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公开(公告)号：CN114353668A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111666890.6
申请日：2021-12-30
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司 , 睿创微纳(无锡)技术有限公司
IPC: G01B11/02
Abstract: 本申请公开了一种光谱共焦位移传感探头和传感器，包括准直透镜，用于消除进入光谱共焦位移传感探头的光束的色差并准直光束；与准直透镜相对设置的超表面透镜，用于聚焦准直后光束并使聚焦后光束在光轴方向上发生色散；超表面透镜包括衬底，及设于衬底的第一表面和/或第二表面的多个微结构，多个微结构的高度相等，且衬底和微结构中至少微结构采用半导体工艺制备；第一表面为衬底与准直透镜相对的表面，第二表面与第一表面相背。探头只需设置一个超表面透镜和一个准直透镜即可，结构简单，且表面透镜中所有微结构的高度相等，进一步简化探头结构；衬底和微结构均采用半导体工艺制备，所以可以采用半导体工艺大规模生产，降低成本。
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公开(公告)号：CN111896122B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202010801760.8
申请日：2020-08-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01J5/20
Abstract: 本申请公开了偏振非制冷红外探测器，包括多个像元，每个像元包括由下向上设置的基底层、具有支撑与电连接孔的第一悬空层、具有支撑连接孔的第二悬空层；第一悬空层包括具有第一通孔的第一支撑层、第一电极层、热敏层、热敏保护层，第一通孔位于支撑与电连接孔的底部，以便第一电极层与基底层电连接；第二悬空层包括第二支撑层、线栅层，位于支撑连接孔处的第二支撑层与热敏保护层相连，且支撑连接孔位于支撑与电连接孔的外侧。本申请探测器中支撑连接孔位于支撑与电连接孔的外侧，无需对第一悬空层平坦化处理，且在制作第二悬空层过程中，在图形化牺牲层时刻蚀厚度也不会增加，简化制备工艺，提升性能。本申请还提供一种具有上述优点的制作方法。
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公开(公告)号：CN112099114A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011053733.3
申请日：2020-09-29
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了复合透镜，包括基底；位于基底第一表面的透镜；根据透镜的面型加工误差设置在基底第二表面的第一超表面结构阵列，第一超表面结构阵列包括多个超表面结构单元；第一表面与第二表面相背。本申请的复合透镜包括基底、分别位于基底第一表面和第二表面的透镜和第一超表面结构阵列，由于透镜和第一超表面结构阵列在基底两个不同的表面上，透镜制作完成后，可以根据透镜的面型而设置第一超表面结构阵列，以修正透镜加工时由于面型误差而产生的像差，并且由于可以在透镜制作完成后设置第一超表面结构阵列，对加工误差的容忍度极高。本申请还提供一种具有上述优点的复合透镜制作方法和红外探测器。
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公开(公告)号：CN111896122A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010801760.8
申请日：2020-08-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01J5/20
Abstract: 本申请公开了偏振非制冷红外探测器，包括多个像元，每个像元包括由下向上设置的基底层、具有支撑与电连接孔的第一悬空层、具有支撑连接孔的第二悬空层；第一悬空层包括具有第一通孔的第一支撑层、第一电极层、热敏层、热敏保护层，第一通孔位于支撑与电连接孔的底部，以便第一电极层与基底层电连接；第二悬空层包括第二支撑层、线栅层，位于支撑连接孔处的第二支撑层与热敏保护层相连，且支撑连接孔位于支撑与电连接孔的外侧。本申请探测器中支撑连接孔位于支撑与电连接孔的外侧，无需对第一悬空层平坦化处理，且在制作第二悬空层过程中，在图形化牺牲层时刻蚀厚度也不会增加，简化制备工艺，提升性能。本申请还提供一种具有上述优点的制作方法。
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公开(公告)号：CN111896120A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010801748.7
申请日：2020-08-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01J5/10
Abstract: 本申请公开了一种双色偏振非制冷红外探测器及其制作方法，包括由下向上设置的基底层、第一悬空层、第二悬空层，第二悬空层包括第二支撑层和线栅层；线栅层包括多个超像元区域，每个超像元区域包括呈矩阵排列的第一子超像元区域、第二子超像元区域、第三子超像元区域、第四子超像元区域，第一子超像元区域、第二子超像元区域、第三子超像元区域、第四子超像元区域中均包括四个线栅像元区域，每个线栅像元区域中线栅朝向角度均不同，且第一子超像元区域和第四子超像元区域对应的绝缘介质层的厚度大于第二子超像元区域和第三子超像元区域对应的绝缘介质层的厚度。本申请的红外探测器在实现偏振双色成像的条件下，保证工作视场不受影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114279565A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111645245.6
申请日：2021-12-29
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司 , 睿创微纳(无锡)技术有限公司
Abstract: 本申请公开了一种非制冷红外光谱芯片及其制备方法和红外光谱仪，包括多个不同的第一光谱像元，每个第一光谱像元包括由下至上叠加的第一悬空像元结构和第二悬空像元结构；第二悬空像元结构包括微结构层，微结构层包括多个使第一光谱像元的光谱响应为宽带响应的特征微结构。本申请中的红外光谱芯片包括多个第一光谱像元，第一光谱像元包括第一悬空像元结构和第二悬空像元结构，且第二悬空像元结构包括多个特征微结构，使得第一光谱像元的光谱响应为宽带响应；由于本申请中直接在红外光谱芯片上设置特征微结构，降低入射光在红外探测器上的串扰，提升光谱测量精度，同时还可以提升红外探测器的良率，即提升红外光谱仪的良率。
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公开(公告)号：CN111896120B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202010801748.7
申请日：2020-08-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01J5/10
Abstract: 本申请公开了一种双色偏振非制冷红外探测器及其制作方法，包括由下向上设置的基底层、第一悬空层、第二悬空层，第二悬空层包括第二支撑层和线栅层；线栅层包括多个超像元区域，每个超像元区域包括呈矩阵排列的第一子超像元区域、第二子超像元区域、第三子超像元区域、第四子超像元区域，第一子超像元区域、第二子超像元区域、第三子超像元区域、第四子超像元区域中均包括四个线栅像元区域，每个线栅像元区域中线栅朝向角度均不同，且第一子超像元区域和第四子超像元区域对应的绝缘介质层的厚度大于第二子超像元区域和第三子超像元区域对应的绝缘介质层的厚度。本申请的红外探测器在实现偏振双色成像的条件下，保证工作视场不受影响。
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公开(公告)号：CN112099114B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202011053733.3
申请日：2020-09-29
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了复合透镜，包括基底；位于基底第一表面的透镜；根据透镜的面型加工误差设置在基底第二表面的第一超表面结构阵列，第一超表面结构阵列包括多个超表面结构单元；第一表面与第二表面相背。本申请的复合透镜包括基底、分别位于基底第一表面和第二表面的透镜和第一超表面结构阵列，由于透镜和第一超表面结构阵列在基底两个不同的表面上，透镜制作完成后，可以根据透镜的面型而设置第一超表面结构阵列，以修正透镜加工时由于面型误差而产生的像差，并且由于可以在透镜制作完成后设置第一超表面结构阵列，对加工误差的容忍度极高。本申请还提供一种具有上述优点的复合透镜制作方法和红外探测器。
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公开(公告)号：CN111947789B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202010801746.8
申请日：2020-08-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01J5/20
Abstract: 本申请公开了双色偏振红外探测器及其制作方法，包括多个探测器单元，探测器单元包括四个超像元结构，超像元结构包括四个像素单元；像素单元包括基底层、第一悬空层、第二悬空层，第一悬空层包括支撑结构层和超表面吸收层，超表面吸收层位于支撑结构层的两个支撑与电连接孔之间，且超表面吸收层包括背板层、介质层、金属阵列层，金属阵列层包括多个不同尺寸的金属块，第二悬空层包括第一支撑层和线栅层；同一超像元结构中的四个线栅层具有各不相同的线栅朝向角度，位于同一对角线上的两个超像元结构中的金属阵列层相同，且两条对角线上的金属阵列层中的金属块尺寸不等，以实现对红外波段的双色偏振成像，无需制作高度不同的谐振腔，制作工艺简单。
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公开(公告)号：CN114295207B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202111641467.0
申请日：2021-12-29
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司 , 睿创微纳(无锡)技术有限公司
Abstract: 本申请公开了非制冷高光谱成像芯片和高光谱成像仪，包括成像感光芯片，成像感光芯片包括在预设方向上排布的多个线状像元阵列；每个线状像元阵列包括多个相同的光谱像元，不同线状像元阵列中的光谱像元不同，且每个光谱像元包括多个使光谱像元的光谱响应为宽带响应的特征微结构；成像感光芯片在预设方向上移动时获取待测目标的光谱信息和空间信息，得到待测目标的高光谱图像。特征微结构使高光谱成像芯片的光谱响应为宽带的，提升光通量和信噪比；且由于使用了宽带响应光谱像元，线扫灵活性增加，可以提升高光谱图像的获取速度。
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