公开(公告)号：CN105826345B

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201510272379.6

申请日：2007-10-31

Applicant: 伊利诺伊大学评议会 ,  艾克斯瑟乐普林特有限公司

Inventor： J·罗杰斯 ,  R·纳佐 ,  M·梅尔特 ,  E·梅纳德 ,  A·J·巴卡 ,  M·穆塔拉 ,  J-H·安 ,  S-I·朴 ,  C-J·于 ,  H·C·高 ,  M·斯托伊克维奇 ,  J·尹

IPC: H01L27/15

CPC classification number: H01L25/50 ,  B81C2201/0185 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/00 ,  H01L25/042 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/167 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78681 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/02325 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/043 ,  H01L31/0525 ,  H01L31/0543 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/167 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/1868 ,  H01L31/1876 ,  H01L31/1892 ,  H01L33/005 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  H01L33/483 ,  H01L33/52 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0091 ,  H01S5/021 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/183 ,  H01S5/3013 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/423 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了至少部分经由基于印刷的组装以及器件构件的集成来制造的光学器件和系统。本发明的光学系统包含经由印刷技术与其他器件构件组装、组织和/或集成的半导体元件,所述光学系统展现出与10个使用常规高温处理方法制造的基于单晶半导体的器件相当的性能特性和功能。本发明的光学系统具有通过印刷达到的、提供多种有用的器件功能性的器件几何形态和配置,诸如形状因素、构件密度和构件位置。

公开(公告)号：CN104282782B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201410319160.2

申请日：2014-07-04

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 权亨振 ,  朴铉定 ,  崔正薰 ,  朴昶绪

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明讨论了一种太阳能电池及其制造方法，所述太阳能电池包括半导体基板、在该半导体基板的一个表面上形成的隧穿层、在该隧穿层表面上形成的第一导电半导体层，和在该隧穿层表面上形成的第二导电半导体层。分离部将该第一与第二导电半导体层相互分离，所述分离部在与该第一与第二导电半导体层之间边界的至少一部分对应的位置处在该隧穿层表面上形成。

公开(公告)号：CN102176486B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201110076041.5

申请日：2007-10-31

Applicant: 伊利诺伊大学评议会 ,  森普瑞斯公司

Inventor： J·罗杰斯 ,  R·纳佐 ,  M·梅尔特 ,  E·梅纳德 ,  A·J·巴卡 ,  M·穆塔拉 ,  J-H·安 ,  S-I·朴 ,  C-J·于 ,  H·C·高 ,  M·斯托伊克维奇 ,  J·尹

IPC: H01L31/054 ,  H01L31/0725 ,  H01L27/12 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L25/50 ,  B81C2201/0185 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/00 ,  H01L25/042 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/167 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78681 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/02325 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/043 ,  H01L31/0525 ,  H01L31/0543 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/167 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/1868 ,  H01L31/1876 ,  H01L31/1892 ,  H01L33/005 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  H01L33/483 ,  H01L33/52 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0091 ,  H01S5/021 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/183 ,  H01S5/3013 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/423 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了至少部分经由基于印刷的组装以及器件构件的集成来制造的光学器件和系统。本发明的光学系统包含经由印刷技术与其他器件构件组装、组织和/或集成的半导体元件，所述光学系统展现出与10个使用常规高温处理方法制造的基于单晶半导体的器件相当的性能特性和功能。本发明的光学系统具有通过印刷达到的、提供多种有用的器件功能性的器件几何形态和配置，诸如形状因素、构件密度和构件位置。

公开(公告)号：CN104332512A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201410321489.2

申请日：2014-07-07

Applicant: 河南科技大学

Inventor： 李新利 ,  毛志平 ,  马战红 ,  李武会 ,  任凤章 ,  王宇飞 ,  许荣辉 ,  柳勇

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1824

Abstract: 本发明公开了一种微晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法，该电池包括衬底、透明导电薄膜、p型微晶硅薄膜窗口层、本征微晶硅薄膜吸收层、n型微晶硅层和背反射电极，所述p型微晶硅薄膜窗口层与本征微晶硅薄膜吸收层之间设有pi界面层，所述本征微晶硅薄膜吸收层与n型微晶硅层之间设有in界面层。本发明的微晶硅薄膜太阳能电池，在掺杂层与本征层之间设置过渡界面层，改善了电池的界面性能和能带结构，有利于载流子的输出和收集，从而提高了电池的效率。

公开(公告)号：CN104025307A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201280065857.0

申请日：2012-12-20

Applicant: TEL太阳能公司

Inventor： 玛丽安娜·费乔鲁-莫拉留

IPC: H01L31/0368 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/052 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L31/076

CPC classification number: H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/056 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及高效率和低生产成本的多结薄膜太阳能电池(70)。多结薄膜太阳能电池的组成电池之一(61)的n层(64，65，66，67)具有沿入射光的预期的方向包括非晶氢化硅n层(64)、第一微晶氢化硅n层(65)、中间反射层(66)和第二微晶氢化硅n层(67)的序列的结构，其中中间反射层为如下中之一：单个微晶的基本为硅氧化物的层；或多个层序列，每个层序列均沿入射光的预期的方向包括微晶的基本为硅氧化物的层和微晶硅n层。本发明还涉及制造以上n层(64，65，66，67)的方法，以及涉及制造上述多结薄膜太阳能电池(70)的方法。

公开(公告)号：CN103594550A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201310474882.0

申请日：2013-10-12

Applicant: 南昌大学

Inventor： 黄海宾 ,  周浪 ,  高江 ,  崔冶青

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  H01L31/208

Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池用的图形化掺杂晶硅薄膜制备方法，其特征是先利用低温气相沉积技术制备图形化的掺杂非晶硅或微晶硅薄膜，然后利用快速热处理方法获得图形化的掺杂晶硅薄膜。本发明可获得更加丰富的图形式样、可更加方便的调节掺杂薄膜的厚度、掺杂元素的种类和掺杂浓度的分布，为进一步改善晶硅太阳能电池器件结构和工艺提供了空间。

公开(公告)号：CN101567408B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN200910136910.1

申请日：2009-04-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 加藤翔 ,  鸟海聪志 ,  井坂史人

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0256

CPC classification number: H01L31/1896 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/042 ,  H01L31/072 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/1872 ,  H02S40/34 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 所公开的发明的目的之一在于在有效地利用有限的资源的同时安全地提供具有优越的光电转换特性的光电转换装置。在所公开的发明中，在单晶半导体衬底中形成脆化层，并且在单晶半导体衬底的一个表面上形成第一杂质半导体层、第一电极以及绝缘层；通过在将绝缘层和支撑衬底贴紧来将单晶半导体衬底和支撑衬底贴在一起后，在脆化层中分离单晶半导体衬底，形成包括第一单晶半导体层的叠层体；在第一单晶半导体层上形成第一半导体层及第二半导体层；通过固相成长，提高第一半导体层及第二半导体层的结晶度，来形成第二单晶半导体层；在第二单晶半导体层上形成具有与第一杂质半导体层相反的导电型的第二杂质半导体层；在第二杂质半导体层上形成第二电极。

公开(公告)号：CN101944543B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201010153944.4

申请日：2010-04-23

Applicant: 韩国铁钢株式会社

Inventor： 明承烨

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/03687 ,  H01L31/03765 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1816 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种光电装置及其制造方法，其包括：基板；第一电极，设置在上述基板上；至少一个光电转换层，设置在上述第一电极上，且包括受光层；第二电极，设置在上述光电转换层上。所述受光层包括：第一子层，含有氢化微晶硅锗(μc-SiGe:H)和在所述氢化微晶硅锗之间所形成的非晶硅锗网状物(a-SiGe:H)；第二子层，含有氢化微晶硅(μc-Si:H)和在所述氢化微晶硅之间所形成的非晶硅网状物(a-Si:H)。

公开(公告)号：CN101836301B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200880112707.4

申请日：2008-10-30

Applicant: 周星工程股份有限公司

Inventor： 洪震 ,  金宰湖 ,  金桢植

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/202 ,  H01L31/046 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开一种薄膜型太阳能电池及其制造方法，所述薄膜型太阳能电池包括：衬底；前电极，所述前电极通过用于将所述太阳能电池划分成多个单体电池的分隔部分以固定间隔布置在所述衬底上，其中，每个分隔部分被插置在所述前电极之间；半导体层图案，所述半导体层图案通过所插置的所述分隔部分以固定间隔布置在所述前电极上；后电极，所述后电极通过所插置的所述分隔部分以固定间隔布置在所述半导体层图案上；以及辅助电极，所述辅助电极电连接所述前电极和所述后电极，其中，通过利用所述辅助电极，所述前电极与所述后电极电连接，从而可以使将太阳能电池划分为多个单体电池的激光划线过程的次数减至最少，由此防止产生碎料。

公开(公告)号：CN102544134A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110320056.1

申请日：2011-10-20

Applicant: 联相光电股份有限公司

Inventor： 彭振维 ,  卢俊雄 ,  黄昭雄 ,  张评款

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/076 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/077 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/542 ,  Y02E10/545 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明揭露一种薄膜太阳能电池堆叠制造方法及其薄膜太阳能电池，其包含基板、非晶硅层、第一导电型层、本质型堆叠层、第二导电型层以及背电极层。非晶硅层位于基板上。第一导电型层位于非晶硅层上。本质型堆叠层位于第一导电型层上，且本质型堆叠层由下而上由不同沉积率的第一本质型层、第二本质型层及第三本质型层堆叠而成，该第二本质型层，相对于该第一本质型层及该第三本质型层具有较高的沉积率。第二导电型层位于本质型堆叠层上。背电极层位于第二导电型层上方，该背电极层取出电能。