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公开(公告)号：CN105428183B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201510791534.5
申请日：2015-11-17
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提出一种反射式NEA GaN纳米线阵列光电阴极及制备方法，所述反射式NEA GaN纳米线阵列光电阴极是在Si或者SiC衬底的表面生长p型GaN纳米线，并对生长的纳米线阵列进行Cs/O激活得到，其包括衬底层、位于衬底层表面的纳米线阵列发射层；纳米线阵列发射层由若干p型GaN纳米线组成，p型GaN纳米线表面均吸附有Cs/O激活层；所述衬底层为Si或者SiC。本发明能够在降低材料发射率的同时，减少光电子的输运距离，控制纳米线的直径充分吸收光子，提高了GaN光电阴极量子效率。
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公开(公告)号：CN103295855A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310211048.2
申请日：2013-05-29
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提供一种指数掺杂反射式GaAs光电阴极及其制备方法，该阴极自下而上由高质量的n型GaAs衬底、p型GaAs过渡层、p型Ga1-xAlxAs缓冲层、p型指数掺杂的GaAs发射层以及Cs/O激活层组成；其中，p型Ga1-xAlxAs缓冲层中x取值范围为0.5～0.8，厚度在500～1000nm，采用均匀掺杂方式；p型指数掺杂GaAs发射层为3个以上单元分层结构，掺杂浓度按内建电场减小型指数掺杂分布，从后界面处单元分层的1.0×1019cm-3下降到发射表面处单元分层的1.0×1018cm-3，总厚度为1000～3000nm。本发明中充当后界面电子壁垒的p型Ga1-xAlxAs缓冲层以及具有减小型内建电场的p型指数掺杂GaAs发射层，提高了在后界面处吸收近红外光产生电子的发射效率，使反射式GaAs光电阴极具有更高的近红外响应和积分灵敏度。
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公开(公告)号：CN102175933B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201110031977.6
申请日：2011-01-28
Applicant: 南京理工大学
CPC classification number: H01J43/246
Abstract: 本发明公开了一种微通道板(MCP)噪声因子测试方法，它包括噪声因子的测试条件和具体测试方法。本发明将MCP、荧光屏和电子枪封闭在一高真空室内；均匀面电子束入射MCP，在MCP两端施加高压使其正常工作；检测MCP的输入电流、输出电流特性；通过MCP的输入电流的测试和数据处理，可以计算出MCP的输入信噪比；同时测试出MCP的输出电流数据，通过数据处理可以计算MCP的输出信噪比，最终计算出噪声因子参数。该测试方法可以科学地评价MCP的噪声特性，为高性能微光器件的研制，提供理论指导和技术支撑。在MCP和微光像增强器的研制和生产中可以广泛应用。
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公开(公告)号：CN101673396A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910034678.0
申请日：2009-09-07
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于动态目标检测的图像融合方法，属于图像处理技术领域。该方法首先对红外图像序列中的运动目标进行检测和提取，并以红外图像为参考，对微光图像进行快速配准，接着对红外和微光图像进行融合，最后将提取到的红外目标与融合图像进行二次融合。实验结果表明，本发明中所得到的融合图像不仅具有普通融合方法信息丰富的特点，还具有鲜明的红外目标指示特性。此外，本发明还可提供红外目标的坐标信息，为精确定位目标提供了可能。它在夜视侦察、安防监控等军事和民事领域有着广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100585775C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200710019814.X
申请日：2007-01-30
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01J9/42 , H01J9/02 , H01J1/34 , H01L21/66 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了一种GaAs光电阴极退火后表面清洁程度的判断方法。该方法在对GaAs阴极进行激活以前，需要对阴极材料的退火效果进行判断，即对由计算机采集到的高温退火处理和低温退火处理过程中超高真空系统中真空度的变化曲线进行微分处理，该微分处理首先是对离散信号进行差值处理，使离散信号变为均匀采样间隔的离散信号，然后对其进行滤波处理，去掉信号中的干扰，再利用泰勒展开式求出系统真空度变化曲线的微分，最后把微分后的真空度曲线与微分前的真空度曲线进行比较和分析，由比较和分析的结果判断出退火处理的效果。本发明能明显降低对退火后GaAs阴极表面清洁程度的判断成本，可靠性高，对阴极表面无影响，不会对退火后的激活过程副作用。
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公开(公告)号：CN101470026A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710192272.6
申请日：2007-12-24
Applicant: 南京理工大学
IPC: G01J5/10
Abstract: 本发明公开了一种凝视型热像仪非均匀性校正实时标定装置。它包括红外镜头、红外探测器和信号处理控制电路，信号处理控制电路连接在红外探测器上，位于红外镜头与红外探测器之间的等效高低温参考黑体挡片连接步进电机的转子，步进电机的电源及控制端口连接信号处理控制电路，等效高低温参考黑体挡片上设置有等效高温参考黑体区域和等效低温参考黑体区域。它可以使热像仪在实际使用过程中可以随工作条件的改变而采用基于时域递归的两点非均匀性校正算法进行现场实时标定，从而兼具良好的非均匀性校正效果和时域漂移补偿效果，大大提高了凝视型热像仪的成像质量和稳定性，有效扩展了凝视型热像仪的应用范围。
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公开(公告)号：CN101236873A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200710019814.X
申请日：2007-01-30
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01J9/42 , H01J9/02 , H01J1/34 , H01L21/66 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了一种GaAs光电阴极退火后表面清洁程度的判断方法。该方法在对GaAs阴极进行激活以前，需要对阴极材料的退火效果进行判断，即对由计算机采集到的高温退火处理和低温退火处理过程中超高真空系统中真空度的变化曲线进行微分处理，该微分处理首先是对离散信号进行差值处理，使离散信号变为均匀采样间隔的离散信号，然后对其进行滤波处理，去掉信号中的干扰，再利用泰勒展开式求出系统真空度变化曲线的微分，最后把微分后的真空度曲线与微分前的真空度曲线进行比较和分析，由比较和分析的结果判断出退火处理的效果。本发明能明显降低对退火后GaAs阴极表面清洁程度的判断成本，可靠性高，对阴极表面无影响，不会对退火后的激活过程副作用。
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公开(公告)号：CN107393804B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201710661383.0
申请日：2017-08-04
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种真空太阳能光电转换器件，包括反射式宽光谱GaAlAs/GaAs光电阴极组件、第一可伐合金、第二可伐合金、圆柱形陶瓷腔、金刚石网状薄膜阳极组件；光电阴极组件自下而上由玻璃窗口、增透层、掺杂浓度渐变缓冲层、变掺杂GaAs发射层以及Cs/O激活层依次叠加组成；阳极组件自下而上由金刚石网状薄膜层、网状Si衬底层和石英玻璃窗口构成；阴极组件、阳极组件之间设置通道，阴极组件中的各部件通过铟封材料与第一可伐合金相连，阳极组件中的各部件通过铟封材料与第二可伐合金相连，第一可伐合金与第二可伐合金之间通过圆柱形陶瓷腔相连，两极之间形成真空腔体。
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公开(公告)号：CN108681992A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810364083.0
申请日：2018-04-23
Applicant: 南京理工大学
CPC classification number: G06T5/005 , G06T3/4007 , G06T5/50 , G06T2207/20221
Abstract: 本发明提供了一种用于探测器阵列法测量激光光斑的图像插值方法，包括以：根据探测器探知的已有光斑的能量分布，初步确定光斑中心的位置以及水平垂直方向的尺寸；通过光斑中心的水平和垂直方向取采样点，拟合得到高斯方程，生成理想高斯分布图像；根据从原图像中获得的尺寸信息，对高斯分布图像以原图像的光斑中心为基准点，进行缩放变换，得到粗插值结果；所述原图像为已有光斑的能量分布图；对原图像靠近中心的部分采用Lanczos算法进行插值，对离光斑中心较远的区域采用双线性插值法进行插值，得到精插值结果图像；对得到的粗插值与精插值两幅图像结果进行简单加权融合，最终得到插值图像。
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