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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103503150A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201180039693.X
申请日：2011-07-13
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/68 , H01L21/336 , G06F9/45
Abstract: 使用高k电介质金属栅极Vt移位效应来提供可编程场效应晶体管(FET)及其制造方法。控制高k电介质金属栅极结构中的Vt移位的方法包括向高k电介质金属栅极结构的栅极接触施加电流以提高形成栅极堆叠的金属的温度。提高温度超出用于提供接通状态的Vt移位温度阈值。
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公开(公告)号：CN119896063A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202380065365.X
申请日：2023-04-28
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 为了限制跨电阻随机存取存储器(RRAM)单元的电阻可变性，本公开包括RRAM单元，其中所述RRAM单元内的电阻扩展层在所述RRAM单元的顶部电极与底部电极之间。电阻扩展层与RRAM单元的细丝形成层串联，且与RRAM单元的细丝形成层没有阻抗。电阻扩展层可以位于细丝形成层之下，或者电阻扩展层可以位于细丝形成层之上。电阻扩展层可以进一步与底部电极或顶部电极串联并且不具有阻抗。
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公开(公告)号：CN110718447B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201910608841.3
申请日：2019-07-08
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 本公开的实施例涉及绝缘体‑金属结构中的铪基或锆基氧化物的快速再结晶。一种用于将包括IV型过渡金属的电介质材料转变成结晶材料的方法，该方法包括：在支撑衬底上形成包括IV型过渡金属的主要为非晶的电介质材料，作为具有微尺度或更小的尺度的电气器件的组件；以及通过暴露于能量小于100毫秒并且在一些情况下小于10微秒的持续时间，将包括IV型过渡金属的主要为非晶的电介质材料转变成结晶的晶体结构。得到的材料完全结晶或部分结晶，并且包含亚稳铁电相，诸如空间群Pca21或Pmn21的极性斜方晶相。在转变成结晶的晶体结构期间，电气器件的相邻定位的组件不被损坏。
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公开(公告)号：CN110718447A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910608841.3
申请日：2019-07-08
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 本公开的实施例涉及绝缘体-金属结构中的铪基或锆基氧化物的快速再结晶。一种用于将包括IV型过渡金属的电介质材料转变成结晶材料的方法，该方法包括：在支撑衬底上形成包括IV型过渡金属的主要为非晶的电介质材料，作为具有微尺度或更小的尺度的电气器件的组件；以及通过暴露于能量小于100毫秒并且在一些情况下小于10微秒的持续时间，将包括IV型过渡金属的主要为非晶的电介质材料转变成结晶的晶体结构。得到的材料完全结晶或部分结晶，并且包含亚稳铁电相，诸如空间群Pca21或Pmn21的极性斜方晶相。在转变成结晶的晶体结构期间，电气器件的相邻定位的组件不被损坏。
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公开(公告)号：CN103503150B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201180039693.X
申请日：2011-07-13
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/68 , H01L21/336 , G06F9/45
Abstract: 使用高k电介质金属栅极Vt移位效应来提供可编程场效应晶体管(FET)及其制造方法。控制高k电介质金属栅极结构中的Vt移位的方法包括向高k电介质金属栅极结构的栅极接触施加电流以提高形成栅极堆叠的金属的温度。提高温度超出用于提供接通状态的Vt移位温度阈值。
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