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公开(公告)号:CN111896122B
公开(公告)日:2021-11-16
申请号:CN202010801760.8
申请日:2020-08-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01J5/20
Abstract: 本申请公开了偏振非制冷红外探测器,包括多个像元,每个像元包括由下向上设置的基底层、具有支撑与电连接孔的第一悬空层、具有支撑连接孔的第二悬空层;第一悬空层包括具有第一通孔的第一支撑层、第一电极层、热敏层、热敏保护层,第一通孔位于支撑与电连接孔的底部,以便第一电极层与基底层电连接;第二悬空层包括第二支撑层、线栅层,位于支撑连接孔处的第二支撑层与热敏保护层相连,且支撑连接孔位于支撑与电连接孔的外侧。本申请探测器中支撑连接孔位于支撑与电连接孔的外侧,无需对第一悬空层平坦化处理,且在制作第二悬空层过程中,在图形化牺牲层时刻蚀厚度也不会增加,简化制备工艺,提升性能。本申请还提供一种具有上述优点的制作方法。
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公开(公告)号:CN111896122A
公开(公告)日:2020-11-06
申请号:CN202010801760.8
申请日:2020-08-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01J5/20
Abstract: 本申请公开了偏振非制冷红外探测器,包括多个像元,每个像元包括由下向上设置的基底层、具有支撑与电连接孔的第一悬空层、具有支撑连接孔的第二悬空层;第一悬空层包括具有第一通孔的第一支撑层、第一电极层、热敏层、热敏保护层,第一通孔位于支撑与电连接孔的底部,以便第一电极层与基底层电连接;第二悬空层包括第二支撑层、线栅层,位于支撑连接孔处的第二支撑层与热敏保护层相连,且支撑连接孔位于支撑与电连接孔的外侧。本申请探测器中支撑连接孔位于支撑与电连接孔的外侧,无需对第一悬空层平坦化处理,且在制作第二悬空层过程中,在图形化牺牲层时刻蚀厚度也不会增加,简化制备工艺,提升性能。本申请还提供一种具有上述优点的制作方法。
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公开(公告)号:CN111896120A
公开(公告)日:2020-11-06
申请号:CN202010801748.7
申请日:2020-08-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01J5/10
Abstract: 本申请公开了一种双色偏振非制冷红外探测器及其制作方法,包括由下向上设置的基底层、第一悬空层、第二悬空层,第二悬空层包括第二支撑层和线栅层;线栅层包括多个超像元区域,每个超像元区域包括呈矩阵排列的第一子超像元区域、第二子超像元区域、第三子超像元区域、第四子超像元区域,第一子超像元区域、第二子超像元区域、第三子超像元区域、第四子超像元区域中均包括四个线栅像元区域,每个线栅像元区域中线栅朝向角度均不同,且第一子超像元区域和第四子超像元区域对应的绝缘介质层的厚度大于第二子超像元区域和第三子超像元区域对应的绝缘介质层的厚度。本申请的红外探测器在实现偏振双色成像的条件下,保证工作视场不受影响。
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公开(公告)号:CN111896120B
公开(公告)日:2022-03-22
申请号:CN202010801748.7
申请日:2020-08-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01J5/10
Abstract: 本申请公开了一种双色偏振非制冷红外探测器及其制作方法,包括由下向上设置的基底层、第一悬空层、第二悬空层,第二悬空层包括第二支撑层和线栅层;线栅层包括多个超像元区域,每个超像元区域包括呈矩阵排列的第一子超像元区域、第二子超像元区域、第三子超像元区域、第四子超像元区域,第一子超像元区域、第二子超像元区域、第三子超像元区域、第四子超像元区域中均包括四个线栅像元区域,每个线栅像元区域中线栅朝向角度均不同,且第一子超像元区域和第四子超像元区域对应的绝缘介质层的厚度大于第二子超像元区域和第三子超像元区域对应的绝缘介质层的厚度。本申请的红外探测器在实现偏振双色成像的条件下,保证工作视场不受影响。
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公开(公告)号:CN111947789B
公开(公告)日:2021-12-21
申请号:CN202010801746.8
申请日:2020-08-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01J5/20
Abstract: 本申请公开了双色偏振红外探测器及其制作方法,包括多个探测器单元,探测器单元包括四个超像元结构,超像元结构包括四个像素单元;像素单元包括基底层、第一悬空层、第二悬空层,第一悬空层包括支撑结构层和超表面吸收层,超表面吸收层位于支撑结构层的两个支撑与电连接孔之间,且超表面吸收层包括背板层、介质层、金属阵列层,金属阵列层包括多个不同尺寸的金属块,第二悬空层包括第一支撑层和线栅层;同一超像元结构中的四个线栅层具有各不相同的线栅朝向角度,位于同一对角线上的两个超像元结构中的金属阵列层相同,且两条对角线上的金属阵列层中的金属块尺寸不等,以实现对红外波段的双色偏振成像,无需制作高度不同的谐振腔,制作工艺简单。
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公开(公告)号:CN111947789A
公开(公告)日:2020-11-17
申请号:CN202010801746.8
申请日:2020-08-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01J5/20
Abstract: 本申请公开了双色偏振红外探测器及其制作方法,包括多个探测器单元,探测器单元包括四个超像元结构,超像元结构包括四个像素单元;像素单元包括基底层、第一悬空层、第二悬空层,第一悬空层包括支撑结构层和超表面吸收层,超表面吸收层位于支撑结构层的两个支撑与电连接孔之间,且超表面吸收层包括背板层、介质层、金属阵列层,金属阵列层包括多个不同尺寸的金属块,第二悬空层包括第一支撑层和线栅层;同一超像元结构中的四个线栅层具有各不相同的线栅朝向角度,位于同一对角线上的两个超像元结构中的金属阵列层相同,且两条对角线上的金属阵列层中的金属块尺寸不等,以实现对红外波段的双色偏振成像,无需制作高度不同的谐振腔,制作工艺简单。
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