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公开(公告)号：CN119997541A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510165305.6
申请日：2025-02-14
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本申请涉及一种氮化镓基p沟道器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该制备方法包括：提供最外层为p型GaN层的外延结构；于p型GaN层表面涂覆掺Mg的SOG溶液，获得中间体；对中间体进行退火处理，以在p型GaN层的表面形成掺杂区域和除掺杂区域外的非掺杂区域；于掺杂区域对应的至少部分表面形成间隔的源极、漏极和欧姆栅极；于非掺杂区域对应的部分表面形成肖特基栅极，肖特基栅极和欧姆栅极相互接触形成混合栅极，混合栅极设置在源极和漏极之间。该制备方法在无刻蚀损伤、不引入额外复杂工艺的前提下，对源极、漏极和欧姆栅极同时处理，实现低阻值源、漏欧姆接触电极制备，同时形成混合栅极结构，可有效提升器件的性能。
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公开(公告)号：CN118352389A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410187898.1
申请日：2024-02-20
Applicant: 南方科技大学 , 江苏卓胜微电子股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种高线性度GaN基射频器件，所述高线性度GaN基射频器件从下至上包括基底、缓冲层、势垒层；其中，所述势垒层的材料为AlGaN，所述势垒层的中间部分，设置有一道纵向贯穿所述势垒层的主凹槽，所述主凹槽的两端，设置有若干条与所述主凹槽垂直的分凹槽；本发明通过对栅极凹槽沟道形状进行设计，再对势垒层进行刻蚀或再生长，制备高质量凹栅结构，优化了载流子运输特性，从而制备高线性度高耐压的常关型GaN射频器件。
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公开(公告)号：CN115513292A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211237989.9
申请日：2022-10-10
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/335
Abstract: 本申请提供一种p‑GaN欧姆栅长关型器件及其制备方法，该p‑GaN欧姆栅长关型器件的栅极金属包括设置在p‑GaN外延层表面的高亲氧性金属和设置在高亲氧性金属上的高功函数金属，在该p‑GaN欧姆栅长关型器件的制备方法过程中，利用高温退火过程中的元素反应，有效去除GaOx污染物，使栅极的高功函数金属与p‑GaN形成欧姆接触。在形成欧姆接触的同时，既不会造成化学溶液的残留，也不会对样品表面造成损伤，从而消除现有去除GaOx污染物工艺造成的降低器件性能和可靠性的危害。
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公开(公告)号：CN115036210A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210556596.8
申请日：2022-05-18
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L21/263 , H01L21/3065 , H01L21/28 , H01L29/45 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本申请提供原位SiN冒层GaN基异质结构器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，该器件的原位SiN冒层的刻蚀方法先使用碳氟化合物等离子体对原位SiN冒层进行改性，再使用Ar等离子体轰击去除，通过两步连续循环原子层刻蚀工艺精确控制刻蚀深度，降低表面形貌刻蚀损伤，得到光滑的刻蚀表面，有效降低原位SiN冒层选区刻蚀后表面的表面态、缺陷密度、缺陷尺寸及GaN基异质结构的电学性能损失，优化器件欧姆电极制备工艺，让原位SiN冒层在GaN基异质结构器件制备领域得到更广泛的应用。
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公开(公告)号：CN115020242A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210617062.1
申请日：2022-06-01
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L21/44 , H01L21/34 , H01L29/423 , H01L29/778
Abstract: 本申请提供了一种增强型晶体管制造方法及一种增强型晶体管，涉及半导体器件领域。增强型晶体管制造方法包括：提供外延片，所述外延片上形成有源漏电极，且所述外延片具有一栅极待沉积区域；在所述栅极待沉积区域沉积铜氧化物膜；在所述铜氧化物膜的表面沉积栅极材料形成栅极，以获得增强型晶体管。相较于现有技术，沉积铜氧化物膜的方式更易于控制，且无需再对P型金属层和外延片的外延层进行刻蚀，一定程度上可以简化制造工艺，以及避免因制造工艺难以精确控制导致的器件性能受影响的问题。在制造过程中，还可以通过确定铜氧化物膜中二价态铜离子与一价态铜离子的比例，以制造出不同阈值电压的增强型晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113904652A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111066444.1
申请日：2021-09-13
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本申请提供了一种兰姆波谐振器及其制备方法，涉及声波谐振器技术领域。该兰姆波谐振器包括支撑衬底、支撑结构、压电薄膜和顶部电极。支撑衬底和压电薄膜间隔设置，支撑结构的一端设置于支撑衬底的表面，支撑结构的另一端设置于压电薄膜的第一表面，顶部电极设置于压电薄膜的背离支撑衬底的第二表面，顶部电极和支撑结构在压电薄膜的厚度方向上至少有部分重叠。该兰姆波谐振器，可以提高压电薄膜的机械稳定性，并且提高谐振器的散热特性及功率特性；由于兰姆波谐振器的主模态能量主要集中在电极之间部分，声波传递到电极区域多次反射将产生杂散模态，提供支撑结构有利于杂散声波能量泄露到支撑衬底，从而改善其杂散模态多的问题。
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公开(公告)号：CN113488531A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110795701.9
申请日：2021-07-14
Applicant: 南方科技大学 , 深圳智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/45 , H01L29/417 , H01L21/28 , H01L29/78
Abstract: 本发明实施例公开了一种P型氮化镓基器件、其欧姆接触系统、及其电极制备方法。该欧姆接触系统包括：P型氮化镓层以及位于所述P型氮化镓层一侧的电极，电极包括势垒层以及吸氢合金层；其中，势垒层的功函数大于预设功函数阈值，吸氢合金层的吸氢能力大于P型氮化镓中镁的吸氢能力。本发明实施例提供的P型氮化镓基器件的电极制备技术方案，用于P型氮化镓基器件的源极和漏极，既可以降低欧姆接触的势垒高度，同时还能减薄势垒厚度，并且还解决了接触系统的外扩散、退化等问题，提高了接触的稳定性，降低欧姆接触电阻率，提高了P型氮化镓基器件的性能。
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公开(公告)号：CN105969854B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201610318778.6
申请日：2016-05-13
Abstract: 本发明提供了一种检测尿路感染致病菌的基因芯片试剂盒及其检测方法。所述包括用于检测的基因芯片和检测体系，其中，所述基因芯片包括工作电极、参比电极和辅助电极，所述工作电极上标记有捕获探针；所述检测体系包括相互独立的DNA提取液、PCR扩增反应液、PCR产物酶液、杂交液、检测液、空白对照、阳性质控品和阴性质控品。
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公开(公告)号：CN113098440A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110361980.8
申请日：2021-04-02
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种去加重式连续时间线性均衡器架构，包括：均衡器主电路，包括主输入接口、主输出接口、副输入接口以及副输出接口，均衡器主电路用于将从主输入接口输入的第一差分信号进行第一均衡处理以输出第二差分信号至副输出接口；去加重电路，连接均衡器主电路的副输入接口和副输出接口，包括滤波器和与滤波器连接的放大器，去加重电路用于将由副输出接口输入的第二差分信号进行第二均衡处理以输出第三差分信号至副输入接口，由均衡器主电路基于第一差分信号和第三差分信号从主输出接口输出第四差分信号。本发明公开的去加重式连续时间线性均衡器架构，能提高峰化能力、弥补信道损失，且具有低成本的特点。
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