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公开(公告)号：CN101877311A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN201010213747.7
申请日：2010-06-30
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种有效调制TiN金属栅功函数的方法。该方法包括在已经形成栅介质层的样品上进行光刻，形成图形，然后淀积TiN做金属性栅极，再在TiN薄膜上淀积Yb，最后在Yb上淀积TiN薄膜作覆盖层防止Yb被氧化；再对样品进行光刻胶剥离处理，最终形成具有一定图形的TiN/Yb/TiN/栅介质层/衬底Si结构样品，然后对样品进行快速热退火，在热的作用下，TiN/Yb/TiN叠层结构将发生一定变化，使得栅极的功函数发生相应变化。该方法通过Yb的引入实现TiN金属栅功函数的有效调制，使其对应的费米能级能够接近衬底硅的导带底，同时又具有工艺简单的优点。
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公开(公告)号：CN101135842A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710047408.4
申请日：2007-10-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种复制纳米压印模板的方法。其步骤包括：在衬底上旋涂并前烘双层胶，衬底是硅、二氧化硅或者玻璃等，上层为SU8胶，下层为LOR胶，经过压印或者是压印结合曝光处理，原始模板上的图形转移到SU8上，接着SU8作为掩模选择性的去除下层的胶。再经过淀积金属并进行剥离后，衬底上就有了一层有图形的金属层。以此金属层为掩模对衬底进行反应离子深刻蚀，然后去除残余的金属，即得到复制的模板。本发明方法廉价、便捷，易于推广使用。
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公开(公告)号：CN111551488A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010476884.3
申请日：2020-05-29
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种层间粘附力的测试方法及测试样片制备方法，测试样片包含硅片衬底条和附着在其表面的待测薄膜，将其放置于四点弯曲测试仪夹具中对应位置，用于测试薄膜粘附性，该测试样片的制备方法包含：获得符合目标尺寸的若干个含有待测薄膜的硅片衬底条；根据材料的弹性模量和断裂强度大小，选择若干个第二层衬底结构；将第二层衬底结构的一表面进行粗糙化处理；将硅片衬底条的含待测薄膜的一面与第二层衬底结构的粗糙化处理后的表面粘接。本发明通过对衬底材料、结构以及测试方法的改进，显著提高测试成功率，提升了四点弯曲法测试粘附力的数值上限。
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公开(公告)号：CN103265893B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310218585.X
申请日：2013-06-04
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种基于金属Mo的抛光工艺的抛光液、其制备方法及应用，该抛光液包含按重量百分数计为如下的原料组分：0.1%~10%的氧化剂；0.001%~5%的表面活性剂；0.01%~10%的pH值调节剂；1%~10%的磨料；余量为水；其中，该抛光液的pH值为2.0~7.0；该氧化剂选自含碘酸根的碘酸钾、碘酸钠、碘酸钙、碘酸钡中的任意一种以上。本发明提供的抛光液制备方法简便，抛光液对Mo具有较高的抛光速率，且静态腐蚀速率低，对Mo的抛光具有极高的平坦化效率。本发明提供的抛光液能用于对Mo、Mo的合金或者Mo的化合物的抛光处理。
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公开(公告)号：CN103265893A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310218585.X
申请日：2013-06-04
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种基于金属Mo的抛光工艺的抛光液、其制备方法及应用，该抛光液包含按重量百分数计为如下的原料组分：0.1%~10%的氧化剂；0.001%~5%的表面活性剂；0.01%~10%的pH值调节剂；1%~10%的磨料；余量为水；其中，该抛光液的pH值为2.0~7.0；该氧化剂选自含碘酸根的碘酸钾、碘酸钠、碘酸钙、碘酸钡中的任意一种以上。本发明提供的抛光液制备方法简便，抛光液对Mo具有较高的抛光速率，且静态腐蚀速率低，对Mo的抛光具有极高的平坦化效率。本发明提供的抛光液能用于对Mo、Mo的合金或者Mo的化合物的抛光处理。
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公开(公告)号：CN102543755A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210004176.5
申请日：2012-01-09
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种实现金属-锗接触中锗衬底表面费米能级解钉扎的方法。锗器件因其高载流子迁移率、可实现低等效氧化层厚度以及与现有工艺的高兼容性等优点，成为目前注目的焦点，但锗严重的表面费米能级钉扎效应却是制约着制备高性能锗基N型MOS器件的问题之一。本发明通过NH3等离子处理锗衬底的方法，在表面形成GeOxNy(x=0.92,y=0.08)介质层，成功实现解钉扎效应，且由于GeON与Ge较小的能量偏移，使得制备的金属/GeON/Ge样品具有较低的接触电阻，因而具有良好的应用价值。
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公开(公告)号：CN102185037A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110120952.3
申请日：2011-05-11
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/20 , B82Y40/00 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，具体为一种能提高光电转换效率的硅纳米柱太阳能电池及其制造方法。本发明在硅纳米柱太阳能电池衬底端表面加入纳米尺寸金属铝圆柱体颗粒，通过引入局域表面等离激元共振效应，提升太阳能电池吸收率，从而提高硅纳米柱太阳能电池的光电转换效率。金属铝的使用，相对于常用贵金属（如金、银），可大幅降低生产成本，同时得到更好的吸收增强效果。
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公开(公告)号：CN102157692A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110068781.4
申请日：2011-03-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L51/00
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种具有尖峰状底电极、平整顶电极的有机阻变存储器（RRAM）及其制备方法。本发明首先制备尖峰图形的衬底，然后依次淀积底电极、旋涂有机介质层、淀积顶电极，最终形成具备尖峰状底电极的有机RRAM器件。由于具备尖峰状底电极的RRAM能够在介质层形成一定的电场分布，而在尖峰处电场最大，故导电细丝将优先在尖峰处形成，从而可以很好地提高RRAM的重复性和电流开关比。本发明适用于基于细丝导通原理的有机RRAM器件。
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公开(公告)号：CN102117796A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN201110030627.8
申请日：2011-01-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/768 , C22C27/04 , C22C19/07
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种集成电路铜互连结构及其制备方法。本发明利用CoxMoy合金层作为Cu扩散阻挡层/粘附层/籽晶层，x、y的取值范围为0.1-0.9,x和y之和为1。制备步骤为：在衬底上直接用PVD，CVD或者ALD技术淀积一层CoxMoy合金，然后沉积Cu籽晶层或直接电镀铜，得到铜互连结构。调节Co、Mo配比可获得较佳的Cu扩散阻挡性能和粘附性能。本发明利用Co、Mo合金做扩散阻挡层，粘附层和电镀籽晶层，不仅提高了Cu阻挡和粘附性能，并保证其在集成电路铜互连应用中的可靠性。所用方法简单、方便、实用性强。
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