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公开(公告)号：CN1278431C
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200310121283.7
申请日：2003-12-17
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/103 , H01L31/08 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1085 , H01L31/02327 , H01L31/035272 , H01L31/105
Abstract: 本申请公开了具有慢光载流子的阻挡层的高速光电二极管及其形成方法。一种结构(以及形成结构的方法)包括光检测器、形成在所述光检测器下面的衬底、以及形成在所述衬底上的阻挡层。埋置的阻挡层优选包括单或双p-n结，或气泡层，用于阻止或消除漂移场较低的区域中的慢光生载流子。
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公开(公告)号：CN116325094A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180069014.7
申请日：2021-10-25
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/463
Abstract: 一种用于制造相变存储器件的方法，包括：提供包括多个底部电极的衬底；图案化衬底以在衬底中形成从衬底的表面延伸到底部电极的多个孔；在衬底上沉积相变材料；在相变材料中注入Ge、Sb和Te中的一种或多种以使孔内的相变材料的至少一部分非晶化，平坦化该器件以暴露衬底的表面，以及在孔上形成与相变材料接触的多个顶部电极。
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公开(公告)号：CN106024714B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201610170232.0
申请日：2016-03-23
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/43
CPC classification number: H01L29/413 , H01L21/823807 , H01L21/8258 , H01L27/092 , H01L29/0673 , H01L29/41758 , H01L29/4966 , H01L29/775
Abstract: 一种器件包括：衬底层；限定nFET(n型场效应晶体管)区域的源极/漏极部件的第一集合；限定pFET(p型场效应晶体管)区域的源极/漏极部件的第二集合；第一悬置纳米线，至少部分地悬置在nFET区域中的衬底层之上并且由III‑V族材料制成；以及第二悬置纳米线，至少部分地悬置在pFET区域中的衬底层之上并且由含锗材料制成。在一些实施例中，通过在含锗的释放层的顶部上添加合适的纳米线层并且随后移除含锗的释放层以使得纳米线悬置而制造第一悬置纳米线和第二悬置纳米线。
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公开(公告)号：CN1779949B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200510117242.X
申请日：2005-10-31
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L25/50 , H01L24/26 , H01L24/83 , H01L25/16 , H01L2224/8385 , H01L2224/83894 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01072 , H01L2924/0132 , H01L2924/07802 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/01014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种用于使用吸引力如疏水性、范德华和共价键将微结构接合到半导体衬底的方法。该微结构在接合工序过程中保持它们彼此的绝对位置并垂直地转移在晶片表面上。在此，微片的垂直转移也称为“就地接合”。还公开了包括吸引地接合的微结构和衬底的半导体结构。
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公开(公告)号：CN116670765A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202180085602.X
申请日：2021-10-27
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种电子电路包括：多条字线；多条位线(703‑1，703‑2)，其在多个网格点处与所述多个字线(701‑1，701‑2)相交；以及多个存储器内处理单元，其位于所述多个网格点处。所述存储器内处理单元中的每个包括第一开关，所述第一开关具有耦合到所述字线中的对应字线的第一端子和第二端子；第二开关，所述第二开关具有耦合到所述第一开关的所述第二端子的第一端子和耦合到所述位线中的对应位线的第二端子；以及非易失性可调谐电容器，所述非易失性可调谐电容器具有耦合到所述第一开关的所述第二端子和所述开关的所述第一端子的一个电极，并且具有耦合到地的另一电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116601709A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202180082357.7
申请日：2021-10-25
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 在使用或形成半导体结构的方法中。该半导体结构可包括具有第一电极和第二电极的电阻式随机存取存储器(RRAM)栅极。RRAM栅极还可包括开关层，该开关层包括具有开关层k值和开关层热导率的电介质材料。RRAM栅极还可包括互补开关(CS)缓解层，该CS缓解层具有低于开关层k值的CSk值和高于开关层热导率的CS热导率的材料。
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公开(公告)号：CN105984840B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201610143130.X
申请日：2016-03-14
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: H01L39/025 , B05D5/12 , H01L39/223 , H01L39/2467 , H01L39/2493
Abstract: 本发明涉及用于纳米桥弱链接的硅化纳米线，具体地，硅化纳米线作为约瑟夫森结中的纳米桥。超导硅化纳米线被用作约瑟夫逊结中的弱链接桥，并且采用制造过程以产生硅化纳米线，所述过程包括：对来自硅衬底的粗糙纳米线和两个结岸进行图案化，通过氢退火重塑纳米线，以及通过将金属引入到纳米线结构中来硅化所述纳米线。
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公开(公告)号：CN106024714A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610170232.0
申请日：2016-03-23
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/43
CPC classification number: H01L29/413 , H01L21/823807 , H01L21/8258 , H01L27/092 , H01L29/0673 , H01L29/41758 , H01L29/4966 , H01L29/775 , H01L21/823842 , H01L29/43
Abstract: 一种器件包括：衬底层；限定nFET(n型场效应晶体管)区域的源极/漏极部件的第一集合；限定pFET(p型场效应晶体管)区域的源极/漏极部件的第二集合；第一悬置纳米线，至少部分地悬置在nFET区域中的衬底层之上并且由III‑V族材料制成；以及第二悬置纳米线，至少部分地悬置在pFET区域中的衬底层之上并且由含锗材料制成。在一些实施例中，通过在含锗的释放层的顶部上添加合适的纳米线层并且随后移除含锗的释放层以使得纳米线悬置而制造第一悬置纳米线和第二悬置纳米线。
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公开(公告)号：CN119769189A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202380061644.9
申请日：2023-05-17
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种半导体器件，包括铁电随机存取存储器(FeRAM)单元。所述FeRAM包括铁电电介质，所述铁电电介质通过引导的电流流动及加热过程进行退火，以达到其铁电相。电流流动可以被引导通过使所述FeRAM单元加热的临时导线。对所述铁电电介质产生的加热或退火可以使所述铁电电介质结晶，以体现或导致具有铁电性质。与其中整个半导体器件或半导体器件的相对更大的区域被加热到铁电电介质的退火温度的全局加热或退火过程不同，引导的电流流动和加热过程基本上局限于所述FeRAM单元以及其中的铁电电介质。
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公开(公告)号：CN105984840A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610143130.X
申请日：2016-03-14
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: H01L39/025 , B05D5/12 , H01L39/223 , H01L39/2467 , H01L39/2493 , B81C1/00095
Abstract: 本发明涉及用于纳米桥弱链接的硅化纳米线，具体地，硅化纳米线作为约瑟夫森结中的纳米桥。超导硅化纳米线被用作约瑟夫逊结中的弱链接桥，并且采用制造过程以产生硅化纳米线，所述过程包括：对来自硅衬底的粗糙纳米线和两个结岸进行图案化，通过氢退火重塑纳米线，以及通过将金属引入到纳米线结构中来硅化所述纳米线。
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