公开(公告)号：CN114270519A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202080057836.9

申请日：2020-08-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·多利斯 ,  T·苏万纳斯里 ,  N·马查克 ,  P·哈什米

IPC: H01L27/22

Abstract: 提供了一种用于包含磁性隧道结(MTJ)的器件的多层底部电极，该多层底部电极从下到上包括具有第一直径并且由第一底部含电极金属层的剩余部分构成的基段，具有第二直径并且由第二底部含电极金属层的剩余部分构成的中段，具有第三直径并且由第三底部含电极金属层的剩余部分构成的上段，其中，第一直径大于第二直径，第三直径等于或小于第二直径。每个多层底部电极的较宽基段防止所得底部电极的倾斜和/或弯曲。由此提供稳定的底部电极。

公开(公告)号：CN113228322A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202080007813.7

申请日：2020-01-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李忠贤 ,  安藤崇志 ,  A·雷茨尼采克 ,  张婧芸 ,  P·哈什米

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L27/088 ,  H01L21/28

Abstract: 提供了一种电阻式存储器结构。该电阻式存储器结构包括衬底上的垂直鳍部，其中，垂直鳍部的侧壁各自具有{100}晶面。该电阻式存储器结构还包括垂直鳍部上的鳍部模板、以及垂直鳍部上的栅极结构。该电阻式存储器结构还包括在垂直鳍部的相对侧壁上的顶部源极/漏极，以及在顶部源极/漏极上的底部电极层，其中，底部电极层在鳍部模板的相对侧上。该电阻式存储器结构还包括在底部电极层的一部分上的第一中间电阻层、在第一中间电阻层上的顶部电极层及在底部电极层的一部分上的第一电触点。

公开(公告)号：CN117796182A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202280054548.7

申请日：2022-07-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·哈什米 ,  C·科坦达拉曼 ,  N·马卡克

IPC: H10N50/80 ,  H10N50/10 ,  H10N50/01

Abstract: 一种用于提供具有两个间隔体(404，707)的双磁性隧道结设备的结构(1200)的方法，该设备包括底部磁性隧道结堆叠(204)、底部磁性隧道结堆叠上的自旋导电层(208)、自旋导电层上的顶部磁性隧道结堆叠(210)、顶部磁性隧道结堆叠的侧面和自旋导电层的顶表面的一部分上的第一电介质间隔体(404)、以及第一间隔体上的第二电介质间隔体(707)。双磁性隧道设备包括顶部磁性隧道结堆叠，其宽度小于底部磁性隧道结堆叠的宽度。

公开(公告)号：CN113228322B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202080007813.7

申请日：2020-01-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李忠贤 ,  安藤崇志 ,  A·雷茨尼采克 ,  张婧芸 ,  P·哈什米

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/20 ,  H01L27/088 ,  H01L21/28

Abstract: 提供了一种电阻式存储器结构。该电阻式存储器结构包括衬底上的垂直鳍部，其中，垂直鳍部的侧壁各自具有{100}晶面。该电阻式存储器结构还包括垂直鳍部上的鳍部模板、以及垂直鳍部上的栅极结构。该电阻式存储器结构还包括在垂直鳍部的相对侧壁上的顶部源极/漏极，以及在顶部源极/漏极上的底部电极层，其中，底部电极层在鳍部模板的相对侧上。该电阻式存储器结构还包括在底部电极层的一部分上的第一中间电阻层、在第一中间电阻层上的顶部电极层及在底部电极层的一部分上的第一电触点。

公开(公告)号：CN117813932A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202280052333.1

申请日：2022-07-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·沃尔莱德格 ,  P·哈什米 ,  J·K·德布罗斯

IPC: H10B61/00 ,  G11C11/16 ,  H10N50/10

Abstract: 一种通过形成晶体管阵列而形成的自旋轨道扭矩磁阻随机存取存储器设备，其中，所述阵列的列包括与所述列中的每个晶体管的源极触点接触的源极线，形成接触所述行的所述晶体管的所述漏极触点的自旋轨道扭矩(SOT)线，并且形成单位单元阵列，每个单位单元包括布置在所述SOT线上方并与所述SOT线电接触的自旋轨道扭矩(SOT)磁阻随机存取存储器(MRAM)单元堆叠，其中所述SOT‑MRAM单元堆叠包含自由层、隧道结层和参考层、在所述SOT‑MRAM单元堆叠上方且与所述SOT‑MRAM单元堆叠电接触的二极管结构，设置在所述二极管结构上方并与所述二极管结构电接触的上部电极。

公开(公告)号：CN117426152A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202280039409.7

申请日：2022-05-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·哈什米 ,  C·科坦达拉曼

IPC: H10B61/00 ,  H10N59/00

Abstract: 一种制造方法及所得设备，其针对具有高效率(100’)和高保留率(100)阵列两者的反向宽基底双磁性隧道结装置。该方法包括在公共堆栈上制造用于反向宽基底双磁性隧道结器件的高效率阵列和高保留率阵列的方法。所述方法包括：对于所述高效率阵列和所述高保留率阵列，形成第一磁性隧道结堆栈(MTJ2，120，120’)，在所述MTJ2上形成自旋导电层(122，122’)，以及在所述自旋导电层上形成第二磁性隧道结堆栈(MTJ1，124，124’)。用于高保留率阵列的第一磁性隧道结堆栈具有比用于高效率阵列的第一磁性隧道结堆栈的高效率CD(HECD)大的高保留率临界尺寸(CD)(HRCD)。第二磁性隧道结堆栈(MTJ1)对于高保留率阵列短路，且对于高效率阵列不短路。

公开(公告)号：CN116649017A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202180081783.9

申请日：2021-11-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·哈什米 ,  B·B·多丽丝 ,  C·科桑达拉曼 ,  孙赞红

IPC: H10N50/01 ,  H10N50/10 ,  H10B61/00

Abstract: 提供了一种制造双磁性隧道结装置的方法。该方法包括：形成第一磁性隧道结叠层；在第一磁性隧道结叠层上形成自旋传导层；在自旋传导层上形成第二磁性隧道结叠层；以及在自旋传导层和第二磁性隧道结叠层的表面上形成电介质间隔物层。第二磁性隧道结叠层的宽度小于第一磁性隧道结叠层的宽度。此外，自旋传导层的宽度在厚度方向上从自旋传导层的邻近于第二磁性隧道结叠层的第一侧向自旋传导层的邻近于第一磁性隧道结叠层的第二侧增加。