公开(公告)号：CN117976673A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410058577.1

申请日：2024-01-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 包文中 ,  马静怡 ,  张哲嘉 ,  万景 ,  周鹏

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8256

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种性能可控的二维共栅互补场效应晶体管及其制备方法。本发明场效应晶体管包括衬底、位于衬底上的底层二维半导体材料、底层源漏金属电极、氧化物介质层、底层金属栅电极、顶层金属栅电极、位于氧化物介质层上的顶层二维半导体材料和顶层源漏金属电极；本发明利用金属材料的功函数调控沟道二维半导体材料的载流子浓度和场效应晶体管的电学特性，通过控制底层金属和顶层金属的金属种类，使底层和顶层二维半导体材料的载流子浓度分别受底层和顶层金属调控。本发明利用双层金属的共栅结构对二维互补场效应晶体管的底层和顶层场效应晶体管的电学性能分别进行精确调控，在大规模数字集成电路中有广阔应用前景。

公开(公告)号：CN117976672A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410055320.0

申请日：2024-01-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 包文中 ,  张哲嘉

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8256

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种高电学性能三维互补场效应晶体管及其制备方法。本发明三维互补场效应晶体管采用氧化物半导体材料和二维过渡金属硫族化合物材料分别作为场效应管的沟道材料；结构包括：衬底、位于衬底上的底层晶体管和顶层晶体管；底层晶体管由底层氧化物材料、底层源漏金属、氧化物介质层和金属栅电极构成；顶层晶体管由金属栅电极、氧化物介质层、顶层二维半导体材料和顶层源漏金属构成；底层和顶层互补场效应晶体管具有共栅电极结构。本发明通过将底层晶体管和顶层晶体管连接制备的3DCFET可以应用在数字逻辑、模拟以及射频的电路设计中，具有高性能、低功耗、高集成度、工艺复杂度低的优势。