公开(公告)号：CN119856585A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202380064469.9

申请日：2023-09-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·M·索罗门 ,  安藤崇志 ,  E·A·卡蒂埃 ,  J·罗森

IPC: H10B63/00

Abstract: 一种晶界自动对准的电阻存储器结构，其可使多个以氧化物为主的ReRAM元件并联紧密地组合形成，各元件具有其自身的顺从电阻器。该结构能够形成多丝，每个元件一个细丝，目的是降低复合ReRAM单元中的可变性。

公开(公告)号：CN119896063A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202380065365.X

申请日：2023-04-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·M·索罗门 ,  安藤崇志 ,  J·罗森 ,  E·A·卡蒂埃

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/00

Abstract: 为了限制跨电阻随机存取存储器(RRAM)单元的电阻可变性，本公开包括RRAM单元，其中所述RRAM单元内的电阻扩展层在所述RRAM单元的顶部电极与底部电极之间。电阻扩展层与RRAM单元的细丝形成层串联，且与RRAM单元的细丝形成层没有阻抗。电阻扩展层可以位于细丝形成层之下，或者电阻扩展层可以位于细丝形成层之上。电阻扩展层可以进一步与底部电极或顶部电极串联并且不具有阻抗。