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公开(公告)号：CN102804360B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201080059256.X
申请日：2010-12-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8242 , H01L21/8234 , H01L21/8247 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/10 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L27/1052 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/79 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/11 , H01L27/11551 , H01L27/1156 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L28/40 , H01L29/24 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明的一个实施例的目的在于提供一种在数据存储期间中即使当没有电力供给时也可以存储所存储数据且对写入次数没有制限的新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括：包含使用氧化物半导体以外的半导体材料的第一沟道形成区域的第一晶体管；包含使用氧化物半导体材料的第二沟道形成区域的第二晶体管；以及电容器，其中，第二晶体管的第二源电极和第二漏电极中的一个与电容器的一个电极电连接。
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公开(公告)号：CN102637718B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210115329.3
申请日：2006-05-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G09G3/20 , G06F3/1431 , G09G3/2022 , G09G5/399 , G09G2300/0426 , G09G2320/0271 , G09G2320/0606 , G09G2320/0613 , G09G2320/0666 , G09G2320/10 , G09G2330/021 , G09G2340/0428 , G09G2340/0492 , G09G2340/14 , G09G2360/144 , H01L27/3269 , H01L27/3279 , H04M1/0214 , H04M1/0266 , H04M1/22 , H04M2250/16
Abstract: 本发明的目的是提供其中显示部件在暗区或在强外部光下可见的显示设备。本发明是通过改变响应外部光强的灰度数来进行显示的显示设备，和可以根据屏幕上显示的内容转换显示模式的显示设备。显示内容包括主要显示字符和符号的文本显示模式，显示具有少量颜色的图像如漫画的图片显示模式，和显示具有大量颜色的自然图像比如照片和运动图像的视频模式等。通过根据这些显示模式任意转换灰度数，可以在从暗区或者室内荧光照明下到户外太阳光下的宽范围内确保能见度。例如，转换灰度数以在文本显示模式下以2-8级灰度显示，在图片显示模式下以4-16级灰度显示，在视频模式下以64-1024级灰度显示。
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公开(公告)号：CN101344693B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN200810129601.7
申请日：2001-02-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 小山润
IPC: G02F1/1362 , H01L27/12 , H01L27/32 , H01L21/60
CPC classification number: H01L51/5253 , G02F1/136286 , G09G3/3233 , G09G3/3266 , G09G3/3291 , G09G3/3648 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2310/027 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/3211 , H01L27/3248 , H01L27/3276 , H01L27/3279 , H01L51/0097 , H01L51/524 , H01L2251/301 , H01L2251/5338 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 可提供廉价显示器，以及包含这种显示器的电气设备。在像素部分和驱动电路被包括在同一绝缘表面上的显示器件中，驱动电路包括解码器100和缓存器部分101。解码器100包括多个NAND电路，每个NAND电路包括互相并联的P沟道TFT104-106和其他多个互相串联的P沟道TFT107-109。缓存器部分101包括多个缓存器，每个缓存器包括三个P沟道TFT114-116。
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公开(公告)号：CN101794737B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN200910262560.3
申请日：2009-12-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/84 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 提供了一种包括薄膜晶体管的半导体器件，该薄膜晶体管具有氧化物半导体层和优秀的电特性。此外，提供了一种用于制造半导体器件的方法，其中在一个衬底上形成多种类型的不同结构的薄膜晶体管以形成多种类型的电路，而且其中没有显著增加步骤数量。在绝缘表面上形成金属薄膜之后，在该金属薄膜上形成氧化物半导体层。然后，执行诸如热处理之类的氧化处理以部分或全部地氧化该金属薄膜。此外，在诸如逻辑电路之类强调操作速度的电路与矩阵电路之间，薄膜晶体管的结构不同。
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公开(公告)号：CN103855169A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310624751.6
申请日：2013-11-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H02H9/045 , H01L27/0296 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L2227/323 , H02H9/044
Abstract: 本发明提供一种能够提高可靠性的新颖的显示装置。本发明的一个方式是一种显示装置，包括：设置在第一布线与第二布线之间的绝缘层，其中，绝缘层包括第一绝缘层以及以与第一绝缘层重叠的方式设置的第二绝缘层，绝缘层包括第二绝缘层的一部分被去除的区域，并且，该区域用作保护电路。另外，本发明的一个方式是一种显示装置，其中在绝缘层与晶体管所具有的半导体层重叠的区域中包括第一绝缘层及第二绝缘层。另外，本发明的一个方式是一种显示装置，其中在将第一布线与第二布线直接连接的区域中包括第一绝缘层及第二绝缘层被去除的区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101081324B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN200710108219.3
申请日：2007-06-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 小山润
CPC classification number: A61N1/375 , A61N1/3787
Abstract: 人体埋藏式心脏起搏器需要定期地更换电池，从而每次对患者造成痛苦。因此，本发明的目的在于使心脏起搏器不需要更换电池。本发明的心脏起搏器内置有内置天线与电池，并且由电磁波从体外将电力发送到内置天线，从而在电池中存储电力。起搏器主体可以利用存储在电池中的电力而进行运作。根据需要，本发明可以从外部以无线方式供给电力，并且不需要做更换电池的手术，从而可以解除患者的痛苦。
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公开(公告)号：CN103578442A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310316646.6
申请日：2013-07-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/36 , G02F1/133 , G02F1/1362
CPC classification number: G09G3/3614 , G09G3/3406 , G09G3/36 , G09G2310/0245 , G09G2320/0261 , G09G2320/046 , G09G2320/0626 , G09G2330/021 , G09G2330/027
Abstract: 本发明可以提供一种即使在动态图像显示时也可以降低耗电量的液晶显示装置。尤其是可以提供一种即使在动态图像显示时也可以降低耗电量并能够抑制液晶元件劣化的液晶显示装置。一种液晶显示装置，包括：具有晶体管及液晶元件的多个像素；以及至少对多个像素输入视频信号和复位信号的驱动电路。驱动电路针对每m帧（m为2以上的自然数）反转视频信号的极性并将其输入像素，并在不输入视频信号的期间对像素输入复位信号。
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公开(公告)号：CN101950525B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201010507062.3
申请日：2006-05-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G09G3/3291 , G09G3/001 , G09G3/2022 , G09G3/3233 , G09G3/3258 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0852 , G09G2300/0861 , G09G2310/0251 , G09G2310/027 , G09G2310/0283 , G09G2310/0289 , G09G2320/0271 , G09G2360/144 , H01L27/3265 , H01L27/3269
Abstract: 本发明的目标是提供一种其中图像在黑暗的地方至强烈的外部光下可以被看到的显示装置。在显示装置中，通过根据外部光强度改变灰度级数量来执行显示，并根据在显示屏幕上显示的内容切换显示模式。根据外部光强度切换模拟模式和数字模式。在模拟数字切换电路中，当视频信号为模拟值时，信号不加任何改变输出至像素阵列，当视频信号为数字值时，信号被输出至执行数字操作的电路中，诸如锁存器电路。从而，适当地改变像素的显示灰度级。因此，可以显示清晰的图像。例如，就可能在黑暗地方或者室内荧光至室外日光的较宽的范围内确保可见度。
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公开(公告)号：CN101354755B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200810133477.1
申请日：2008-07-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077 , H01L25/00 , H01L23/31 , H01L23/60
CPC classification number: G06K19/07735 , G06K19/07722 , G06K19/07794 , H01L23/295 , H01L23/3157 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/19041 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
Abstract: 一种能够进行无线通信的半导体器件，其具有在对外力、尤其是压紧力的抵抗力方面的高可靠性，并且能在不妨碍电波接收的情况下防止集成电路中的静电放电。该半导体器件包括连接到集成电路的芯片上天线和在无接触的情况下将包括在接收的电波中的信号或功率发送到芯片上天线的增益天线。在该半导体器件中，集成电路和芯片上天线插在通过用树脂填充纤维体形成的一对结构体之间。结构体中的一个设置在芯片上天线与增益天线之间。具有约为106～1014Ω/cm2的表面电阻值的导电膜在每个结构体的至少一个表面上形成。
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公开(公告)号：CN103219394A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310138489.4
申请日：2009-12-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1255 , H01L27/12 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L28/20 , H01L29/24 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及一种驱动电路及半导体装置，提供一种利用使用被电特性控制的氧化物半导体层而制造的电阻元件及薄膜晶体管的驱动电路、以及利用该驱动电路的半导体装置。在用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)上直接接触地设置利用使用含有硅烷（SiH4）以及氨（NH3）等的氢化合物的气体的等离子体CVD法而形成的氮化硅层(910)，并且在用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)上隔着用作阻挡层的氧化硅层(909)地设置氮化硅层(910)。因此，对氧化物半导体层(905)引入比氧化物半导体层(906)更高浓度的氢。其结果，用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)的电阻值低于用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)的电阻值。
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