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公开(公告)号：CN113140247A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202010052642.1
申请日：2020-01-17
Applicant: 南方科技大学
Inventor： 张国飙 , 张国兴 , 翟正军 , 于洪宇 , 周生明 , 郭跃进
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提出一种三维阻变式随机读取存储器（3D‑RRAM）。阻变式随机读取存储（RRAM）阵列(0A)含有一条哑字线和多条哑位线。只有位于哑字线和哑位线交叉处的存储元被编程；其它所有哑存储元均未编程。读取数据时，哑字线和一条数据字线的上电压同时上升到读电压。本发明还提出了各种参考电压的产生方法。
