公开(公告)号：CN101354755A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810133477.1

申请日：2008-07-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  加藤清 ,  高缘贵章 ,  八洼裕人 ,  柳泽真 ,  大谷久 ,  杉山荣二 ,  堀越望

IPC: G06K19/077 ,  H01L25/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/60

CPC classification number: G06K19/07735 ,  G06K19/07722 ,  G06K19/07794 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3157 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种能够进行无线通信的半导体器件，其具有在对外力、尤其是压紧力的抵抗力方面的高可靠性，并且能在不妨碍电波接收的情况下防止集成电路中的静电放电。该半导体器件包括连接到集成电路的芯片上天线和在无接触的情况下将包括在接收的电波中的信号或功率发送到芯片上天线的增益天线。在该半导体器件中，集成电路和芯片上天线插在通过用树脂填充纤维体形成的一对结构体之间。结构体中的一个设置在芯片上天线与增益天线之间。具有约为106～1014Ω/cm2的表面电阻值的导电膜在每个结构体的至少一个表面上形成。

公开(公告)号：CN119234309A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202380040260.9

申请日：2023-05-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 八洼裕人 ,  黑川义元 ,  乡户宏充 ,  大下智

IPC: H01L25/07 ,  G11C5/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/36 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H10B41/20 ,  H10B99/00

Abstract: 提供一种具有新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括具有生成第一电压的第一电源电路的基础裸片、具有通过被供应第一电压而生成第二电压的第二电源电路的第一裸片以及具有通过被供应第二电压而工作的功能电路的第二裸片。第一裸片及第二裸片包括第一贯通电极及第二贯通电极。第一裸片设置在基础裸片上。第二裸片以接触于第一裸片的上层或下层的方式设置。基础裸片与第一裸片通过第一贯通电极电连接。第一裸片与第二裸片通过第二贯通电极电连接。

公开(公告)号：CN115606008A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202180035657.X

申请日：2021-05-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所(JP)

Inventor： 山崎舜平 ,  池田隆之 ,  大贯达也 ,  八洼裕人

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 提供一种能够植入生物的半导体装置。该半导体装置包括通信部、控制部、存储部、运算部及传感器部。控制部具有控制通信部、运算部、存储部的功能。存储部具有保持识别信息的功能。此外，运算部具有使用第一信息及从所述传感器部供应的第二信息生成第三信息的功能。控制部具有对应于通过通信部输入的信号使运算部进行运算処理的功能。控制部具有对应于通过通信部输入的信号将识别信息和第三信息中的一方或双方通过通信部输出到外部的功能。运算部包括在沟道形成区域中包含氧化物半导体的晶体管。半导体装置优选被覆盖材料覆盖。

公开(公告)号：CN119908011A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202380067547.0

申请日：2023-09-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 丰高耕平 ,  八洼裕人 ,  古谷一马

IPC: G11C14/00 ,  G11C5/02 ,  G11C5/14 ,  H10B12/00 ,  H10B41/70 ,  H10B53/30 ,  H10B99/00 ,  G06F9/48 ,  H10D84/03 ,  H10D84/83 ,  H10D84/80 ,  H10D84/00 ,  H10D30/67 ,  H10D30/01 ,  H10D30/69 ,  H10D30/68

Abstract: 提供一种新颖的半导体装置。该半导体装置包括具有n个触发器的触发器群以及多个存储单元。触发器群具有保持n位的数据的功能。多个存储单元中的一个具有保持n位的数据的功能。多个存储单元中的另一个具有保持p位的数据的功能。在保持在触发器群中的数据为n位时，在第一工作中将保持在触发器群中的n位的数据写入到存储单元中的一个。在保持在触发器群中的数据为p位时，在第二工作中将该p位的数据写入到存储单元中的另一个。n为2以上的整数中的任一个，p为1以上且小于n的整数中的任一个。

公开(公告)号：CN101354755B

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN200810133477.1

申请日：2008-07-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  加藤清 ,  高缘贵章 ,  八洼裕人 ,  柳泽真 ,  大谷久 ,  杉山荣二 ,  堀越望

IPC: G06K19/077 ,  H01L25/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/60

CPC classification number: G06K19/07735 ,  G06K19/07722 ,  G06K19/07794 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3157 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种能够进行无线通信的半导体器件，其具有在对外力、尤其是压紧力的抵抗力方面的高可靠性，并且能在不妨碍电波接收的情况下防止集成电路中的静电放电。该半导体器件包括连接到集成电路的芯片上天线和在无接触的情况下将包括在接收的电波中的信号或功率发送到芯片上天线的增益天线。在该半导体器件中，集成电路和芯片上天线插在通过用树脂填充纤维体形成的一对结构体之间。结构体中的一个设置在芯片上天线与增益天线之间。具有约为106～1014Ω/cm2的表面电阻值的导电膜在每个结构体的至少一个表面上形成。

公开(公告)号：CN113454718A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202080014280.5

申请日：2020-02-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大贯达也 ,  八洼裕人 ,  斋藤圣矢

IPC: G11C5/02 ,  G11C7/18 ,  G11C8/10 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786 ,  G11C11/408

Abstract: 提供一种新颖的半导体装置。该半导体装置包括驱动电路及第一晶体管层至第三晶体管层。第一晶体管层包括具有第一晶体管及第一电容器的第一存储单元。第二晶体管层包括具有第二晶体管及第二电容器的第二存储单元。第三晶体管层包括切换电路及放大电路。第一晶体管与第一局部位线电连接。第二晶体管与第二局部位线电连接。切换电路具有选择第一局部位线或第二局部位线与放大电路电连接的功能。第一晶体管层至第三晶体管层设置在硅衬底上。第三晶体管层设置于第一晶体管层与第二晶体管层之间。

公开(公告)号：CN113330552A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN201980089579.4

申请日：2019-11-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大贯达也 ,  八洼裕人 ,  冈本佑树 ,  斋藤圣矢 ,  加藤清 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种新颖结构的半导体装置。半导体装置包括：包括第一存储单元的第一元件层；包括第二存储单元的第二元件层；以及包括驱动电路的硅衬底。第一元件层设置在硅衬底和第二元件层之间。第一存储单元包括第一晶体管及第一电容器。第二存储单元包括第二晶体管及第二电容器。第一晶体管的源极和漏极中的一个及第二晶体管的源极和漏极中的一个分别与用来电连接到驱动电路的布线电连接。布线接触于第一晶体管所包括的第一半导体层及第二晶体管所包括的第二半导体层，并且设置在相对于硅衬底的表面的垂直方向或大致垂直方向上。

公开(公告)号：CN103201831A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201180053060.4

申请日：2011-10-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 加藤清 ,  盐野入丰 ,  长塚修平 ,  八洼裕人 ,  小山润

IPC: H01L21/8242 ,  G11C11/405 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1156 ,  G11C11/403 ,  G11C16/0433 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1225 ,  H01L28/40

Abstract: 延长半导体装置或半导体存储装置中的数据保持期间。半导体装置或半导体存储器包含存储电路，该存储电路包含第一晶体管及第二晶体管，第一晶体管包含第一半导体层及第一栅极，第二晶体管包含第二半导体层、第二栅极、及第三栅极。第一半导体层与包含第二栅极的层同時形成。

公开(公告)号：CN101222085A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200710160854.6

申请日：2007-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 八洼裕人 ,  高缘贵章

IPC: H01Q1/38 ,  H01Q7/00 ,  H01Q23/00 ,  H04B5/00

CPC classification number: H01Q7/00 ,  H01Q1/2283 ,  H01Q1/38

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制在电磁感应方式的天线中的电流密度分布的不均匀来产生歪斜少的磁场的天线。另外，本发明提供一种响应频率和通信距离的不均匀性低的半导体装置。本发明的技术要点如下：一种在环形导体图案的一部分具有缺口部的天线，其中所述缺口部的所述导体图案的截面相对置。另外，在所述缺口部中，天线的导体图案电耦合而形成电容。另外，本发明是一种所述天线及集成电路通过供电部而电连接的半导体装置。

公开(公告)号：CN119487574A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202380051384.7

申请日：2023-06-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 黑川义元 ,  八洼裕人 ,  古谷一马 ,  丰高耕平

IPC: G11C5/02 ,  G06F9/48 ,  G06F12/00 ,  G06N3/065 ,  G11C5/04 ,  G11C14/00 ,  H10B80/00

Abstract: 本发明的一个方式提供一种具有新颖的结构的半导体装置。半导体装置包括：包括寄存器的第一运算装置；以及包括存储电路、层选择电路及运算电路的第二运算装置。第一运算装置及第二运算装置设置于在第一元件层上层叠多个第二元件层而成的元件层中。寄存器包括触发器及数据保持电路。触发器及运算电路设置在第一元件层中。数据保持电路设置在包括触发器的第一元件层上的多个第二元件层的各层中。存储电路及层选择电路设置在包括运算电路的第一元件层上的多个第二元件层的各层中。