公开(公告)号：CN111295747A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201880070633.6

申请日：2018-10-12

Applicant: 国际商业机器公司 ,  株式会社爱发科

Inventor： J·罗泽恩 ,  安藤崇志 ,  V·纳拉雅南 ,  鲍如强 ,  小川洋平 ,  畠中正信

IPC: H01L21/8238

Abstract: 一种用于半导体器件的有效功函数调节的栅极结构，该栅极结构包括在半导体器件的沟道区域上的栅极电介质；与栅极电介质直接接触的第一金属氮化物；铝含量大于30原子％的铝的保形碳化物材料层；与含保形铝(Al)和碳(C)的材料层直接接触的第二金属氮化物层。铝(Al)的共形碳化物层包括碳化铝或Al4C3，在厚度小于2.5nm时，铝(Al)含量最高为57原子百分比(原子％)，功函数设定为3.9eV至5.0eV。与现有技术的功函数电极相比，这样的结构可以呈现低于25nm的金属栅极长度缩放和电阻的益处。

公开(公告)号：CN103155122B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201180048114.8

申请日：2011-10-03

Applicant: 国际商业机器公司 ,  JSR株式会社

Inventor： 安藤崇志 ,  L·查恩斯 ,  J·康明斯 ,  J·J·胡卡 ,  D·R·科里 ,  金野智久 ,  M·克里希南 ,  M·F·罗法洛 ,  J·那拉克斯基 ,  野田昌宏 ,  D·K·潘尼加拉帕提 ,  山中达也

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31053 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545

Abstract: 一种用于抛光多个介电层以形成置换型金属栅极结构的方法包括第一化学机械抛光步骤，该步骤去除过载物并平坦化顶层，以在栅极结构之上留下经平坦化的厚度。第二化学机械抛光步骤包括使用浆料去除该厚度，以将栅极结构的电介质的下面受覆盖的表面暴露，所述浆料被配置为基本上相等地抛光所述顶层和所述下面受覆盖的表面以完成平坦的形貌。采用第三化学机械抛光步骤去除栅极结构的电介质并暴露栅极导体。

公开(公告)号：CN119856585A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202380064469.9

申请日：2023-09-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·M·索罗门 ,  安藤崇志 ,  E·A·卡蒂埃 ,  J·罗森

IPC: H10B63/00

Abstract: 一种晶界自动对准的电阻存储器结构，其可使多个以氧化物为主的ReRAM元件并联紧密地组合形成，各元件具有其自身的顺从电阻器。该结构能够形成多丝，每个元件一个细丝，目的是降低复合ReRAM单元中的可变性。

公开(公告)号：CN113228322B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202080007813.7

申请日：2020-01-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李忠贤 ,  安藤崇志 ,  A·雷茨尼采克 ,  张婧芸 ,  P·哈什米

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/20 ,  H01L27/088 ,  H01L21/28

Abstract: 提供了一种电阻式存储器结构。该电阻式存储器结构包括衬底上的垂直鳍部，其中，垂直鳍部的侧壁各自具有{100}晶面。该电阻式存储器结构还包括垂直鳍部上的鳍部模板、以及垂直鳍部上的栅极结构。该电阻式存储器结构还包括在垂直鳍部的相对侧壁上的顶部源极/漏极，以及在顶部源极/漏极上的底部电极层，其中，底部电极层在鳍部模板的相对侧上。该电阻式存储器结构还包括在底部电极层的一部分上的第一中间电阻层、在第一中间电阻层上的顶部电极层及在底部电极层的一部分上的第一电触点。

公开(公告)号：CN117063179A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202280023602.1

申请日：2022-03-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J-O·普卢沙尔 ,  A·库马尔 ,  D·法伊弗 ,  安藤崇志

IPC: G06F21/76

Abstract: 一种创建防篡改现场可编程门阵列(FPGA)并远程重新编程防篡改FPGA的方法。在一个方面中，确定加密密钥是否存储在FPGA的物理不可克隆功能(PUF)中。此外，响应于加密密钥未被存储在PUF中，在与FPGA的后端制程(BEOL)相关联的防篡改存储器中写入加密密钥。在另一方面，在防篡改存储器中写入程序密钥和查找表(LUT)。

公开(公告)号：CN116964676A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202280018429.6

申请日：2022-02-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： G·M·科恩 ,  安藤崇志 ,  龚南博

IPC: G11C11/56

Abstract: 具有存储器单元的存储器阵列可具有在存储器单元之间集成到存储器阵列中的一个或多个加热器。与加热器通信的处理器可以通知加热器在触发事件发生时激活。

公开(公告)号：CN116711012A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202180088522.X

申请日：2021-11-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·维加 ,  安藤崇志 ,  池澄 ,  P·埃杜苏米利

IPC: G11C11/22

Abstract: 提供了一种场效应晶体管(FET)器件。该器件包括在支撑衬底上的隔离区域，其将第一背栅极与第二背栅极分离，以及在第一沟道区域和第二沟道区域上的栅极电介质层。该器件还包括在栅极电介质层上的具有功函数值的导电栅极层和铁电体层，其中第一背栅极能够调整第一沟道区的阈值电压，并且第二背栅极能够调整第二沟道区的阈值电压。

公开(公告)号：CN116711011A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202280009500.4

申请日：2022-01-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 龚南博 ,  安藤崇志 ,  G·M·科昂

IPC: G11C11/21

Abstract: 一种相变存储器(PCM)装置，所述装置包括底部电极、在所述底部电极上方的底部加热器、在所述底部加热器上方的底部缓冲层、在所述底部缓冲层上方的PCM区域、在所述PCM区域上方的顶部缓冲层、在所述顶部缓冲层上方的顶部加热器、以及在所述顶部加热器上方的顶部电极。

公开(公告)号：CN114207779B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202080055445.3

申请日：2020-07-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·贾米森 ,  安藤崇志 ,  J·麦西 ,  E·卡蒂尔

IPC: H01L21/02 ,  H10N97/00

Abstract: 后段制程(BEOL)兼容金属‑绝缘体‑金属的片上解耦电容器(MMCAP)。该BEOL兼容处理包括在形成顶部电极(302)之前用于在MIM堆叠的绝缘体层(102)中引入非晶体到立方体的相变的热处理。形成底部电极层(104)，并且在底部电极层(104)的表面上形成绝缘体层(102)。绝缘体层(102)可以包括非晶电介质材料。热处理绝缘体层(102)，使得非晶电介质材料经历立方相变，从而形成立方相电介质材料。在绝缘体层(102)的立方相电介质材料的表面上形成顶部电极层(302)。

公开(公告)号：CN116601642A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202180080220.8

申请日：2021-11-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 龚南博 ,  安藤崇志 ,  B·海克马特少塔巴瑞 ,  A·雷茨尼采克

IPC: G06N3/063

Abstract: 电路结构包括具有第一栅电极、第一源电极和第一漏电极的第一铁电场效应晶体管(FeFET)和具有第二栅电极、第二源电极和第二漏电极的第二FeFET。第一栅电极连接到字线，并且第一源电极和第二源电极连接到位线。第一漏电极连接至第二栅电极并且第二漏电极连接至偏压线。通过组合两个电路结构来构造权重突触结构。多个权重突触结构被结合到交叉式阵列中。