括基底层；位于所述基底层上表面的支撑层；位于所述支撑层背离所述基底层的表面的功能层，且所述功能层中的图形化热敏层的侧壁与所述功能层中的图形化电极层不接触；位于所述功能层背离所述支撑层的表面的钝化层。本申请中非制冷红外焦平面探测器，包括依次叠加的基底层、支撑层、功能层和钝化层，功能层中图形化热敏层的侧壁与功能层中的图形化电极层之间不产生接触，从而避免图形化热敏层两端接触孔直接相连造成图形化热敏层短路，提高非制冷红外焦平面探测器的良率和性能。此外，本申请还提供一种具有上述优点的非制冷红外焦平面探测器制备方法。
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公开(公告)号：CN109081301A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810902312.X
申请日：2018-08-09
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MEMS晶圆切割方法，包括对晶圆进行晶圆级结构释放；在晶圆正面的边缘部键合挡板；其中，晶圆正面的中心部与挡板相分离；在挡板背向晶圆一侧表面贴附第一薄膜，并将晶圆固定于切割框架；利用激光从晶圆背面对晶圆进行隐形激光切割；在切割晶圆完成之后，对晶圆进行解键合，以分离晶圆与挡板。通过先对晶圆进行晶圆级结构释放可以有效增加结构释放的效率；在晶圆的正面键合挡板可以通过挡板有效的保护晶圆正面的MEMS结构；通过激光从晶圆的背面进行隐形激光切割可以有效减少在切割过程中硅渣的产生，同时避免从晶圆正面进行切割，从而可以有效避免在晶圆正面设置复杂的切割道等结构，减少晶圆正面MEMS结构设计的困难。
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公开(公告)号：CN107827079A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711145570.X
申请日：2017-11-17
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MEMS芯片的制作方法，在切割晶圆之前，在晶圆的上表面键合了一个盖板，此时在盖板表面贴一层膜就可以封闭晶圆上表面形成的MEMS芯片的工作区域。由于在切割时需要冲水，此时将工作区域封闭就可以避免在冲水时水对工作区域中微结构的破坏。在晶圆表面键合的盖板可以遮蔽工作区域中的遮挡区域，在后续封装过程中就可以不再添加用于遮蔽上述遮挡区域的挡片。同时在切割之前就完成晶圆释放，可以大大增加释放效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106800272A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201710087018.3
申请日：2017-02-17
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: B81C99/001 , B81C1/00896 , B81C99/004
Abstract: 本发明涉及一种MEMS晶圆切割清洗及释放方法，包括以下步骤：晶圆正面涂光刻胶，背面减薄处理；键合，晶圆背面和玻璃底座的正面同UV胶键合；切割，采用台阶切割，两步切割连续完成；清洗和甩干晶圆；结构释放，将晶圆及玻璃底座整体放入去胶设备中进行结构释放；解键合：使用UV照射机降低晶圆与玻璃底座之间的UV胶的粘性；对晶圆进行扩膜；利用芯片拾取设备将芯片从UV膜取下放入托盘中；裂片和扩膜；光学检测机封装测试；不需要两次对位，保证了两次切割位置的精准性，实现了晶圆级的结构释放和测试，效率较高。
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公开(公告)号：CN108147363B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201711408352.0
申请日：2017-12-22
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本申请公开了一种MEMS晶圆芯片的分离方法，包括对MEMS晶圆进行划片，利用不同的切割道划分出多个芯片区域；在所述切割道所在的位置贴上保护膜，保持所述芯片区域暴露在外面；对所述MEMS晶圆进行裂片；去除所述保护膜，并对所述MEMS晶圆进行扩膜，分离出芯片。上述MEMS晶圆芯片的分离方法，能够降低分离成本，且避免崩边和硅渣硅粉造成的不利影响，提高产品良率和生产效率。
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公开(公告)号：CN107827079B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201711145570.X
申请日：2017-11-17
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MEMS芯片的制作方法，在切割晶圆之前，在晶圆的上表面键合了一个盖板，此时在盖板表面贴一层膜就可以封闭晶圆上表面形成的MEMS芯片的工作区域。由于在切割时需要冲水，此时将工作区域封闭就可以避免在冲水时水对工作区域中微结构的破坏。在晶圆表面键合的盖板可以遮蔽工作区域中的遮挡区域，在后续封装过程中就可以不再添加用于遮蔽上述遮挡区域的挡片。同时在切割之前就完成晶圆释放，可以大大增加释放效率。
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公开(公告)号：CN109065439A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810902315.3
申请日：2018-08-09
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: H01L21/02041 , B81B7/02 , H01L21/02057
Abstract: 本发明公开了一种MEMS晶圆表面颗粒去除设备，包括用于固定表面贴合有晶圆的薄膜的扩晶环和气体喷射装置；所述气体喷射装置的气体喷嘴朝向所述扩晶环中设置所述晶圆的区域，以使所述气体喷射装置向所述晶圆喷气。在工作状态时，气体喷射装置可以朝安装在扩晶环中的晶圆吹气，通过气流可以有效将MEMS晶圆表面的表面颗粒吹离晶圆表面，从而有效去除晶圆表面的表面颗粒；同时由于仅仅是向晶圆表面喷射气体，几乎不会对晶圆表面的MEMS结构产生破坏，从而可以提高MEMS芯片的产率。本发明还提供了一种去除MEMS晶圆表面颗粒的方法，同样具有上述有益效果。
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公开(公告)号：CN108917942A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201811124163.5
申请日：2018-09-26
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种非制冷红外探测器，其中用于将红外探测层中的热敏薄膜层与读出电路电连接的锚点为实心锚点。相比于现有技术中的空心锚点，实心锚点可以有效增加锚点的结构强度以及减小热敏薄膜层与读出电路之间的接触电阻，从而在保证一定的结构强度以及热敏薄膜层与读出电路之间一定的接触电阻的条件下，可以有效减小锚点的体积，从而便于非制冷红外探测器的小型化。本发明还提供了一种非制冷红外探测器的制备方法，所制备而成的非制冷红外探测器同样具有上述有益效果。
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