公开(公告)号：CN101222085A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200710160854.6

申请日：2007-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 八洼裕人 ,  高缘贵章

IPC: H01Q1/38 ,  H01Q7/00 ,  H01Q23/00 ,  H04B5/00

CPC classification number: H01Q7/00 ,  H01Q1/2283 ,  H01Q1/38

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制在电磁感应方式的天线中的电流密度分布的不均匀来产生歪斜少的磁场的天线。另外，本发明提供一种响应频率和通信距离的不均匀性低的半导体装置。本发明的技术要点如下：一种在环形导体图案的一部分具有缺口部的天线，其中所述缺口部的所述导体图案的截面相对置。另外，在所述缺口部中，天线的导体图案电耦合而形成电容。另外，本发明是一种所述天线及集成电路通过供电部而电连接的半导体装置。

公开(公告)号：CN101354755B

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN200810133477.1

申请日：2008-07-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  加藤清 ,  高缘贵章 ,  八洼裕人 ,  柳泽真 ,  大谷久 ,  杉山荣二 ,  堀越望

IPC: G06K19/077 ,  H01L25/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/60

CPC classification number: G06K19/07735 ,  G06K19/07722 ,  G06K19/07794 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3157 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种能够进行无线通信的半导体器件，其具有在对外力、尤其是压紧力的抵抗力方面的高可靠性，并且能在不妨碍电波接收的情况下防止集成电路中的静电放电。该半导体器件包括连接到集成电路的芯片上天线和在无接触的情况下将包括在接收的电波中的信号或功率发送到芯片上天线的增益天线。在该半导体器件中，集成电路和芯片上天线插在通过用树脂填充纤维体形成的一对结构体之间。结构体中的一个设置在芯片上天线与增益天线之间。具有约为106～1014Ω/cm2的表面电阻值的导电膜在每个结构体的至少一个表面上形成。

公开(公告)号：CN101192704A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200710196086.X

申请日：2007-11-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 柳泽真 ,  高缘贵章

IPC: H01Q1/38 ,  H01Q21/00 ,  H01Q21/24 ,  H01Q7/00 ,  H01Q9/30 ,  H04B5/00

CPC classification number: H01Q7/00 ,  H01Q1/2225 ,  H01Q23/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种天线及具有该天线的半导体装置，所述天线能够接收圆极化波并能够进行与半导体装置的IC(集成电路)之间的阻抗匹配。本发明包括第一导体图形、第二导体图形、第三导体图形、以及供电部，其中，第一导体图形是包括切断部的环形，并且，将第二导体图形的第一端部及第三导体图形的第一端部连接到所述环形的第一导体图形，将第二导体图形的第二端部和第三导体图形的第二端部连接到供电部，将第二导体图形的全长设置为大于第三导体图形的全长，并且将第二导体图形布置为其到切断部比第三导体图形到切断部近。

公开(公告)号：CN101192704B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200710196086.X

申请日：2007-11-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 柳泽真 ,  高缘贵章

IPC: H01Q1/38 ,  H01Q21/00 ,  H01Q21/24 ,  H01Q7/00 ,  H01Q9/30 ,  H04B5/00

CPC classification number: H01Q7/00 ,  H01Q1/2225 ,  H01Q23/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种天线及具有该天线的半导体装置，所述天线能够接收圆极化波并能够进行与半导体装置的IC(集成电路)之间的阻抗匹配。本发明包括第一导体图形、第二导体图形、第三导体图形、以及供电部，其中，第一导体图形是包括切断部的环形，并且，将第二导体图形的第一端部及第三导体图形的第一端部连接到所述环形的第一导体图形，将第二导体图形的第二端部和第三导体图形的第二端部连接到供电部，将第二导体图形的全长设置为大于第三导体图形的全长，并且将第二导体图形布置为其到切断部比第三导体图形到切断部近。

公开(公告)号：CN101354755A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810133477.1

申请日：2008-07-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  加藤清 ,  高缘贵章 ,  八洼裕人 ,  柳泽真 ,  大谷久 ,  杉山荣二 ,  堀越望

IPC: G06K19/077 ,  H01L25/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/60

CPC classification number: G06K19/07735 ,  G06K19/07722 ,  G06K19/07794 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3157 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种能够进行无线通信的半导体器件，其具有在对外力、尤其是压紧力的抵抗力方面的高可靠性，并且能在不妨碍电波接收的情况下防止集成电路中的静电放电。该半导体器件包括连接到集成电路的芯片上天线和在无接触的情况下将包括在接收的电波中的信号或功率发送到芯片上天线的增益天线。在该半导体器件中，集成电路和芯片上天线插在通过用树脂填充纤维体形成的一对结构体之间。结构体中的一个设置在芯片上天线与增益天线之间。具有约为106～1014Ω/cm2的表面电阻值的导电膜在每个结构体的至少一个表面上形成。