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公开(公告)号：CN102841325A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210326025.1
申请日：2012-09-05
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于磁场探测技术领域，具体涉及一种使用45度斜角的三维隧穿磁场传感器及其制造方法。本发明将用于测量不同纬度的三个隧道巨磁阻模块置于一个使用45度斜角的凹槽或者凸台结构之上形成三维隧穿磁场传感器，使得三维磁场传感器的体积减小、用于测量不同维度磁场的磁阻传感模块更为集中，从而使得三维磁场传感器可以更加灵活地运用到导航系统、磁场测量系统以及测量各种基于磁场的其他物理量的设备中。
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公开(公告)号：CN102830373A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210326021.3
申请日：2012-09-05
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于磁场探测技术领域，具体涉及一种使用45度角的三维各向异性磁场传感器及其制造方法。本发明将用于测量不同纬度磁场的四个各向异性磁阻传感器置于一个使用45度角的凹槽或者凸台结构的侧壁之上形成三维各向异性磁场传感器，使得三维磁场传感器的体积减小、用于测量不同维度磁场的各向异性磁阻传感器更为集中，从而使得三维磁场传感器可以更加灵活地运用到导航系统、磁场测量系统以及测量各种基于磁场的其他物理量的设备中。
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公开(公告)号：CN102830372A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210325761.5
申请日：2012-09-05
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于磁场探测技术领域，具体涉及一种使用45度斜角的三维各向异性磁场传感器及其制造方法。本发明将用于测量不同纬度磁场的三个各向异性磁阻传感器置于一个使用45度斜角的凹槽或者凸台结构之上形成三维各向异性磁场传感器，使得三维磁场传感器的体积减小、用于测量不同维度磁场的各向异性磁阻传感器更为集中，从而使得三维磁场传感器可以更加灵活地运用到导航系统、磁场测量系统以及测量各种基于磁场的其他物理量的设备中。
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公开(公告)号：CN102692593A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210184203.1
申请日：2012-06-06
Applicant: 复旦大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明属于晶体管可靠性测试技术领域，具体为一种提高快速Id-Vg测试精度的测试系统，其特征在于：在原Id-Vg测试系统中，将原有的高频探针上添加一个50Ω的片状电阻，组成一个高频信号加载探针；在原有的电源探针上添加一个10μF的片状电容器，组成一个新的电源探针。本发明系统可用于高性能低功耗MOSFETs晶体管中精确快速的Id-Vg测试，本发明操作简单、几乎零成本，但是效果显著，测试精确，适用于高电流性能MOSFETs晶体管上高介电常数栅介质可靠性方面的研究。
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公开(公告)号：CN102502605A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110351180.4
申请日：2011-11-09
Applicant: 复旦大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种退化石墨烯氧化物的还原方法。本发明采用接触探针电诱导还原法对导电衬底上的石墨烯氧化物进行可控还原，通过控制导电原子力显微镜的探针所加电压来控制还原后石墨烯氧化物的成分从而控制还原后石墨烯氧化物的电阻率。利用导电接触探针对石墨烯氧化物进行还原是一种新颖的还原石墨烯氧化物的方法，它可以直接应用在纳米尺度的平面器件制备当中，大大简化了此种器件制备的复杂性。另外，该方法也可以作为石墨烯基电子器件的基本加工工艺。
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公开(公告)号：CN117976673A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410058577.1
申请日：2024-01-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/092 , H01L21/8256
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种性能可控的二维共栅互补场效应晶体管及其制备方法。本发明场效应晶体管包括衬底、位于衬底上的底层二维半导体材料、底层源漏金属电极、氧化物介质层、底层金属栅电极、顶层金属栅电极、位于氧化物介质层上的顶层二维半导体材料和顶层源漏金属电极；本发明利用金属材料的功函数调控沟道二维半导体材料的载流子浓度和场效应晶体管的电学特性，通过控制底层金属和顶层金属的金属种类，使底层和顶层二维半导体材料的载流子浓度分别受底层和顶层金属调控。本发明利用双层金属的共栅结构对二维互补场效应晶体管的底层和顶层场效应晶体管的电学性能分别进行精确调控，在大规模数字集成电路中有广阔应用前景。
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公开(公告)号：CN109065493B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201811047890.6
申请日：2018-09-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/68
Abstract: 本发明属于薄膜材料技术领域，具体为一种辅助硬通孔掩膜版和样品进行精确对准的装置。本发明装置包括：样品托盘、载物圆盘、掩膜版吸附头、位移调节装置，显微镜等；其中，载物圆盘具有旋转调整自由度，载物圆盘旋转带动样品托盘旋转，从而精确控制样品旋转角度；位移调节装置具有X、Y、Z三轴的旋转和水平调整自由度；通过位移调节装置可以精确调整通孔硬掩膜版的位置；本整个装置结构简单，操作方便，对准精度高，具有很强的实用性。在一定程度上替代了光刻的功能，避免了光刻过程中光刻胶对样品产生影响，非常适合有机材料或者二维材料（石墨烯等）等薄膜材料的器件加工。
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公开(公告)号：CN116598322A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310568101.8
申请日：2023-05-18
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/144 , H01L27/12 , H01L21/84
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为基于绝缘衬底上硅‑二维材料异质集成光电探测器及其制备方法。本发明光电探测器由基于绝缘层上硅的场效应晶体管A和基于二维薄膜材料的场效应晶体管B组合而成；晶体管A与晶体管B物理位置呈纵向垂直分布；晶体管A中的栅极与晶体管B中的漏极之间连通；晶体管B用作光探测，产生电信号通过二维二极管与晶体管A构成的高增益输出；探测过程使晶体管A阈值电压下降，沟道区电导增加，导致漏极电流的显著提升，实现一步光电探测。本发明将沟道材料从硅替换为二维材料实现量子效率的大幅提高，并具有泄漏电流低、寄生电容小，背栅电压调节等优势，此外可同时实现探测和放大信号功能，大大简化探测系统复杂度。
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公开(公告)号：CN113736207B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202110943447.2
申请日：2021-08-17
Abstract: 本发明涉及一种多组份表面化有机‑无机复合纳米粒子及制备方法和应用，制备过程中，利用活性聚合方法制备系列不同组成和不同分子量的含聚(甲基)丙烯酸叔丁酯的嵌段聚合物；利用三氟乙酸同时对两种及以上嵌段聚合物上的叔丁基基团进行选择性水解，通过水解诱导自组装过程制备得到纳米自组装粒子；利用所得纳米自组装粒子核内的羧基基团与金属离子进行络合，通过还原剂的还原反应原位生成有机‑无机复合纳米粒子。与现有技术相比，本发明制备得到的新型多组份表面化有机‑无机复合纳米粒子的壳层含两种及以上聚合物成份、核内含金属纳米粒子，本方法同时具有表面功能化可调、组装体形貌可控、操作简便、通用性强、固含量高等优点。
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