公开(公告)号：CN114207779B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202080055445.3

申请日：2020-07-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·贾米森 ,  安藤崇志 ,  J·麦西 ,  E·卡蒂尔

IPC: H01L21/02 ,  H10N97/00

Abstract: 后段制程(BEOL)兼容金属‑绝缘体‑金属的片上解耦电容器(MMCAP)。该BEOL兼容处理包括在形成顶部电极(302)之前用于在MIM堆叠的绝缘体层(102)中引入非晶体到立方体的相变的热处理。形成底部电极层(104)，并且在底部电极层(104)的表面上形成绝缘体层(102)。绝缘体层(102)可以包括非晶电介质材料。热处理绝缘体层(102)，使得非晶电介质材料经历立方相变，从而形成立方相电介质材料。在绝缘体层(102)的立方相电介质材料的表面上形成顶部电极层(302)。

公开(公告)号：CN114207779B9

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202080055445.3

申请日：2020-07-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·贾米森 ,  安藤崇志 ,  J·麦西 ,  E·卡蒂尔

IPC: H01L21/02 ,  H10N97/00

Abstract: 后段制程(BEOL)兼容金属-绝缘体-金属的片上解耦电容器(MMCAP)。该BEOL兼容处理包括在形成顶部电极(302)之前用于在MIM堆叠的绝缘体层(102)中引入非晶体到立方体的相变的热处理。形成底部电极层(104)，并且在底部电极层(104)的表面上形成绝缘体层(102)。绝缘体层(102)可以包括非晶电介质材料。热处理绝缘体层(102)，使得非晶电介质材料经历立方相变，从而形成立方相电介质材料。在绝缘体层(102)的立方相电介质材料的表面上形成顶部电极层(302)。

公开(公告)号：CN114207779A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202080055445.3

申请日：2020-07-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·贾米森 ,  安藤崇志 ,  J·麦西 ,  E·卡蒂尔

IPC: H01L21/02 ,  H01L49/02

Abstract: 后段制程(BEOL)兼容金属‑绝缘体‑金属的片上解耦电容器(MMCAP)。该BEOL兼容处理包括在形成顶部电极(302)之前用于在MIM堆叠的绝缘体层(102)中引入非晶体到立方体的相变的热处理。形成底部电极层(104)，并且在底部电极层(104)的表面上形成绝缘体层(102)。绝缘体层(102)可以包括非晶电介质材料。热处理绝缘体层(102)，使得非晶电介质材料经历立方相变，从而形成立方相电介质材料。在绝缘体层(102)的立方相电介质材料的表面上形成顶部电极层(302)。