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公开(公告)号：CN111639757A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010281231.X
申请日：2020-04-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于集成电路与计算机技术领域，具体为一种基于柔性材料的模拟卷积神经网络。本发明模拟卷积神经网络的电路结构包括：数模转化器，具有矫正模块，提供权重值；计算单元和运算单元完成神经网络处理；每个运算单元通过输入信号与数模转换器输出的权重值完成乘加运算和处理，运算的结果输出给对应的计算单元的输入端；各个计算单元各自输出不同的输出，作为最终的判断结果。该神经网络可以处理模拟信号，并且采用存算一体的非冯诺依曼体系结构，突破以往的技术限制。并且应用于柔性材料上，具有良好的拓展性，适用于各种的应用场景。
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公开(公告)号：CN111293085A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010083084.5
申请日：2020-02-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为基于二维过渡金属硫族化合物和碲的三维CMOS及其制备方法。本发明的三维CMOS由一层TMDs为活性层的N沟道场效应晶体管和一层单质碲（Te）为活性层的P沟道场效应晶体管连接而成；这种三维结构的CMOS可实现反相器、与非门、或非门等数字逻辑，以及其他模拟电路和射频模拟电路的功能。制备方法包括：器件基底的准备；制备TMDs或单质Te，无掩膜光刻制备底层场效应晶体管；单质Te或TMDs及其场效应晶体管（通孔及氧化物保护层）的制备。本发明通过无掩膜光刻制备三维的CMOS，其器件具有多功能集成、缩短互连、提高集成度、降功耗等优势。
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公开(公告)号：CN109065493A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811047890.6
申请日：2018-09-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/682
Abstract: 本发明属于薄膜材料技术领域，具体为一种辅助硬通孔掩膜版和样品进行精确对准的装置。本发明装置包括：样品托盘、载物圆盘、掩膜版吸附头、位移调节装置，显微镜等；其中，载物圆盘具有旋转调整自由度，载物圆盘旋转带动样品托盘旋转，从而精确控制样品旋转角度；位移调节装置具有X、Y、Z三轴的旋转和水平调整自由度；通过位移调节装置可以精确调整通孔硬掩膜版的位置；本整个装置结构简单，操作方便，对准精度高，具有很强的实用性。在一定程度上替代了光刻的功能，避免了光刻过程中光刻胶对样品产生影响，非常适合有机材料或者二维材料（石墨烯等）等薄膜材料的器件加工。
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公开(公告)号：CN220472808U
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202322267431.1
申请日：2023-08-23
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本实用新型属于光电探测技术领域，具体为一种用于黑体校准的红外测试装置。本实用新型红外测试装置包括光学平台、载样台、探针装置、显微镜、导轨、带有斩波器的点源黑体、屏蔽罩；通过导轨使显微镜和带有斩波器的点源黑体能够进行位置切换，实现对位于载样台上的样品的测试，并且使测试过程更加灵活高效。在测试过程中，使用显微镜观察样品，保证测试的准确性，然后将显微镜移开，将黑体移动到样品正上方进行测试，提供稳定且可靠的测试环境。本实用新型的红外测试装置具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN207938577U
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201820102682.0
申请日：2018-01-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 本实用新型属于二维半导体材料领域，具体为一种在真空环境下转移大面积二维材料的转移平台，包括加热台、真空密封箱、Z轴方向真空贯通装置、真空泵、底架、顶架、抽真空阀门、放气阀门和真空计；真空密封箱放置在加热台上，包括真空密封箱顶盖；Z轴方向真空贯通装置的内部包括转轴；Z轴方向真空贯通装置竖直贯穿真空密封箱顶盖；顶架固定在转轴的下端；底架固定在真空密封箱底部的凹槽中，由金属材料制成；抽真空阀门、放气阀门和真空计分别安装在真空密封箱上；抽真空阀门通过接真空泵的管路与真空泵相连。该平台具有转移后材料界面干净、可转移大面积二维材料、不引入杂质、对材料无伤害的特点，有很好的推广和实用价值。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN217605118U
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202221108818.1
申请日：2022-05-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本实用新型属于光电探测技术领域，具体为一种基于PCB板的光电测试装置。本实用新型光电测试装置包括光电探测器、读出电路、光电快门、光源及PCB板；光电探测器与读出电路通过酒精胶固定到PCB板的指定位置，相应的引脚键压到PCB板已预留的pad处，二者通过PCB板实现物理连接，光源垂直入射到光电快门，光电快门控制光信号是否射入到探测器表面。将该结构装入杜瓦中，在不同入射光条件下对电路进行测试即可。该实用新型可以实现大多数光电材料（传统硅基光电材料和新兴二维光电材料均可）与硅基电路进行结合的光电测试，并且具有测试结果准确、成本低、操作简单等优点。
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公开(公告)号：CN208690229U
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201821468721.5
申请日：2018-09-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/68
Abstract: 本实用新型属于薄膜材料技术领域，具体为一种辅助硬通孔掩膜版和样品进行精确对准的装置。装置包括：样品托盘、载物圆盘、掩膜版吸附头、位移调节装置，显微镜等；其中，载物圆盘具有旋转调整自由度，载物圆盘旋转带动样品托盘旋转，从而精确控制样品旋转角度；位移调节装置具有X、Y、Z三轴的旋转和水平调整自由度；通过位移调节装置可以精确调整通孔硬掩膜版的位置；本整个装置结构简单，操作方便，对准精度高，具有很强的实用性。在一定程度上替代了光刻的功能，避免了光刻过程中光刻胶对样品产生影响，非常适合有机材料或者二维材料（石墨烯等）等薄膜材料的器件加工。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN214012946U
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202023163499.8
申请日：2020-12-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本实用新型属于半导体器件技术领域，具体为一种二维半导体晶体管结构。本实用新型包括衬底、位于衬底上的二维半导体材料、源漏金属电极、氧化物介质层和位于介质层上的叠层金属栅极；氧化物介质层为双层介质层，叠层金属栅极为底层活泼金属和顶层惰性金属的双层金属栅极结构。本实用新型利用底层活泼金属与氧化物介质层I直接接触，发生固相扩散反应形成双层介质层，通过控制底层活泼金属的厚度，使二维半导体材料的载流子浓度受电偶极子效应的精确调控。本实用新型可以调节二维半导体场效应晶体管的阈值电压、提高器件的开关比和开态电流，在大规模数字集成电路的制造中有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN213782022U
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202022650559.2
申请日：2020-11-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/417 , H01L29/45 , H01L21/44 , H01L29/24
Abstract: 本实用新型属于半导体器件技术领域，具体为一种二维半导体材料的金属接触结构。本实用新型包括衬底、位于衬底上的介质层、普通金属电极、齿状金属电极、顶金属电极以及位于介质层上的二维半导体材料。所述普通金属电极和齿状金属电极相接，所述齿状金属电极与二维半导体材料的边缘接触，所述顶金属电极位于齿状金属电极上方。二维材料已有大量研究，但目前关于金属‑二维半导体材料的电学接触问题还没有很好的解决，本实用新型采用边缘接触加部分顶部接触的构型，解决了金属‑二维半导体材料界面晶格损伤和欧姆接触的问题，可在大规模集成电路中获得应用。
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