公开(公告)号：CN102903759A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210403155.0

申请日：2008-09-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  笹川慎也 ,  石塚章广

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/6675 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696 ,  H01L33/0058 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭示了薄膜晶体管和显示设备的制造方法，并且提供一种漏电流小且可靠性高的半导体装置的制造方法。在薄膜晶体管的制造方法中，通过利用抗蚀掩模进行蚀刻来在薄膜晶体管中形成背沟道部，通过去掉该抗蚀掩模并蚀刻所述背沟道部的一部分，去掉残存于背沟道部上的蚀刻残渣等，由此可以降低产生的漏电流。当进一步蚀刻背沟道部时，可以以无偏向的干法蚀刻来进行。

公开(公告)号：CN101533780B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200910128712.0

申请日：2009-03-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  沟口隆文

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/027 ,  H01L21/28 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明的名称为薄膜晶体管的制造方法及显示装置的制造方法，提供掩模数目少的薄膜晶体管及显示装置的制造方法。通过如下步骤形成薄膜晶体管：形成导电膜；在所述导电膜上具有图案的薄膜叠层体；在所述薄膜叠层体中以到达所述导电膜的方式形成开口部；使用侧面蚀刻加工所述导电膜来形成栅电极层；以及在所述栅电极层上形成绝缘层、半导体层、源电极及漏电极层。通过设置开口部，蚀刻的控制性提高。

公开(公告)号：CN101308782B

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN200810088432.7

申请日：2008-03-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  下村明久 ,  沟井达也 ,  比嘉荣二 ,  永野庸治

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明的目的在于提供一种利用氢离子注入法的SOI衬底的制造方法，在该SOI衬底中，支撑衬底由玻璃衬底那样的耐热性低的衬底构成，并且包括表面的平坦性高且厚度为薄的100nm以下的半导体层。中间夹着接合层将半导体衬底和支撑衬底贴在一起。通过进行加热处理来分割半导体衬底，可以获得固定有从半导体衬底分离的半导体层的支撑衬底。通过对该半导体层照射激光束并使它熔化，提高半导体层的表面的平坦性，且恢复其结晶性。在照射激光束之后，通过蚀刻等来减薄半导体层。通过以上工序，可以制造SOI衬底，在该SOI衬底中，在支撑衬底上存在其厚度为100nm以下的单晶半导体层。

公开(公告)号：CN102456533A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110354613.1

申请日：2011-10-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  沼泽阳一郎 ,  井上卓之 ,  高桥功二郎 ,  一条充弘

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/50 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574

Abstract: 本发明提供一种使电场强度和气体分布均匀的等离子体处理装置，具有：上部电极与下部电极对置且由室壁罩住的处理室；以及由上部电极及绝缘体与处理室分隔且由室壁罩住的线室，其中处理室与设置在分散板与簇射板之间的第一气体扩散室连接，第一气体扩散室与设置在分散板与上部电极的电极面之间的第二气体扩散室连接，第二气体扩散室连接到上部电极内的第一气体管，上部电极内的第一气体管连接到第二气体管，第二气体管连接到处理用气体供应源，线室具有惰性气体导入口、共轴设置的上部电极及室壁，分散板与连接到上部电极的电极面的在上部电极内的第一气体管的气体导入口对置，并且，该分散板具有分散板中央部及分散板周边部，该分散板中央部未设置气体孔，该分散板周边部设置有多个气体孔。

公开(公告)号：CN101681843B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200880020573.3

申请日：2008-06-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  宫入秀和

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L21/322 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明的目的在于抑制在制造SOI衬底时发生的金属污染的影响。对半导体衬底照射氢离子来形成损伤区域，然后接合基底衬底和半导体衬底。通过加热处理使半导体衬底劈开，以制造SOI衬底。即使在氢离子的照射工序中金属离子与氢离子一起注入到半导体衬底中，也可以通过吸杂处理抑制金属污染的影响。因此，可以肯定地使用离子掺杂法照射氢离子。

公开(公告)号：CN102386072A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110228409.5

申请日：2011-08-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小松立 ,  神保安弘 ,  宫入秀和

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的一个方式是如下：在第一条件下在绝缘膜上形成以低微粒密度具有高结晶性的混合相微粒的晶种，然后在第二条件下使混合相微粒生长而以填埋混合相微粒的空隙的方式在晶种上形成第一微晶半导体膜，并且，在不扩大第一微晶半导体膜所包含的混合相微粒之间的空隙且形成高结晶性的微晶半导体膜的第三条件下在第一微晶半导体膜上层叠形成第二微晶半导体膜。

公开(公告)号：CN101179012B

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200710186035.9

申请日：2007-11-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  宫入秀和 ,  神保安弘

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/02678 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0738 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1285

Abstract: 在热膨胀率为大于6×10-7/℃且38×10-7/℃以下的玻璃基板上形成含有半导体膜的层并加热该层。接着，对经加热的层照射脉冲振荡的紫外激光束来形成结晶半导体膜，所述激光束具有100μm以下的宽度、1∶500以上的宽长比以及50μm以下的激光束轮廓的半峰全宽。经上述加热后，玻璃基板上形成的含有半导体膜的层的总应力成为-500N/m以上且+50N/m以下。

公开(公告)号：CN102197490A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200980142763.7

申请日：2009-09-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  长多刚 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/47635 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648

Abstract: 由于显示器具有更高的清晰度，像素、栅极线和信号线的数目增加。当栅极线和信号线的数目增加时，出现更高制造成本的问题，因为难以通过接合或类似方式安装包括用于驱动该栅极和信号线的驱动电路的IC芯片。像素部分和用于驱动该像素部分的驱动电路提供在相同衬底之上，并且该驱动电路的至少一部分包括使用氧化物半导体的薄膜晶体管，该氧化物半导体插入提供在氧化物半导体上面和下面的栅电极之间。因此，当像素部分和驱动器部分提供在相同衬底之上时，制造成本可以降低。

公开(公告)号：CN102136498A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN201010620963.3

申请日：2010-12-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  笹川慎也 ,  仓田求

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78678 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明名称为“薄膜晶体管”。提供一种具有有利电特性和高生产率的薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括覆盖栅电极的栅绝缘层、与栅绝缘层接触的半导体层、与部分半导体层接触并充当源区和漏区的杂质半导体层及与杂质半导体层接触的布线。半导体层包括具有凹凸形状且在栅绝缘层侧上形成的微晶半导体区和与微晶半导体区接触的非晶半导体区。在半导体层与布线之间提供势垒区。

公开(公告)号：CN102117837A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN201010624629.5

申请日：2010-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  笹川慎也 ,  仓田求 ,  田所麻美

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/78609 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678

Abstract: 提供一种具有有利电特性的薄膜晶体管。薄膜晶体管包括：栅电极；栅绝缘层；半导体层，它包括微晶半导体区和非晶半导体区；杂质半导体层；布线；第一氧化区，设置在微晶半导体区与布线之间；以及第二氧化区，设置在非晶半导体区与布线之间，其中，在从所述布线中包含的元素的分布与所述半导体层中包含的元素的分布的相交处的所述半导体层侧，与所述第一氧化区中的氧分布的最高倾斜度(m1)相切的直线和与所述第二氧化区中的氧分布的最高倾斜度(m2)相切的直线满足关系式1＜m1/m2＜10。