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公开(公告)号：CN103681805B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201310419349.4
申请日：2013-09-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/423 , H01L21/283
Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供一种晶体管的导通特性得到提高且能够实现高速响应、高速驱动的半导体装置。并且，制造可靠性高且示出稳定的电特性的半导体装置。本发明的一个方式是具有晶体管的半导体装置，该晶体管包括：第一氧化物层；第一氧化物层上的氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极层及漏电极层；氧化物半导体层上的第二氧化物层；第二氧化物层上的栅极绝缘层；以及栅极绝缘层上的栅电极层，其中，第二氧化物层的边缘部及栅极绝缘层的边缘部与源电极层及漏电极层重叠。
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公开(公告)号：CN102117837B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201010624629.5
申请日：2010-12-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/04
CPC classification number: H01L29/78609 , H01L29/66765 , H01L29/78618 , H01L29/78669 , H01L29/78678
Abstract: 提供一种具有有利电特性的薄膜晶体管。薄膜晶体管包括：栅电极；栅绝缘层；半导体层，它包括微晶半导体区和非晶半导体区；杂质半导体层；布线；第一氧化区，设置在微晶半导体区与布线之间；以及第二氧化区，设置在非晶半导体区与布线之间，其中，在从所述布线中包含的元素的分布与所述半导体层中包含的元素的分布的相交处的所述半导体层侧，与所述第一氧化区中的氧分布的最高倾斜度(m1)相切的直线和与所述第二氧化区中的氧分布的最高倾斜度(m2)相切的直线满足关系式1＜m1/m2＜10。
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公开(公告)号：CN102148257B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201010620965.2
申请日：2010-12-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L21/77
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , H01L29/78696
Abstract: 一个实施例是一种薄膜晶体管，它包括：栅电极层；栅绝缘层，设置成使得覆盖栅电极层；第一半导体层，与栅电极层完全重叠；第二半导体层，设置在第一半导体层之上并且与其接触，而且具有比第一半导体层更低的载流子迁移率；杂质半导体层，设置成与第二半导体层接触；侧壁绝缘层，设置成使得覆盖第一半导体层的至少侧壁；以及源和漏电极层，设置成至少与杂质半导体层接触。第二半导体层可由在第一半导体层之上相互分开的部分组成。
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公开(公告)号：CN103779426A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410046438.3
申请日：2010-12-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/45 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种维持有利的特性并实现微细化的、包括氧化物半导体的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与所述氧化物半导体层重叠的栅电极；以及设置在所述氧化物半导体层和所述栅电极之间的栅极绝缘层，其中，所述源电极及所述漏电极各包括第一导电层和具有从所述第一导电层的端部向沟道长度方向延伸的区域的第二导电层。
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公开(公告)号：CN101479777A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200780024166.5
申请日：2007-05-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G02B1/118 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , C09K2211/185 , G02F1/133502 , G02F2201/38 , H01L27/3244 , H01L51/5281 , H05B33/22
Abstract: 一种显示设备，其包括抗反射膜，该抗反射膜具有在显示屏幕表面之上的多个凸起，由该多个凸起中的每个凸起的基底与斜面所成的角度为大于等于84度且小于90度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116034488A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202180057131.1
申请日：2021-08-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
Abstract: 提供一种晶体管特性不均匀小的半导体装置。包括如下工序：在包括氧化物半导体器件的结构体中形成到达氧化物半导体器件的开口的工序；将第一导电体嵌入开口中的工序；以与第一导电体的顶面接触的方式形成第二导电体的工序；通过溅射法以覆盖结构体、第一导电体及第二导电体的方式形成第一阻挡绝缘膜的工序；以及通过ALD法在第一阻挡绝缘膜上形成第二阻挡绝缘膜的工序，其中第一阻挡绝缘膜及第二阻挡绝缘膜具有抑制氢的扩散的功能。
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公开(公告)号：CN111799335A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010730732.1
申请日：2014-12-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/10
Abstract: 本发明提供一种具有良好的电特性的半导体装置。该半导体装置包括：绝缘层；绝缘层上的半导体层；与半导体层电连接的源电极层及漏电极层；半导体层、源电极层以及漏电极层上的栅极绝缘膜；以及隔着栅极绝缘膜与部分半导体层、部分源电极层以及部分漏电极层重叠的栅电极层，其中半导体层的沟道宽度方向上的截面为大致三角形或大致梯形，以使实效的沟道宽度短于截面为四边形的情况。
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公开(公告)号：CN102157566B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201110030644.1
申请日：2008-03-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/417 , H01L27/12 , H01L23/522
CPC classification number: H01L29/41733 , H01L21/76804 , H01L21/76805 , H01L23/485 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，当形成接触孔时容易进行蚀刻控制。本发明的半导体装置至少包括：形成在绝缘表面上的半导体层；形成在半导体层上的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的栅电极；以及形成在栅电极上的第二绝缘层，其中，至少在半导体层及第二绝缘层中形成有开口部而露出绝缘表面的一部分，并且，还包括通过该开口部且形成在第二绝缘层上的导电层。这里的导电层在形成于半导体层中的开口的侧面处与半导体层电连接。
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公开(公告)号：CN102742014B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201080062030.5
申请日：2010-12-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种维持有利的特性并实现微细化的、包括氧化物半导体的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与所述氧化物半导体层重叠的栅电极；以及设置在所述氧化物半导体层和所述栅电极之间的栅极绝缘层，其中，所述源电极及所述漏电极各包括第一导电层和具有从所述第一导电层的端部向沟道长度方向延伸的区域的第二导电层。
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公开(公告)号：CN102742014A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201080062030.5
申请日：2010-12-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种维持有利的特性并实现微细化的、包括氧化物半导体的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与所述氧化物半导体层重叠的栅电极；以及设置在所述氧化物半导体层和所述栅电极之间的栅极绝缘层，其中，所述源电极及所述漏电极各包括第一导电层和具有从所述第一导电层的端部向沟道长度方向延伸的区域的第二导电层。
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