-
公开(公告)号：CN110813902A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910838128.8
申请日：2019-09-05
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种砷化镓光电阴极的清洗方法，包括采用有机溶剂超声波清洗，去除阴极表面油脂；采用去离子水超声波清洗；干燥阴极表面；采用紫外臭氧清洗；采用氢氟酸刻蚀，去除阴极表面氧化物；去离子水冲洗阴极表面残留的酸；干燥阴极表面。本发明避免了强酸强碱等高危害性溶剂的使用，可有效去除砷化镓表面污染物，得到清洁效果好、量子效率高的砷化镓光电阴极。
-
公开(公告)号：CN110379866A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910568118.7
申请日：2019-06-27
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L31/0224
Abstract: 本发明提供了基于真空分离式p-n结n型变掺杂GaN基阳极的太阳能电池，包括GaAs光电阴极、真空腔和阳极，所述阳极采用GaN基材料，所述阳极从最表层到靠近真空腔依次为衬底层、AlN缓冲层、n型变掺杂GaN接收层，其中AlN缓冲层生长在衬底层上；n型变掺杂GaN基接收层生长在AlN缓冲层上。本发明采用n型变掺杂GaN基接收层，在阳极内部形成一个内建电场，增大了电子在阳极内部的输运速率，提高了电子收集能力，抑制阳极材料的噪声电流，实现的真空分离式p-n结太阳能电池较高的能量转换。
-
-
公开(公告)号：CN109839894A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811568035.X
申请日：2018-12-21
Applicant: 南京理工大学
IPC: G05B19/19
Abstract: 本发明公开了一种双边遥操作系统的控制方法，包括以下步骤：步骤1：建立双边遥操作系统模型的动态方程；步骤2：设计系统固定时间控制器；步骤3：利用Lyapunov函数证明该控制器下的系统稳定性；本发明克服了双边遥操作系统稳定性和固定时间控制稳定性两者不能同时研究的难题,将固定时间控制应用到双边遥操作系统的研究中,实现了系统收敛时间的估算不依赖于初值，相对于以往的双边遥操作系统的控制方法来说，有着更好的收敛速度和性能。在一些对收敛时间有着严格要求的应用中，比如航天和海洋探索等领域，有着很大的优势，是一种可靠的、有效的、重要的控制方法。
-
公开(公告)号：CN107393804B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201710661383.0
申请日：2017-08-04
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种真空太阳能光电转换器件，包括反射式宽光谱GaAlAs/GaAs光电阴极组件、第一可伐合金、第二可伐合金、圆柱形陶瓷腔、金刚石网状薄膜阳极组件；光电阴极组件自下而上由玻璃窗口、增透层、掺杂浓度渐变缓冲层、变掺杂GaAs发射层以及Cs/O激活层依次叠加组成；阳极组件自下而上由金刚石网状薄膜层、网状Si衬底层和石英玻璃窗口构成；阴极组件、阳极组件之间设置通道，阴极组件中的各部件通过铟封材料与第一可伐合金相连，阳极组件中的各部件通过铟封材料与第二可伐合金相连，第一可伐合金与第二可伐合金之间通过圆柱形陶瓷腔相连，两极之间形成真空腔体。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109427518A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710782391.0
申请日：2017-09-02
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01J9/12
Abstract: 本发明公开了一种提高GaAs光电阴极量子效率和寿命的激活方法，即在超高真空激活系统中，采用波长为532nm的单色光源替代传统的卤坞灯光源进行激活。其激活步骤包括：1.对待激活的GaAs样品进行化学清洗；2.对化学清洗后的样品进行高温净化；3.采用波长为532nm的单色光源照射阴极表面，通过Cs源持续，氧源断续的工艺对样品进行激活。通过上述方法所获得的GaAs光电阴极在量子效应和稳定性上都有了明显提高。
-
公开(公告)号：CN108681992A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810364083.0
申请日：2018-04-23
Applicant: 南京理工大学
CPC classification number: G06T5/005 , G06T3/4007 , G06T5/50 , G06T2207/20221
Abstract: 本发明提供了一种用于探测器阵列法测量激光光斑的图像插值方法，包括以：根据探测器探知的已有光斑的能量分布，初步确定光斑中心的位置以及水平垂直方向的尺寸；通过光斑中心的水平和垂直方向取采样点，拟合得到高斯方程，生成理想高斯分布图像；根据从原图像中获得的尺寸信息，对高斯分布图像以原图像的光斑中心为基准点，进行缩放变换，得到粗插值结果；所述原图像为已有光斑的能量分布图；对原图像靠近中心的部分采用Lanczos算法进行插值，对离光斑中心较远的区域采用双线性插值法进行插值，得到精插值结果图像；对得到的粗插值与精插值两幅图像结果进行简单加权融合，最终得到插值图像。
-
公开(公告)号：CN107665798A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201610612228.5
申请日：2016-07-28
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种大面积均匀面电子源，它包括紫外光源，光刻钢网，紫外光源外壳，第一金阴极夹具组件，第一MCP夹具组件，第二金阴极夹具组件，金阴极，MCP，第二MCP夹具组件，第三MCP夹具组件，MCP夹具与金阴极夹具连接件。本发明的面电子源采用金阴极作为光电转换部件，使用微通道板作为金阴极出射电子的电子倍增部件，使用紫外光源以及光刻钢网的组合为金阴极提供均匀光照，通过调节微通道板的板压来调节输出面电流的电流密度大小。这种结构的面电子源使我们可以得到均匀的面电流。
-
公开(公告)号：CN103779436B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410012850.3
申请日：2014-01-13
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种透射式AlGaN紫外光电阴极及其制备方法。该阴极组件自下而上由高质量的蓝宝石衬底、p型均匀掺杂AlN缓冲层、p型变组分AlxGa1-xN发射层组成。其中，AlN缓冲层的厚度在50~500 nm之间，采用p型均匀掺杂方式，掺杂原子为Mg；变组分的AlxGa1-xN发射层由N个AlxGa1-xN子层组成，其中N≥1，从上至下p型AlxGa1-xN子层的Al组分为x1、x2、···、xn-1、xn，且满足0.24≤x1≤x2≤···≤xn-1≤xn≤1，变组分的AlxGa1-xN发射层总厚度在20~150 nm之间，掺杂原子为Mg，Mg掺杂浓度满足1×1014cm-3≤Nc≤1×1018cm-3。采用超高真空高温净化和Cs/O激活技术获得负电子亲和势表面。得到的透射式AlGaN紫外光电阴极。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
87
records
(took 0.029 seconds)
