公开(公告)号：CN110813902A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910838128.8

申请日：2019-09-05

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张益军 ,  荣敏敏 ,  方城伟 ,  张锴珉 ,  舒昭鑫 ,  张景智 ,  戴庆鑫 ,  王自衡

IPC: B08B3/12 ,  B08B3/08 ,  B08B7/00 ,  F26B3/02 ,  F26B21/14 ,  A61L2/20 ,  A61L101/10

Abstract: 本发明公开了一种砷化镓光电阴极的清洗方法，包括采用有机溶剂超声波清洗，去除阴极表面油脂；采用去离子水超声波清洗；干燥阴极表面；采用紫外臭氧清洗；采用氢氟酸刻蚀，去除阴极表面氧化物；去离子水冲洗阴极表面残留的酸；干燥阴极表面。本发明避免了强酸强碱等高危害性溶剂的使用，可有效去除砷化镓表面污染物，得到清洁效果好、量子效率高的砷化镓光电阴极。

公开(公告)号：CN109801820B

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201811601638.5

申请日：2018-12-26

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张益军 ,  王自衡 ,  张景智 ,  钱芸生 ,  荣敏敏 ,  方城伟 ,  戴庆鑫 ,  康天佑 ,  张锴珉 ,  舒昭鑫

IPC: H01J1/34 ,  H01J9/12

Abstract: 本发明提出了一种多层级联式宽光谱响应光电阴极及其制备方法，该光电阴极包括自下而上设置的衬底、InGaAs缓冲层、p型Al0.8In0.2As腐蚀阻挡层、p型发射层以及保护层，其中，所述p型发射层包括自下而上依次设置的p型InxGa1‑xAs层、p型GaAs层、p型Ga1‑yAlyAs层。在发射层中，InxGa1‑xAs部分中In组分x自下而上逐层由0.2降低至0.05，GaAs层掺杂方式为变掺杂分布，Ga1‑yAlyAs部分中Al组分y自下而上逐层由0递增到0.9。本发明在发射层中采用变组分变掺杂技术，一方面提高了光生电子在发射层内的扩散长度，帮助光生电子向发射表面迁移，更有利于光生电子的发射。

公开(公告)号：CN109801820A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201811601638.5

申请日：2018-12-26

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张益军 ,  王自衡 ,  张景智 ,  钱芸生 ,  荣敏敏 ,  方城伟 ,  戴庆鑫 ,  康天佑 ,  张锴珉 ,  舒昭鑫

IPC: H01J1/34 ,  H01J9/12

Abstract: 本发明提出了一种多层级联式宽光谱响应光电阴极及其制备方法，该光电阴极包括自下而上设置的衬底、InGaAs缓冲层、p型Al0.8In0.2As腐蚀阻挡层、p型发射层以及保护层，其中，所述p型发射层包括自下而上依次设置的p型InxGa1-xAs层、p型GaAs层、p型Ga1-yAlyAs层。在发射层中，InxGa1-xAs部分中In组分x自下而上逐层由0.2降低至0.05，GaAs层掺杂方式为变掺杂分布，Ga1-yAlyAs部分中Al组分y自下而上逐层由0递增到0.9。本发明在发射层中采用变组分变掺杂技术，一方面提高了光生电子在发射层内的扩散长度，帮助光生电子向发射表面迁移，更有利于光生电子的发射。